Реферат: Технология изготовления микросхем

АННОТАЦИЯ К КУРСОВОМУ ПРОЕКТУ ПО КУРСУ

«КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ МИ И МС»

Автор: Олейников ПС-466

При выполнениикурсового проекта были получены как теоретические на-

выки ( в Iсеместре 1996 года) , так и практические( во II семестре

1997 года).

Изучилисобственно разработанный технологический процесс на практике

в лаборатораных условиях от начала до конца, а именно :

1. Расчетэлементов гибридной ИМС.

2. Разработкатопологии гибридной ИМС.

При разработкетопологии учитывают особенности тонкопленочной техно-

логии, конструктивные и технологические ограничения.

Разработаннаятопология должна :

— cоответсвоватьпринципиальной электрической схеме;

— yдовлетворятьвсем предъявленным конструктивным требованиям;

— быть составлена таким образом, чтобы дляизготовления микросхемы

требоваласьнаиболее простая и дешевая технология;

— oбеспечитьзаданный тепловой режимы и возможность проверки элемен-

тов в процессеизготовления;

3. Составлениетаблицы координат пленочныхэлементов ГИС ,

( и введение вкомпьютер).

4. Созданиефотооригинаов с помощью координатографа.

(5. Созданиефотошаблонов (в НИИ). )

6. Напылениеподложки с помощью установки вакуумного напыления.

На платупервоначально напыляется сплошная пленка резистивного мате-

риала , а поверхнее сплошная пленка проводникового матeриала. Затем

наносится фоторезист, который экспонируется черезфотошаблон, проявля-

ется изадубливается. Через окна в фоторезисте травителем удаляются

участки одновременно проводниковой и резистивной пленкитам, где в со-

ответствии с топологическим чертежом поверхность платыостается свобо-

дной.

Далее проводитсявторая фотолитография, в результате которой селек-

тивным травителем с поверхности резистивной пленкиудаляется проводни-

ковая пленка в тех местах, где должны быть резисторы.

Резистивные пленки играют роль подслоя для улучшенияадгезии токоп-

роводящих пленок к плате.

Диэлектрикипленочного конденсатора напыляются и проводниковая плен-

ка верхней обкладки напыляются через маски. Этообъясняется отсутстви-

ем надежныхселективных травителей, которыевоздействовали бы только

на диэлектрические пленки, не повреждая нижележащиепроводниковые.

7. Создание масокдля диэлектрического слоя и слоя верхней обкладки

конденсатора.

8. Двойнаяфотолитография резистивного слоя и слоя нижней обкладки

конденсатора.

9. Напыление спомощью масок остальных слоев (кроме защитного).

10. Нанесениезащитного слоя с помощью фотолитографии.

Эти основные 10операций были успешно освоены при проведении практи-

ческой части курсового проекта.

Задачи и целикурсового проекта выполнены :

Задачей курсовогопроекта являлась разработка конструкции ИМС в соо-

тветствии сзаданной в техническом задании принципиальной электричес-

кой схемой и схемы технологического процесса сборкиданной микросхемы.

Целью работы над курсовым проектом являлосьприобретение практичес-

ких навыков решения инженерной задачи создания конкретногомикроэлект-

ронного изделия, атакже закрепление, углубление и обобщение теорети-

ческих знаний, приобретенных на предыдущих этапахобучения. (В допол-

нение в концекурсового проекта приведена схема выбранного технологи-

ческого процесса.)

Подводя итоги проделанной работы, важно отметить, что конструкция

данной микросхемы была разработана по материалам,предложенным в мето-

дической литературе по курсовому проектированию.

Примененые конструктивно-технологические решения должны, на наш

взгляд обеспечить необходимые электро-техническиепараметры пленок.

— 1 -

СОДЕРЖАНИЕ: стр.

Задание накурсовой проект и исходные данные к проекту............1а

ВВЕДЕНИЕ ИПОСТАHOВКА ЗАДАЧИ......................................2

АНАЛИЗ ТРЕБОВАНИЙТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ............................2

ВЫБОР МАТЕРИАЛОВ

Подложки ГИС иее размеры.......................................3

Пленочныеэлементы: резисторы и конденсаторы...................4

Проводники иконтактные площадки................................4

Выбор навесныхэлементов для ГИС................................5

Kраткиехарактеристики основных методов формирования

конфигураций элементовтонкопленочных ГИС........................5

РАСЧЁТ РЕЗИСТОРОВПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЫ.............................6

РАСЧЁТСОПРОТИВЛЕНИЙ КОНТАКТНЫХ ПЕРЕХОДОВ ТИПА

«РЕЗИСТОР — ПРОВОДНИК»............................................10

РАСЧЕТ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХКОНДЕНСАТОРОВ...............................11

РАЗРАБОТКАТОПОЛОГИИ ИМС..........................................13

Топологическиерасчеты..........................................13

СХЕМАТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕСА....................................16

ГРАФИЧЕСКОЕПРИЛОЖЕНИЕ (СПИСОК СХЕМ, ЧЕРТЕЖЕЙ И Т.П.)

Маршрутныекарты технологического процесса… П1

Схемаэлектрическая принципиальная… П2

Расчетырезисторов… П3

Расчетыконденсаторов… П4

Топологическиечертежи слоев… П5

Чертежсовмещённой топологии… П6

Сборочныйчертёж микросхемы… П7

Чертёжплаты… П8

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.......................................................20

СПИСОКЛИТЕРАТУРЫ................................................21

— 2 -

ВВЕДЕНИЕ И ПОСТАНOВКА ЗАДАЧИ

Интегральнаямикросхема (ИМС) — это конструктивно законченое изделие

электронной техники, выполняющее определенную функциюпреобразования и

содержащее совокупность электрически связанных между собой электрора-

диоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в единомтехнологическом цикле. Ра-

зличают полупроводниковые и пленочные ИМС.

— Полупроводниковая ИМС — та микросхема, все элементы и межэлементные

соединения которой выполнены в объеме и на поверхностиполупроводника.

— Пленочная ИМС — та микросхема, все элементы и межэлементные которой

выполнены в виде пленок.

Гибридная ИМСсодержит, кроме пленочных элементов, также компоненты.

В зависимости от толщины пленок и способа их получения пленочные и

гибридные микросхемы подразделяют на тонко- итолстопленочные.

— ТонкопленочнаяИМС — интегральная микросхема с толщиной пленок до 1

мкм, элементы которой изготавливаются преимущественнометодами вакуум-

ного распыления и осаждения .

— ТолстопленочнаяИМС — интегральная микросхема с толщиной пленок

10-70 мкм, элементы которой изготавливаются методами фарентной печати

(сеткография).

В нашем случае мы будем изготавливать гибриднуютонкопленочную ИМС,

так как последняя представляет собой комбинацию пленочных пассивных

элементов ЭРЭ(резисторы, конденсаторы) с миниатюрнымибескорпусными

дискретными активными приборами (транзисторы и т.п.)

Краткаяклассификация ИМС представлена на рис. 1 [3]

┌────────────────────────┐

│ Интегральные микросхемы│

└────────────┬───────────┘

┌──────────────────┬──┬┴────────┬─────┬────────┐

│Полупроводниковые │ │Гибридные│ │ Прочие │

└─┬────────────────┘ └─────────┘ └────┬───┘

┌─────────┴─┐ ┌─────────┬───────┬─────────┬┴─┬────────────┐

│Совмещенные│---------│Пленочные│ │Вакуумные│ │Керамические│

└───────────┘ └─────────┘ └─────────┘ └────────────┘

рис. 1

Элементы ИМС располагаются на небольшой площади плотнодруг к другу

и формируются одновременно. Это обуславливает малый технологический

разброс ихпараметров . При разработке ИМСстремятся выбрать схемное

решение с минимальным количеством пасствныхэлементов, так как резис-

торы и конденсаторы занимают значительную площадь платыИМС. К тому же

технологмческие возможности создания этих элементов сдостаточной точ-

ностью номиналов ограничены.

АНАЛИЗТРЕБОВАНИЙ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ

МикросхемаК2УС261А обладает широкими функциональными возможностями.

Она может быть использована как дифференциальныйусилитель, широкопо-

лосный усилитель сэмиттерным повторителем и т.п. Напряжение питания

12.6 В +/- 10%, потребляемая мощность не более 23мВт. ИМС К2УС261А

предназначена дляиспользования в коротковолновой и ультракоротковол-

новой радиоаппаратуре на частотах до 200 МГц.

Срокслужбы.........................................15000 ч

Максимальнаярабочая температура....................120 С

— 3 -

Анализируя схемуэлектрическую принципиальную, можно утверждать, что

данная ИМС является микросхемой 2-й степениинтеграции. При ее произ-

водстве можно использовать различные методы формированияэлементов. В

случае массовогопроизводства лучше применить фотолитографический ме-

тод. При серийноми мелкосерийном производстве больше подходит масоч-

ный метод [1]. Для упрощения технологического процесса мыбудем приме-

нять комбинированный метод: резисторыи проводники изготовим двойной

фотолитографией, а конденсаторы — методом свободноймаски.

Задачи и целикурсового проекта :

Задачей курсовогопроекта является разработка конструкции ИМС в соо-

тветствии сзаданной в техническом задании принципиальной электричес-

кой схемой и схемы технологического процесса сборкиданной микросхемы.

Целью работы над курсовым проектом являетсяприобретение практичес-

ких навыков решения инженерной задачи создания конкретногомикроэлект-

ронного изделия, атакже закрепление, углубление и обобщение теорети-

ческих знаний, приобретенных на предыдущих этапахобучения. (В допол-

нение в концекурсового проекта приведена схема выбранного технологи-

ческого процесса.)

ВЫБОР МАТЕРИАЛОВ

Подложки ГИС и ее размеры [2]

*************************

Подложки в ГИС служат диэлектрическим и механическимоснованием для

расположения активных и пассивных элементов, а такжепленочных и наве-

сных элементов. Подложка изолирует отдельныеэлементыГИС и является

теплоотводным элементом конструкции . Поэтому подложка должна иметь

гладкую и плоскую поверхность, высокое объемноесопротивление, химиче-

скую инертность к нанесенным пленкам, высокую электрическую и механи-

ческую прочность, высокую рабочую температуру и небольшуюстоимость.

Выбор того илииного материала зависит от наличия. Мы в качестве по-

дложки будем использовать либо СИТАЛЛ, либо ПОЛИКОР. Это наиболее де-

шевые материалы , коме того, они имеют наименьший коэффициент линей-

ного расширения, что может определять стабильностьпараметров ГИС. СИ-

ТАЛЛЫ представляют собой аморфно-кристаллические стекла.Они допускают

обработку поверхности до высокого классачистоты , обладают высокой

механической прочностью и удовлетворительнойтеплопроводностью. Эти

материалы используются в основном в маломощных ГИС, таккак имеют ма-

лую теплопроводность.

Габаритные размеры подложек стандартизированы. Размеры подложек из

ситалла и поликора преимущественно 48 х 60 мм, толщина0.5-0.6 мм.

Платытонкопленочных ГИС должны быть дешевыми, иметь высокую2 меха-

ническую прочность, теплопроводность, термостойкость ихимическую сто-

йкость.

Высокая механическаяпрочность керамики позволяет использовать плату

в качестве детали корпуса с отверстиями, пазами, авысокая теплопрово-

дность дает возможность изготовлять мощные микросхемы.

Самую высокуютеплопроводность имеет бериллиевая керамика, но в мас-

совом производстве ее не используют из-за высокой токсичности окиси

бериллия. Керамику типа «поликор»и «ситалл» применяют длясоздания

многослойных тонкопленочных ИМС.

Точностьизготовления пассивной части микросхемы в значительной мере

зависит от плоскотностии шероховатости платы. Максимальнаякривизна

поверхности (макронеровность) не должна превышать 4 мкмна 1 мм. Шеро-

ховатость (микронеровность) рабочейповерхности платы должна быть не

ниже 8-го класса (высота неровностей 0,32-0,63 мкм). Болеевысокая чи-

стота обработки поверхности платы, так как агдезия толстых пленок к

шероховатой поверхности лучше, а влияние микронеровностей мало сказы-

вается на свойствах пленок толщиной 10-70 мкм.

— 4 -

Размеры плат определяются конкретной конструкциейкорпуса. Толщина

плат 0,6-1,0 мм. С учетом выбранного металлостеклянного корпуса

1206(153.15-1) и топологических расчетов размер платыбудет 16,0 х 15,0

мм.

Пленочные элементы: резисторы и конденсаторы [2]

*********************************************

ТонкопленочныеРЕЗИСТОРЫ являются наиболее распространенными элемен-

тами ИМС и могут быть изготовлены из разныхматериалов: из металлов и

их сплавов, из смесей металлов и полупроводников, изсмесей металлов и

диэлектрических материалов . Чаще всего используется ХРОМ ГОСТ

5905-67, имеющий сопротивление квадрата пленки от 200 до 600 Ом/■ и

обладающий мощностью рассеяния около 10 мВт/мм^2. Приэтом он довольно

стабилен вовремени. Тонкопленочные резисторырасполагают на гладкой

поверхности защитного диэлектрика, не содержащей ступенек. Основными

параметрами резистивных материалов являются удельное сопротивление

квадрата резистивной пленки , температурный коэффициент сопротивления

и допустивная мощность рассеяния.

Наилучшим материалом для обкладок КОНДЕНСАТОРОВ является алюминий,

который, однако имеет плохую адгезию к подложке. Обкладки конденсато-

ров должны иметь высокую проводимость, коррозионную стойкость, техно-

логическую совместимость с материалом подложки идиэлектрика конденса-

тора: ТКЛР, близкие к ТКЛР подложки и диэлектрика,хорошую адгезию к

подложке и диэлектрику, высокую механическую прочность.

Материалдиэлектрика должен иметь хорошую адгезию к подложке и мате-

риалу обкладок, обладать высокой электрической прочностьюи малыми по-

терями, иметь высокую диэлектрическую проницаемость иминимальную гиг-

роскопичность, не разлагаться в процессе формированияпленок. При из-

готовлении пленочных конденсаторов рекомендуется применятьмоноокись

кремния или моноокись германия, как наиболеетехнологичные. Для созда-

ния ГИС неоходимы резистивные пленки с удельнымповерхностным сопроти-

влением Ps (ro) от десятков до десятков тысяч ом на квадрат. Чем

меньше толщтна пленок, тем выше Рs.

Проводники и контактные площадки [2]

********************************

ПРОВОДНИКИ. Элементы ИМС электрически соединены междусобой с по-

мощью алюминиевой разводки толщиной до 0.8 мкм.

КОНТАКТНЫЕПЛОЩАДКИ. Контактные площадки (КП),располагаемые обычно

по периферии полупроводникового кристалла, служат для создания полуп-

роводниковой схемы с выводами с помощью золотых илиалюминиевых прово-

лочек (методом термокомпрессии). Для КП используют тот же материал,

что и для создания разводки (обычно алюминий).

Проводники и контактные площадки должны иметь малоеудельное сопро-

тивление , хорошуюадгезию к подложке высокую коррозионную стойкость.

Для изготовления проводников и контактных площадок могут быть ис-

пользованы различные металлы, отличающиесядруг от друга по величине

электропроводности и по прочности сцепления с подложкой.Первоначально

на подложку наносится пленка материала , имеющего хорошую адгезию к

подложке (нихром или титан), затем — материал с высокой удельной про-

водимостью (алюминий, медь и др.), после чего — пленкаиз материала,

обеспечивающего условия для припайки или приваркипроволочных или дру-

гих выводов, атакже защиту проводниковой дорожки от внешних воздейс-

твий.

Металлы , обладающие высокой электропроводностью,имеют, как прави-

ло, неудовлетворительную прочность сцепления сподложкой. И лишь АЛЮ-

МИНИЙ используетсябез подслоя в качестве материала для проводников и

контактных площадок. Остальные металлы применяют с подслоем для повы-

шения адгезии проводников к подложке.

— 5 -

Выбор навесных элементов для ГИС [2]

********************************

Использованиенавесных элементов в ГИС чаще определяется соображени-

ями экономии места на плате или связано с трудностямиобеспечения тре-

буемых точностных характеристик пленочных элементов. В нашем случае в

качестве навесных элементов ГИС применяем бескорпусныетранзисторы.В

гибридных пленочных микросхемах широкоприменяют в качестве навесных

элементов миниатюрные полупроводниковыеприборы: транзисторы, диоды, и

т.д.

Важнейшимитребованиями, предъявляемыми к этимкомпонентам ГИС, яв-

ляются малыегабариты и вес. Недостатком приборов сгибкими выводами

является трудностьавтоматизации процессов их сборки и монтажа в кор-

пусе ГИС. Применение приборов с шариковыми выводамизатрудняет конт-

роль процеса сборки. Приборы с балочными выводами дороги,но позволяют

автоматизировать сборку, увеличивать плотность монтажа.

Kраткиехарактеристики основных методов формирования

конфигураций элементов тонкопленочных ГИС [1]

*****************************************************

Для формированияконфигураций проводящего, резистовного и диэлектри-

ческого слоев используют различные методы:

1. Масочный — соответствующие материалы напыляют на подложку через

съемные маски

2. Фотолитографический — пленку наносят на всюповерхность подложки, а

затемвытравливают с определенных участков

3. Электроннолучевой — некоторые участки пленки удаляют позаданной

программе сподложки испарением под воздействием электронного луча.

4. Лазерный — аналогичен электроннолучевому, тольковместо электроного

применяют луч лазера.

Наибольшеераспространение получили два первых способа , а также их

комбинации.

МАСОЧНЫЙМЕТОД.(кратко)

Последовательностьнапыления для масочного метода:

1. Резисторов;

2. Проводников иконтактных площадок;

3. Межслойнойизоляции;

4. Проводников;

5. Нижнихобкладок конденсаторов;

6. Диэлектрика;

7. Верхнихобкладок конденсаторов;

8. Защитногослоя;

(При отсутствииконденсаторов исключаются операции 5-7, а при отсутс-

твии пересечений — операций 3,4)

ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЙ МЕТОД. При этом методе используют два варианта

технологии.

Первый вариант :

1. Напылениематериала резистивной пленки;

2. Напылениематериала проводящей пленки;

3. Фотолитографияпроводящего слоя;

4. Фотолитографиярезистивного слоя;

5. Нанесениезащитного слоя;

Второй вариант :

1. Напылениематериала резистивной пленки;

2. Напылениематериала проводящей пленки;

3. Фотолитографияпроводящего и резистивного слоев;

4. Фотолитографияпроводящего слоя;

5. Нанесениезащитного слоя;

— 6 -

КОМБИНИРОВАННЫЙМАСОЧНЫЙ И ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЙ МЕТОДЫ.

При этом методетакже используют два варианта технологии.

Первый вариант :

1. Напылениерезисторов через маску;

2. Напылениепроводящей пленки на резистивную;

3. Фотолитографияпроводящего слоя;

4. Поочередноенапыление через маску нижних обкладок, диэлектрика и

верхнихобкладок конденсаторов;

5. Нанеснениезащитного слоя;

Второй вариант :

1. Напылениерезистивной пленки;

2. Напылениепроводящей пленки на резистивную;

3. Фотолитографияпроводящего и резистивного слоев;

3. Фотолитографияпроводящего слоя, напыление через маску нижних

обкладок, диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов;

4. Нанеснениезащитного слоя;

Подробнее рассмотреть этапы метода ФОТОЛИТОГРАФИИ — см. СХЕМА ВЫБ-

РАННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕСА.

РАСЧЕТРЕЗИСТОРОВ ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЫ

Как было ужесказано выше, изготовление пленочныхрезисторов и про-

водников будет осуществляться в два этапа: напыление пленок необходи-

мых материалов, азатем будет произведено двойное селективное травле-

ние. Ниже представлены основные технологические параметрыэтих процес-

сов, удельноесопротивление контакта (Rкп) взято из условия, что про-

цесс напыления пленок происходит без разгерметизациирабочей камеры.

Погрешностьширины резистора дb........................0.01 мм

Погрешность длинырезистора дl.........................0.01 мм

Погрешностьр■.........................................2.5 %

Удельноесопротивление контакта, Rкп...................0.2 Ом мм¤

Погрешностьсовмещения (дельта совм)...................0.1 мм

Минимальнаядопустимая длина резистора lmin............0.1 мм

Минимальнаядопустимая ширина резистора bmin...........0.1 мм

Характеристикаматериала:

ХРОМ.

Сопротивлениер■.......................................500 Ом/■

Температурныйкоэфф. сопротивления, ТКС................6.10-5 Ом/ С

Погрешностьстарения, ст...............................0.1 %/час

Исходнми даннымидля расчета пленочных резисторов служат номинальное

сопротивление R, рассеиваемая мощность Р, допустимая погрешность соп-

ротивления Vr. ( Вкачестве дополнительных ограничений могут быть за-

даны рабочее напряжение Uраб, частота fраб и др.

Вообще, расчет резистора начинают с выбора резистивного материала.

При этом необходимо учитывать , что коэффициент формы тонкопленочного

резистора прямоугольной конфигурации должен находиться в пределах

0.1< kф < 100. Причем это по методу фотолитографии. Необходимо также

учитывать, что прирасчете группы тонкопленочных резисторов, входящих

в состав одной ИМС и располагаемых на одной плате , крайне нежела-

тельно одинаковую толщину пленочных резисторов.

— 7 -

Для нашеговарианта исходные данные представлены в таблице.1

Tаблица.1

┌──┬───────┬────────┬──────────────┐ а также :

│No│Номинал│ Допуск │Рассеиваемая │ — максимальнаярабочая темпе-

│ │R, Ом │ +/- % │ мощность │ ратура Тmax = +60 ...+120 С,

├──┼───────┼────────┼──────────────┤ — длительность работы микрос-

│1 │ 100 │+/- 14 │ 1*10^-14 │ хемы t = 12000… 15000 ч,

│2 │ 100 │+/- 14 │ 1*10^-14 │ — массовое производство,

│3 │ 1200 │+/- 20 │ 0.3 │ — шаг координатнойсетки 0.01

│4 │ 30000 │+/- 14 │ 3 │ мм (в зависимости от координато-

│5 │ 11000 │+/- 20 │ 3 │ графа)

│6 │ 4300 │+/- 20 │ 8 │ - температурный коэффициент

│7 │ 24000 │+/- 20 │ 2 │ сопротивления а RT,

│8 │ 11000 │+/- 20 │ 1 │ - относительная погрешность

│9 │ 4300 │+/- 20 │ 21 │ старения на заданное число ча-

└──┴───────┴────────┴──────────────┘ сов Vст.

Примечание :

Все расчеты были проведены на компьютере сиспользованием программ-

ного пакета «MathCAD 2.0 ver.» по методике,указанной в [2].

Результатырасчетов указаны ниже, а также в приложении.

Итак,

1. Определяемудельное (оптимальное) сопротивление р■:

i=1

р■= -------- , где n — общее количество резисторов,

n 1

----

i=1 Ri

Для нашеговарианта резистивный материал — ХРОМ, для которого р■ от

50 .... 600Ом. Поэтому дальнейший расчет будемпроизводить для р■ =

= 500 Ом/■.

2. Коэффициентформы каждого резистора:

Кф = R /p■ ,

Если коэффициентыформы разные , то есть их значения от< 1 до >10.

А это значит, что у резисторов :

┌───┐ ┌───┐

│ ─┼───┼─ -│--- | l |

│ |│ │ | │ ┌───┐ ┌───┐

│ |│ │ | │ │ ─┼────────────┼─ │--

│ |│ │ | │ b │ | │ │ | │ b

│ |│ │ | │ │ ─┼────────────┼─ │--

│ |│ │ | │ └───┘ └───┘

│ ─┼───┼─ -│--- (Б)

└───┘ l└───┘

(А)

— 8 -

| L |

| ┌───┐

| ┌────────────┐ ┌───────┼─-│----

| │ +--------+ │ │ +-----│-| │

| │ |┌────┐ | │ │ |┌───┼─ │

| │ | │ a │ | │ │ | │ └───┘

| │ | │ │ | │ │ | │ B

┌───┐ │ | │ │ |│ │ | │ lcp

│ ─┼───┘ | │ │ | └---─┘ |│

│|-│-----+ │ │ +-- b---+ │

│ ─┼───────┘ └────---─────┘------------

└───┘ (В)

рис.2

- R1 и R2 (Кф < 1) - длина l < ширины b, (рис.2 (А))

- R3, R6 и R9 (1 < Кф < 10) — длина l> ширины b, (рис.2 (Б))

- R4, R5, R7 и R8 (Кф > 10) — форма меандра(змейка), (рис.2 (В))

3. Относительноеизменение сопротивления при наибольшей рабочей тем-

пературе:

Vт = a RT (Tmax — 20 ) 100% ,

4. Максимальнодопустимое значение относительной погрешности коэффи-

циента формырезистора:

Vк.ф.доп = Vr- Vp■ — Vт — Vст — Vкп, — где

Vr — допуск,

Vp■ — относительная погрешность воспроизведениявеличины удельного

поверхностного сопротивления (в зависимости отвыбранного техпроцес-

са),

Vкп = 2 Rкп / R, задается при расчетах 2...3 %.

5. Один из минимальных размеров каждого резистора ( для различных

коэффициентовформы — по-разному ), исходя из полученного значе-

ния Vк.ф.доп:

Найдем для R1и R2 (Кф < 1), (длина l < ширины b), (рис.2 (А))

b + l/Kф

bmin [V] =----------- ,

Vк.ф.доп

Найдем размерыдля R3, R6 и R9 (1 < Кф <10)(длина l > ширины b),

(рис.2 (Б))

l + b/Kф

lmin [V] =----------- ,

Vк.ф.доп

Найдемгеометрические размеры для R4, R5, R7 и R8 (Кф > 10)

(форма меандра), (рис.2 (В))

6. Один из минимальных размеров каждого резистора ( для различных

коэффициентовформы — по-разному ), исходя издопустимой рассе-

иваемоймощности Р:

При Кф > 1 :

bmin [P]= ------ , где Р0 — удельная рассеиваемая мощность.

P0 + Kф

— 9 -

При Кф < 1 :

P + Kф

bmin [P]= ------ , где Р0 — удельная рассеиваемая мощность.

7. Определяемодин из минимальных размеров:

bmin = max { bmin [V], bmin [P],bmin [m] }, или

lmin = max { lmin [V], lmin [P], lmin [m]},

где bmin [m], lmin [m] — минимально допустимые размеры элемента,

обусловленные технологическим процессом.

8. Полученныезначения bmin (lmin) округляем до ближайшего большего

размера,кратного шагу координатной сетки, равному 0.01 мм.

9. Определяемвторой размер резистора:

l = bо Kф, или b = lо Kф .

10.Округляем полученные величины доближайшего большего значения,

кратного шагукоординатной сетки и определяем площадь, занимае-

муюр

еще рефераты

Еще работы по технологии

Реферат по технологии

Технологическая карта механической обработки зубчатого колеса

25 Июня 2015

Реферат по технологии

Разработка технологического процесса изготовления форм офсетной печати для книги "Агледзіны" на УП "Полиграфкомбинат им. Я.Коласа"

29 Августа 2013

Реферат по технологии

Вращающаяся печь 5х185 м для обжига клинкера по мокрому способу

26 Июня 2015

Реферат по технологии

Технологическая подготовка предприятия

25 Июня 2015