Реферат: Проектирование лог. ключа в n-МОП базисе с квазилинейной нагрузкой (МСХТ)
Содержание.Техническоезадание… 3
Логическийключ с квазилинейной нагрузкой… 4
Минимизациялогической функции в nМОП-базисе… 7
Электрическаясхема в nМОП-базисе… 7
Методикарасчета параметров компонентов nМОП ключа… 8
Программарасчета параметров ключа SOLVE.PAS… 11
Результатработы программы SOLVE.PAS… 13
Программыанализа схемы в среде PSPICE… 14
Передаточнаяхарактеристика… 15
Переходнаяхарактеристика… 16
Определениепараметров логического ключа по графическим характеристикам… 17
Технологическиймаршрут изготовления простейшего МДП-вентиля
с самосовмещенным затвором… 18
Топологическоепроектирование… 19
Заключение… 20
Литература… 21
<span Times New Roman",«serif»; mso-fareast-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language:RU;mso-fareast-language: KO;mso-bidi-language:AR-SA">Техническое задание.
1. Минимизировать заданнуюлогическую функцию с учетом схемотехнического базиса.
2. Разработать электрическуюсхему в заданном схемотехническом nМОП-базисе.Рассчитать параметры компонентов.
3. Рассчитать передаточнуюхарактеристику.
4. Разработать эскиз топологиив соответствии с заданным технологическим маршрутом.
Наименование
Обозначение
Величина
Размерность
Уровень логической единицы
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:1.0pt;mso-text-raise:-1.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image002.gif" v:shapes="_x0000_i1025">
6
В
Уровень логического нуля
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:1.0pt;mso-text-raise:-1.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image004.gif" v:shapes="_x0000_i1026">
0.8
В
Напряжение помехоустойчивости
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:6.0pt;mso-text-raise:-6.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image006.gif" v:shapes="_x0000_i1027">
0.5
В
Средняя мощность
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:6.0pt;mso-text-raise:-6.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image008.gif" v:shapes="_x0000_i1028">
0.4
мВт
Коэффициент влияния подложки
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:4.0pt;mso-text-raise:-4.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image010.gif" v:shapes="_x0000_i1029">
0.3
Минимальный размер проектирования
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:1.0pt;mso-text-raise:-1.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image012.gif" v:shapes="_x0000_i1030">
2
мкм
Толщина окисла
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:4.0pt;mso-text-raise:-4.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image014.gif" v:shapes="_x0000_i1031">
50
нм
Диэлектрическая проницаемость окисла
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:4.0pt;mso-text-raise:-4.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image016.gif" v:shapes="_x0000_i1032">
4
Диэлектрическая проницаемость воздуха
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:4.0pt;mso-text-raise:-4.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image018.gif" v:shapes="_x0000_i1033">
<img src="/cache/referats/2185/image020.gif" v:shapes="_x0000_i1034">
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:4.0pt;mso-text-raise:-4.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image022.gif" v:shapes="_x0000_i1035">
Подвижность электронов в подложке
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:4.0pt;mso-text-raise:-4.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image024.gif" v:shapes="_x0000_i1036">
500
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:4.0pt;mso-text-raise:-4.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image026.gif" v:shapes="_x0000_i1037">
Глубина диффузии
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:6.0pt;mso-text-raise:-6.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image028.gif" v:shapes="_x0000_i1038">
0.7
мкм
Емкость нагрузки
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:4.0pt;mso-text-raise:-4.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image030.gif" v:shapes="_x0000_i1039">
1
пФ
Тип затвора
<span Arial",«sans-serif»;position:relative; top:1.0pt;mso-text-raise:-1.0pt"><img src="/cache/referats/2185/image032.gif" v:shapes="_x0000_i1040">
Тип логического ключа
Квази-линейная нагрузка
Логическая функция по варианту задания
<img src="/cache/referats/2185/image034.gif" v:shapes="_x0000_i1041">