Реферат: Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Техническое задание №6.

Схема логики ИЛИ-НЕ набиполярных транзисторах.

Технологияпланарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем

n-полупроводника.

<img src="/cache/referats/4282/image001.gif" v:shapes="_x0000_i1025">

Элемент

Характеристика

1

R1– R4

4,7 кОм <span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">±

2

R5

3,3 кОм <span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">±

3

C1– C4

20 пФ <span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">±

4

T1– T4

Типовыйтранзистор монолитных ИС, однобазовый полосковый.