Реферат: Мультивибратор
Содержание
Введение
1. Литературныйобзор
2. Анализ технического задания
3. Синтез структурной схемы
4. Анализ принципиальной схемы мультивибратора управления разверткой
5. Выбор элементной базы
6. Расчет принципиальной схемы мультивибратора управления разверткой попостоянному току
7. Расчетпринципиальной схемы мультивибратора управления разверткой по временномутоку
8. Компоновка печатного узла
8.1. Расчет посадочных мест
8.2. Расчет на вибропрочность
9. Расчетнадежности мультивибратора управления разверткой
10. Расчеттеплового режима
Заключение
Списокиспользуемой литературы
1. Литературный обзор
Для получения импульсовпрямоугольной формы широко используются релаксационные генераторы, построенныена основе усилителей с положительной обратной связью. Релаксационныегенераторы, в которых положительная обратная связь создается с помощью RC-цепей, называют мультивибраторами.Причем глубина положительной обратной связи остается почти постоянной в широкойполосе частот. Если положительная обратная связь создается с помощьюимпульсного трансформатора, то такие релаксационные генераторы называютблокинг-генераторами.
Мультивибраторы могутработать в двух режимах: автоколебательном и ждущем.
В автоколебательномрежиме схема имеет два квазиустойчивых состояния, длительность каждого изкоторых определяется времязадающей цепью.
В ждущем режиме схемаимеет одно устойчивое состояние, в котором может находиться неограниченнодолго. Под действием короткого запускающего внешнего импульса схема скачкомпереходит в квазиустойчивое состояние, а затем самостоятельно возвращается висходное состояние, формируя импульс заданной длительности.
Широкополосность цепиобратной связи является характерным признаком всех генераторов импульсов,причем во всех случаях на частоте w->0 выполняется условие Ky<1. В противном случае устройствопревратится в триггер. Это условие свидетельствует о наличии накопителяэнергии, уменьшающего петлевое усиление на низких или инфранизких частотах доуровня, при котором невозможно появление устойчивого состояния.
Различают «мягкий» и «жесткий»режимы возбуждения генераторов. При мягком режиме петлевое усиление большеединицы (|Ky|>1), в момент включения напряжения питания.Тогда любые шумы в системе, вызванные случайными факторами, усиливаются и черезцепь обратной связи подаются на вход усилителя в фазе, совпадающей с фазойвходного сигнала, причем величена этого дополнительного сигнала больше тоговозмущения, которое вызвало его появление. Соответственно увеличиваетсявыходное напряжение, что приведет к дальнейшему увеличению входного сигнала ит.д. в итоге случайно возникшее возмущение приведет к непрерывному нарастанию выходногосигнала, которое достигло бы бесконечного большого значения, если бы это быловозможно. Однако при определенном уровне сигнала начинают проявляться нелинейныесвойства электронного усилителя. Коэффициент усиления начинает уменьшаться сувеличением значения сигнала в системе. При выполнении условия Ky=1 амплитуда автоколебаний стабилизируетсяи автогенератор начинает давать колебания, имеющие постоянную амплитуду.
Жесткий режим возбужденияотличается от рассмотренного тем, что при нем для возникновения автоколебанийнеобходимо приложить к устройству дополнительный внешний сигнал, не меньшийопределенного значения. Это связанно с особенностями нелинейности усилительногоустройства. В момент включения напряжения питанияи отсутствия автоколебаний Ky<1. Поэтому они сами собой возникнуть не могут.Коэффициент усиления К зависит от амплитуды выходного сигнала. Поэтому если навход усилителя подать дополнительный электрический сигнал, то при определенномего значении начнет выполнятся условие Ky>1. При этом возникнут автоколебания,амплитуда которых будет нарастать и примет стационарное значение примет Ky=1.
Мультивибратор управления разверткой, примененный восциллографе С1-67, также относится к классу релаксационных генераторов, т.е.генераторов, у которых изменение состояния отдельных приборов происходят в результатепроцесса регенерации.
2. Анализтехнического задания
Разработать мультивибратор управления разверткойосциллографа С1-67 со следующими параметрами.
1. Напряжение питания UП1=±10 В, UП2=+6 В.
2. Максимальное выходное напряжение Um=3 В.
3. Режим работы: ждущий,автоколебательный.
4. Частота следования импульсов вавтоколебательном режиме от 2,0 Гц до 1,0 МГц.
5. Изменение частоты следованияимпульсов – дискретное.
6. Предельное отклонение амплитудывыходного напряжения ±0,5 В.
7. Амплитуда тока выходных импульсов Im>=0,5 mA.
8. Конструкция – печатная плата,установленная внутри осциллографа.
Прибор должен нормальноработать в условиях:
1. Рабочая температура окружающеговоздуха от –30 до +500 С.
2. Предельная температура от –50 до +650С.
3. Отн. влажность воздуха до 98% притемпературе +350 С.
3. Синтезструктурной схемы
/>
Структурнаясхема мультивибратора управления разверткой
Мультивибратор управления разверткой (рис. 1)представляет собой сочетание генератора импульсов на туннельном диоде сусилителем по схеме с общим эмиттером.
Управляемый источник токапозволяет задавать любое положение рабочей точки на характеристике туннельногодиода, что позволяет переводить мультивибратор управления разверткой изстабильного состояния в режим самозапуска.
Цепь коррекции позволяетизменять длительность импульсов генератора импульсов.
С выхода усилителя напряжения управляющий импульспоступает на вход схемы генератора пилообразного напряжения и через эмиттерный повторитель на схему формирования блокирующего импульса.
4. Анализпринципиальной схемы мультивибратора управления разверткой
/>
Принципиальная схема мультивибратора управления разверткой осциллографаС1-67
Мультивибратор управленияразверткой (рис.2) состоит из следующих основных каскадов:
- автоколебательногогенератора, выполненного на туннельном диоде VD3;
- усилителянапряжения на транзисторе VT2;
- эмиттерного повторителяна транзисторе VT3;
- источника тока натранзисторе VT1.
Автоколебательныйгенератор собран туннельном диоде VD3. Диод включен в цепь эмиттера транзистора VT1. Положение рабочей точки на вольт-амперной характеристикедиода выбирается на участке, где диод имеет отрицательное дифференциальноесопротивление. Переменное напряжение, снимаемое с диода через резистор R7 поступает на следующий каскад мультивибратора– усилитель напряжения, который собран на транзисторе VT2, включенного по схеме с общим эмиттером.
В исходном состояниирабочая точка выбирается так на характеристике туннельного диода VD3, что усилитель на транзисторе VT2 заперт. Импульсы положительнойполярности, поступающие на базу транзистора VT2 из канала синхронизации, переводят туннельный диод VD3 во второе устойчивое состояние, приэтом усилитель на транзисторе VT2открывается и потенциал на его коллекторе понижается, вырабатывается отрицательныйуправляющий импульс.
Усилитель имеет большойкоэффициент усиления, который определяется соотношением значений сопротивлений R10 и R6 и параметром h11 транзистора VT2. Свыхода усилителя напряжения сигнал поступает на эмиттерный повторитель,собранный на транзисторе VT3.Резисторы R8,R9, задают положениерабочей точки транзистора на ВАХ, а резистор R11 обеспечивает отрицательную обратную связь по постоянномутоку, которая стабилизирует положение рабочей точки.
С выхода мультивибраторауправляющий импульс поступает на вход схемы генератора пилообразного напряженияи через эмиттерный повторитель VT3 насхему формирования бланкирующего импульса.
На транзисторе VT1 собран источник тока, которыйстабилизирует положение рабочей точки туннельного диода VD3 на его вольт-амперной характеристике.Величена эмиттерного тока транзистора VT1, а следовательно и положение рабочей точки туннельного диода VD3, может изменяться в зависимости отположения движка переменного резистора R2. При перемещении рабочей точки туннельного диода VD3 с участка вольт-амперной характеристики,где диод имеет дифференциальное сопротивление отрицательное, на участок сположительным дифференциальным сопротивлением, мультивибратор переходит изавтоколебательного режима в ждущий. Это позволяет переводить мультивибраторуправления разверткой из стабильного состояния в режим самозапуска.
Конденсаторы С2, С3-С5 ирезисторы R5,R4 являютсячастото-задающими элементами мультивибратора, конденсатор С1 – блокировочный,предотвращает «просачивание» высокочастотного сигнала в цепь питания.Конденсатор С7, шунтирующий резистор R11, ликвидирует отрицательную обратную связь по переменному току.
5. Выбор элементной базы
В качества активногоэлемента эмиттерного повторителя VT3 выберемтранзистор малой мощности высокой частоты. Напряжение питания эмиттерногоповторителя EП=-10В. Подойдет транзистор 1Т308А с проводимостью p-n-p типа, который имеет следующиетехнические характеристики:
- мощностьрассеяния коллектора Pkmax=150 mВт;
- граничная частотаfгр>90 МГц;
- предельноенапряжение коллектор-база Uкбо=20 В;
- предельнодопустимое напряжение эмиттер-база Uэб=3 В;
- максимальный токколлектора Ikmax=50 mA;
- коэффициентпередачи тока базы h21=20… 75;
- емкостьколлекторного перехода Ck< 8 пФ;
- сопротивлениеколлектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас<30 Ом.
Активный элементусилителя напряжения, т.е. транзистор VT2, должен быть высокочастотным n-p-n транзистором малой мощности с напряжением Uкэ>1,5•Eп2.
Подойдет транзистор1Т311А, который имеет следующие технические характеристики:
- мощностьрассеяния коллектора Pkmax=150 mВт;
- граничная частотаfгр>300 МГц;
- предельноенапряжение коллектор-база Uкбо=12 В;
- предельнодопустимое напряжение эмиттер-база Uэб=2 В;
- максимальный токколлектора Ikmax=50 mA;
- коэффициентпередачи тока базы h21=15… 80;
- емкостьколлекторного перехода Ck< 2,5 пФ;
- сопротивлениеколлектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас<20 Ом.
Транзистор VT1 источник тока должен иметь напряжениеколлектор-эмиттер Uкэ1>1,5 •Еп2=9 В. Этому условиюудовлетворить транзистор 2Т301Е. Это кремниевый n-p-n транзистор со следующими характеристиками:
- мощностьрассеяния коллектора Pkmax=150 mВт;
- предельноенапряжение коллектор-база Uкбо=30 В;
- предельнодопустимое напряжение эмиттер-база Uэб=3 В;
- максимальный токколлектора Ikmax=10 mA;
- коэффициентпередачи тока базы h21=40… 180;
- сопротивлениеколлектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас<300 Ом.
Туннельный диод VD3выбран из условия, что участок егоВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением должен быть расположен вдиапазоне напряжений, охватывающим рабочую точку Uбэ2 транзистора VT2.
Выбран туннельныйдиод 3Н306Р спараметрами:
- пиковый ток 4,5… 5,5 мА;
- напряжение пикане более 0.78 мА;
- напряжениераствора 0,85… 1,15 В;
- максимальнодопустимый постоянный прямой ток 1,2 мА.
Прямое напряжениеотпирания диода VD2 UпорVD2 должно быть больше напряжения UVD3 на туннельном диоде VD3. Этому условию удовлетворяеткремниевый диод типа 2Д503Бс параметрами:
- постоянное прямоенапряжение при Iпр=10 мА не более 1,2 В;
- импульсное прямоенапряжение при Iпримп=50 мА не более 3,5 В;
- обратный ток при Uобр=30 В не более 10 мкА;
- прямое пороговоенапряжение Uпр.пор>5 В.
В качестве диода VD3 выбирается любой выпрямительныйдиод. Выберем распространенный диод типа Д220 с параметрами:
- постоянное прямоенапряжение при Iпр=50 мА не более 1,5 В при t=25оС и 1,9 В при t=100оС;
- импульсное прямоенапряжение при Iпримп=50 мА не бол. 3,75 В;
- постоянныйобратный ток при Uобр= Uобрmax<sub/>не более 1,0 мкА;
- выпрямительныйток при t=25оС 50 мА.
6. Расчетпринципиальной схемы мультивибратора управления разверткой по постоянному току
/> <td/> />Принципиальная схемамультивибратора управления разверткой осциллографа C1-67
Расчет элементовпринципиальной схемы мультивибратора управления разверткой осциллографа удобновести по схеме (рис. 3).
В качестве активногоэлемента эмиттерного повторителя выберем транзистор малой мощности, высокойчастоты. Напряжение питания эмиттерного повторителя выберем из усл. Eп1>Uвых=1В, т.о., ЕП1=-10 В.
Подойдет транзистор1Т308А, который имеет следующие характеристики:
- мощностьрассеяния коллектора Pkmax=150 mВт;
- граничная частотаfгр>90 МГц;
- предельноенапряжение коллектор-база Uкбо=20 В;
- предельнодопустимое напряжение эмиттер-база Uэб=3 В;
- максимальный токколлектора Iк мах=50 мА;
- коэффициентпередачи тока базы h21 э=20..75.
По семейству выходных ВАХвыберем ток покоя коллектора Ik max=3 мА. Падение напряжения на сопротивлении R11 должно составлять примерно 0.1Еп.
/>
Резистор R8 обеспечивает необходимое напряжениесмещения рабочей точки.
/> , где />
/>
По входной ВАХ изсправочника определяем
/>
/>.
Для расчета величинысопротивления резистора R9определим напряжение питания усилителя напряжения (VT2) из условия /> ,выберем Еп=+6 В.
/>.
Падение напряжения на резисторе R6 должно составлять примерно 2В,т.е. UR6=Iк2R6=2 В, тогда:
/>
Выберем активныйэлемент усилителя напряжения, т.е. транзистор VT2. Это должен быть высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности снапряжением /> , здесь 1.5-коэффициент запаса.
Подойдеттранзистор 1Т311А, который имеет следующие технические характеристики:
- мощность рассеяниятранзистора Рк мах=150 мВт;
- граничная частота/>;
- предельнодопустимое напряжение коллектор-база Uкб0=12 В;
- предельнодопустимое напряжение эмиттер-база Uэб0=2 В;
- максимальный токколлектора Iк мах=50 мА;
- коэффициентпередачи тока базы h21=15..80.
По семейству выходныхВАХ , приведенных в справочнике, выберем ток покоя транзистора VT2- Iк2=1.5 мА, при Uкэ=3.7 В.
Учитывая то, что токделителя R8,R9 так же протекает через резистор R6. Определим величину резистора R6:
/>
/>
Тунельный диод VD3 выбираем из условия, что участокего ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением должен быть расположенв диапазоне напряжений, охватывающем рабочую точку Uбэ2 транзистораVT2.
Ток базы VT2 составит:
/>
По входной ВАХ определяем />
Подойдет туннельный диод3И306Р. Для «развязки» туннельного диода VD3 и транзистора VT2 служит резистор R7. Его величина выбирается из условия />.
Выберем R7=100 Ом.
Транзистор VT1 источника тока должен иметь />. Этому условию удовлетворяеттранзистор 2Т301Е, это кремниевый n-p-n транзистор с коэффициентом передачи тока базы h21=40..180; мощность рассеяния коллектора Pк мах=150 мВт; максимальный ток коллектора Iк мах=10 мА, Uкб0мах=30 В, Uэб0=3 В.
По семейству выходныхВАХ выберем ток покоя транзистора VT1 Iк1=2 мА, при Uкэ1=4 В.
/>
Учитывая, чтонапряжение на диоде VD3=Uбэ2 и падение напряжения на резисторе R7 /> — малая величина, имеем:
/>,
/>.
Из справочника, поВАХ туннельного диода, имеем
/>, тогда
/>.
Прямое напряжениеотпирания диода VD2 UVD3 на туннельном диоде UпорVD2>UVD3. Этому условию удовлетворяеткремниевый диод типа КД503Б или 2Д503Б с />.
Диод VD1 – любой кремниевый маломощный с прямымтоком/>.
Подойдетраспространенный диод типа Д220.
Ток делителя R1,R2 принимаем равным />
Напряжение на базетранзистора VT1определяется, как
/>.
По входной ВАХтранзистора VT1из справочника находим
/>,
/>.
По закону Кирхгофа />.
Возьмем ток делителя сзапасом:Iд=0.16 мА.
/>, где ток VD1 определяем по ВАХ диода из справочника:
/>,
/>,
/>,
/>, где напряжение управления Еупрвыбрано равным 50 В.
/>.
Мощности,рассеиваемые резисторами, />непревысят 0.25 Вт. Поэтому можно применить резисторы МЛТ-0.25.
В ходе расчета попостоянному току были определены:
VT1-2T301E VD1-Д220
VT2-1T311A VD2-2Д503Б
VT3-1T308A VD3-3И306Р
R1=15 кОм МЛТ-0.25
R2=10 кОм
R3=220кОм МЛТ-0.25
R4=270 кОм МЛТ-0.25
R5=820 Ом МЛТ-0.25
R6=820 Ом МЛТ-0.25
R7=100Ом МЛТ-0.25
R8=10кОм МЛТ-0.25
R9=6.8 кОм МЛТ-0.25
R10=220 Ом МЛТ-0.25
R11=330 Ом МЛТ-0.25
7. Расчет принципиальной схемы мультивибратора управленияразверткой по временному току
В результате расчета по переменномутоку схемы мультивибратора управления разверткой (рис.3) определим номиналыконденсаторов.
Величину емкости С6выбираем исходя из постоянной времени t корректирующей цепочки R9C6,постоянная времени этой цепи
/> .
Здесь fв=10 МГц – верхняя граничная частота исследуемогосигнала (из паспорта), 0.707 – уровень, по которому определяется полосапропускания.
Тогда из /> найдем />.
Аналогично определяемемкость С7, исходя из постоянной времени R11C7 – цепочки.
/>, отсюда />.
Конденсатор Сбл– блокировочный на высокой частоте выбран в пределах 0.1 мкФ, исходя из условия/>.
Частота следованияимпульсов мультивибратора (частота развертки) определяется постоянной времени RC – цепи, подключаемой к туннельномудиоду VD3. Период развертки />,
где R=R5 +h11 VT1 –сумма резистора R5, подключенного к VD3 и входного сопротивления h11 транзистора VT1, который подключен последовательно с резистором R5.
Величинаемкости C2 определяет частоту разверткиосциллографа и задается переключателем, расположенным на передней панелиосциллографа.
Величина параметра h11VT1 составляет величину :
/>.
R = R5 +h11 = 800 + 26050 = 26.85 (кОм).
Определим минимальноеи максимальное значение емкости С2, исходя из минимального имаксимального периода развертки.
/>
Согласно паспортнымданным Tpmax=0.01 с, Tp min=1 мкс.
/>
/>
В результате расчета попеременному току выбраны конденсаторы:
Сбл=0.1мкФ
С2=43 пФ
С3=510 пФ
С4=2200 пФ
С5=0.1 мкФ
С6=22 пФ
С7=430 пФ
Все конденсаторывыбраны типа КМ-5а-Н30. Это керамические конденсаторы, в которых диэлектрикомслужит высокочастотная керамика. Они характеризуются высокими электрическимипоказателями и сравнительно небольшой стоимостью.
Выбранная группа поТКЕ-Н30, что означает изменение емкости />.
8. Расчетпечатного узла
8.1 Расчет посадочных мест
/> <td/> />Печатная плата мультивибратора управления разверткойРис. 4
/>
Для расчета числапосадочных мест печатной платы (рис.4) воспользуемся следующей формулой:
/> , где
nx– число посадочных местпо оси X ,
ny– число посадочных местпо оси Y .
/>; /> , где
Lx=70мм – размер печатнойплаты по оси Х,
Ly=47.5 мм – размер печатной платы пооси Y,
x=7.5 мм – ширина краевого поля по оси X,
tx=5мм — шаг установки пооси X,
ty=10мм – шаг установки пооси Y,
ly=15мм – размер посадочногоместа по оси Y,
y1=2.5 мм – ширина краевого поля дляконтактных гнезд,
y2=5 мм – ширина краевого поля для соединительных гнезд.
/>
/>
/>
Таким образом, напечатную плату размером 70´47.5 можно установить 36 элементов.
В данном курсовомпроекте на разработанной печатной плате размером 70´47.5 размещено 36 элементов, чтосоответствует расчетам.
8.1. Расчет на вибропрочность
Расчет собственныхколебаний пластины, которая закреплена по четырем углам, произведем поформуле:
/> , где
а=70 мм – длина печатнойплаты,
b=47.5 мм – ширины печатной платы,
n=2 – число креплений по ширинепечатной платы,
m=2 – число креплений по длинепечатной платы,
/>
Расчет резонанснойчастоты пластины (рис.4) произведем по формуле:
/>, где
/>,
/> - жесткость пластины,
Е=30 гПа – модуль Юнга,
h=1.5 мм – толщина пластины,
/> — распределенная по площади масса,
/> - вес пластины,
g – ускорение свободного падения.
/>
/>
fr=1,57•(204,08+(1/(47,5•10-3)2•Ö9,1•0,26=6,015 (кГц).
Таким образом, врезультате расчета получили тоту собственных колебаний пластины f=144 Гц и резонансную частоту пластины fr=6,015 кГц.
9. Расчет надежностимультивибратора управления
разверткой
Основной характеристикойнадежности устройства является вероятность P(t) безотказной работы в течении времени t. Для определения P(t) удобно использовать формулу P(t)=exp (-lc×t),
где lc – интенсивность отказов.
/>
где li – интенсивность отказов каждогоэлемента;
N – число элементов.
Интенсивность отказовэлементов сведены в таблицу:
Наименование элемента Кол-во элементовИнтенсивность отказов, />
Резистор МЛТ-0,25 10 0,00073 Конденсатор КМ-5а 4 0,0003 Диоды Д220 1 0,0007 2Д503Б 1 0,0007 3И306Р 1 0,0006 Транзисторы 2Т301Е 1 0,00051 1Т311А 1 0,00055 1Т308А 1 0,00055/>/>/>
Среднее время наработки на отказсоставит
/>
При t=[0,T] вероятность безотказной работы печатного узла:
P(t)=exp(-lc•T)=exp(-0,0121•82,64)=0,3679.
/>
/>
Таким образом, врезультате расчета получили частоту собственных колебаний пластины f=144 Гц и резонансную частотупластины fгр=6.015 кГц.
10. Расчет теплового режима
Комплекс мероприятий, направленный на снижениетемпературы, связан с дополнительными материальными затратами, поэтому впроцессе разработки РЭА необходимо уделять внимание экономически обоснованномурешению конструкции при приемлемом перепаде температур.
В конструкциях РЭА принормальных климатических условиях и естественном охлаждении около 70% теплаотводится за счет конвекции, приблизительно 20% — за счет излучения и 10% — засчет теплопроводности.
Тепловую нагрузку считаютмалой если она <0,05 Вт/см2и большой если >0,05 Вт/см2.
Для данной платы мощностьрассеиваемая на элементах равна:
SP=0,25•11+ 3•0,15=3,2 Вт,
тогда Pуд равно
Pуд=3,2/3,325•10-3=0,96 Вт/м2=0,96•10-3Вт/см2.
Вычисленная мощность намного меньше 0,05 Вт/см2, поэтому платуможно помещать в герметичную или пылезащищенную конструкцию.
Заключение
В результате данногокурсового проекта разработаны структурная и принципиальная схемымультивибратора управления разверткой осциллографа С1-67. Был проведенэлектрический расчет электронной схемы, в результате которого определены номиналырезисторов и конденсаторов, а также выбраны активные элементы – транзисторы идиоды.
Также была проведенакомпоновка печатного узла мультивибратора управления разверткой, рассчитаночисло посадочных мест на плате. Были определенны частота собственных колебанийпластины и резонансная частота пластины.
Для наглядности расчетовв работе приведены рисунки и чертежы – электрическая принципиальная схема,печатная плата и сборочный чертеж мультивибратора управления разверткойосциллографа С1-67.
Список использованной литературы1. Воробьев Н.И. Проектированиеэлектронных устройств.- М.: Высшая школа, 1989.
2. Усатенко С.Т., Каченюк Т.К. ТереховаМ.В. Выполнение электрических схем по ЕСКД. – М.: Изд. Стандартов, 1989.
3. Полупроводниковые приборы: Диоды,тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник/Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.:Энергоиздат, 1982.
4. Полупроводниковые приборы:Транзисторы: Справочник/Под ред. Н.Н. Горюнова .-М.: Энергоиздат, 1985.
5. Гурлев.Д.С. Справочник поэлектронным приборам .- К.: Техника, 1979.
6. Резисторы: Справочник/Под ред. И.И.Чертверткова. –М.: Энергоиздат, 1981.
7. Справочник по электрическим конденсаторам/Подред. И.И. Чертверткова, В.Ф. Смирнова.-М.: Радио и связь, 1983.
8. Разработка и оформлениеконструкторской документации РЭА. Справочник/Под ред. Романычевой Э.Т. –М.:Радио и связь, 1989.
9. Расчет электронных схем/Под ред. Г.И.Изъюровой, Г.В. Королева, В.А. Терекова. –М.: Высшая школа, 1987.
10. Гусев В.Г.,Гусев В.М. Электроника. –М.: Высшая школа, 1991.
11. Справочникконструктора РЭА: Общие принципы конструирования/Под ред. Р.Г. Варламова.–М.: Сов.Радио 1980. –480с., ил.
12. Гелль П.П.,Иванов-Есипович Н.К. Конструирование и микроминиатюризация радиоэлектроннойаппаратуры: Учебник для вузов. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. Отд-ние.1984.-536 с., ил.