Реферат: Проектирование передатчика

Введение

 

Наряду стакими традиционными направлениями, как радиовещательный прием, запись ивоспроизведение звука, телевидение, любители все более широко работают надприменением методов радиоэлектроники в различных областях народного хозяйства,медицины и науки. Ряды радиолюбителей непрерывно пополняются людьми, которыеявляются специалистами в этих областях и стремятся освоить и практическииспользовать в своей работе достижения современной радиоэлектроники. Для этихлюбителей особый интерес представляют такие отрасли радиоэлектроники, какимпульсная техника, измерение неэлектрических величин, автоматическоерегулирование, техника счетно-решающих устройств, техника сверхвысоких частот идр.

В условияхбыстрого развития современной радиоэлектроники для успешной творческой работырадиолюбителей необходимы широкий технический кругозор, глубокое пониманиефизических принципов действия различных радиотехнических устройств и знакомствосо способами их расчета.


1 Выбор и обоснование структурной схемы приемника1.1 Обоснование выбора гетеродинной схемы приемникас разделенными каналами изображения и звука

В настоящее время существуют следующие типы гетеродинных ТВприемников

– С совмещенными каналами звука и изображения

– С раздельными каналами звука и изображения

Достоинствами супергетеродинных схем приемника по сравнению сдругими являются:

– Высокая чувствительность, так как основное усиление осуществляетсяна более низкой промежуточной частоте, что позволяет обеспечить устойчивоебольшее усиление.

– Лучше избирательность, так как результирующая АЧХ радиотрактаприемника определяется в основном АЧХ тракта промежуточной частоты. Этот трактне перестраивается, поэтому в нем можно использовать сложные резонансные цепи сАЧХ близкой к идеальной.

– Постоянство параметров радиотракта, так как они в основномопределяются показателями тракта промежуточной частоты настроенной напостоянную промежуточную частоты.

К недостаткам схемы можно отнести: сложность схемы, наличиедополнительных каналов приема (побочные каналы приема). Недостатки такого типанесущественны при современном состоянии радиоприемной техники ирадиотехнической промышленности. Благодаря большим преимуществамсупергетеродинные схемы в настоящее время получили наиболее широкое применениев радиоприемных устройствах.

Согласно ТЗразделение / совмещение каналов изображения и звука не задано. Поэтому дляупрощения схемы и для уменьшения массагабаритов конечного изделия выбираемсхему ТВ приемника с раздельными каналами изображения и звука.

1.2 Эскизный расчет высокочастотной части приемника

Расчет сквозной полосы пропускания приемника

/>

где /> – ширина спектрасигнала

/>

Расширение рабочего диапазона частот приемника

/>

где /> – максимальнаячастота диапазона

/> – минимальнаячастота диапазона

/>

При дальнейших расчетах будем использовать расширенный диапазон />.

1.2.1  Выбор транзисторов для высокочастотной части приемника

Транзисторы для высокочастотной части приемника выбираем исходя изусловий:

/>


где /> — граничнаячастота коэффициента передачи транзистора

/> – постоянноенапряжение коллектор – эмиттер

/> — напряжениеисточника питания

/>

В соответствии с этими условиями выбираем транзистор КТ327A. Основные параметры взяты из [6,9] иприведены в приложении А

1.2.2  Расчет параметров транзисторов на максимальной частоте /> [8]

Сопротивление базы rб рассчитываем по формуле

/>

где τК – постоянная времени цепи обратной связи

СК – емкость коллектора

/>

Сопротивление эмиттера rэ рассчитываем по формуле

/>

где Iэ = 5.5 мА – ток эмиттера

/>

Входное сопротивление транзистора (в схеме ОБ) /> рассчитываем по формуле


/>

где/> = 13 –статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

/>

Вспомогательные коэффициенты рассчитываем по формулам

/>; />

Активную составляющую полной входной проводимости g11э рассчитываем по формуле

/>

Выходную проводимость /> рассчитываемпо формуле

/>

где /> – определяем повыходным характеристикам транзистора

/>

Выходную проводимость /> рассчитываемпо формуле

/>

Активную составляющую полной выходной проводимости g22э рассчитываем по формуле

/>

Полную проводимость прямой передачи /> рассчитываемпо формуле

/>

Модуль полной проводимости прямой передачи /> рассчитываем по формуле

/>

Входную емкость /> рассчитываемпо формуле


/>

Выходную емкость /> рассчитываемпо формуле

/>

1.2.3  Расчет параметров транзисторов на промежуточной частоте /> [8]

Вспомогательные коэффициенты рассчитываем по формулам

/>; />

Активную составляющую полной входной проводимости />рассчитываем по формуле

/>

Активную составляющую полной выходной проводимости /> рассчитываем поформуле


/>

Полную проводимость прямой передачи Y21э рассчитываем по формуле

/>

Рассчитываем модуль полной проводимости прямой передачи |Y21э|<sub/>по формуле

/>

Входную емкость С11э рассчитываем по формуле

/>

Выходную емкость С22э рассчитываем по формуле

/>


1.2.4 Расчетпараметров транзисторов в режиме преобразования [8]

Активную составляющую полной входной проводимости /> рассчитываем поформуле

/>

Активную составляющую полной выходной проводимости /> рассчитываем поформуле

/>

Модуль полной проводимости прямой передачи />рассчитываем по формуле

/>

Входную емкость /> рассчитываемпо формуле

/>

Выходную емкость /> рассчитываемпо формуле

/>

1.2.5 Расчетчисла контуров преселектора

Величину ослабления зеркального канала рассчитываем по формуле

/>


где /> – максимальнаячастота расширенного диапазона

/> – промежуточнаячастота

/> – эквивалентнаядобротность нагруженных контуров преселектора

/> – числоконтуров преселектора

В диапазоне УКВ согласно [3] принимаем />,/>

Находим величину ослабления зеркального канала /> при n = 1

/>

/>

Так как полученное ослабление зеркального канала (/>) меньше требуемого (/>), то выбираем двухконтурнуювходную цепь. При двухконтурной входной цепи />.

Определяем необходимость применения УРЧ по формуле

/>

где N – коэффициент шума

Еа = 20 мкВ – требуемая чувствительность

κ = 1.38/>10-23Дж/К – постоянная Больцмана

Т0 = 290 К – стандартная температура

Пш = 1.1·П – эффективная шумовая полоса

Rа = 75 Ом –активное сопротивление антенны

γ = 40 Дб (100 раз) – минимально-допустимое отношениесигнал/шум

/>

Так как заданное ослабление зеркального канала обеспечивает двухконтурнаявходная цепь, но не выполняется условие N ≥ 200, то согласно [3] применяемУРЧ.

Ослабление на частоте равной промежуточной рассчитываем по формуле

/>

где n = 1 – число контуров преселектора

f – крайняячастота диапазона, наиболее близкая к промежуточной

Берем />

/>

/>

Так как полученное ослабление на промежуточной частоте (/>) что больше требуемого (/>), то необходимаяизбирательность по промежуточному каналу будет обеспечиваться контуром входнойцепи.

1.2.6 Выбори обоснование схемы преобразователя частоты

Транзисторныепреобразователи бывают двух типов:

- преобразователичастоты с отдельным гетеродином;

- преобразователичастоты с совмещенным гетеродином;

Выбираемтранзисторный преобразователь частоты с отдельным гетеродином, егодостоинствами являются: простота настройки, независимость режимов работы транзисторовв гетеродине и смесителе и более устойчивая работа на высоких частотах вдиапазоне УКВ.

Выборустройств управления настройкой приемника

Определяемкоэффициент перекрытия диапазона по формуле

/>

Дляперестройки контуров входной цепи и гетеродина применяем конденсатор переменнойемкости КПЧ – 3Б двух секционный с общим ротором, предназначенный дляприменения в схемах перестройки УКВ блоков радиовещательных и ТВ приемников.Минимальная емкость конденсатора Сmin= 4пФ, максимальнаяемкость конденсатора Cmax= 20пФ.

Кдостоинствам схем с применением конденсаторов переменной емкости является:

-простота применения

-сравнительно высокая стабильность параметров варикапа

-большой реализуемый коэффициент перекрытия емкости.

Эквивалентнуюемкость контура Скэ рассчитываем по формуле

/>

где Сmax – максимальная емкость

Сmin – минимальная емкость

/>

Емкость схемыконтура /> рассчитываем по формуле

/>

где См– емкость монтажа

СL – собственная емкостькатушки контура

Свн– емкость, вносимая в контур транзистором

Согласнотаблице 4.6 [2] берем См = 5.5 пФ, СL = 2.5 пФ, Свн= 0.

/>

Дополнительнуюемкость />, которую необходимовключить в контур, рассчитываем по формуле

/>

Так каквыполняется условие /> ≥0, то согласно [2], емкость выбрана правильно.

Максимальную и минимальную эквивалентные емкости контура Сэмах,Сэмin рассчитываем по формулам

/>

1.2.7 Выборизбирательной системы тракта промежуточной частоты

Исходя из заданного значения коэффициента прямоугольности фильтрапромежуточной частоты КП 0,01=2.5 по таблице 6.1 согласно [4]выбираем УПЧ с двухконтурными каскадами при критической связи β=1:

m=5 – числоизбирательных систем

Ψ=1.14 – отношение полосы пропускания отдельного резонансногоконтура к полосе пропускания УПЧ с числом избирательных систем равным пяти.


1.2.8 Выборсхемы УРЧ

В качествеУРЧ выбираем однотранзисторную схему с общим эмиттером. Данная схема позволяетполучить максимальное усиление номинальной мощности при малом уровнесобственных шумов.

1.2.9 Выборсхемы ограничителя амплитуды и частотного детектора

Амплитудныеизменения ЧМ сигнала обуславливаются влиянием различного вида помех ивнутренними шумами радиоэлектронных приборов. Для устранения этих паразитныхамплитудных изменений в приемниках ЧМ сигнала применяют АО.

Для ограничения амплитуды и детектирования сигнала, а такжепредварительного усиления низкочастотного сигнала используем интегральнуюмикросхему К174УР1. Микросхема представляет собой усилитель-ограничитель счастотным детектором и предварительный усилитель низкой частоты.

Определениенеобходимости применения АРУ.

По заданиюэффективность АРУ должна обеспечивать изменение выходного напряжения не болеечем: /> (1.41 раза), при изменениивходного напряжения /> (316.2 раз).

Используемыйв микросхеме К174УР1 АО обеспечивает подавление АМ на 56 дБ (630.9 раз).

Рассчитываемизменение выходного напряжения по формуле

/>


где /> – изменение выходногонапряжения (в разах)

/> – заданное изменение входного напряжения(в разах)

/> – коэффициент подавленияАМ амплитудного ограничителя (в разах)

/>

ДополнительнуюАРУ не применяем, так как амплитудный ограничитель обеспечивает изменениевыходного напряжения не хуже заданного.

1.2.10 Определениенеобходимого коэффициента усиления от входа до амплитудного ограничителя [8]

При приеме навнешнюю антенну необходимый коэффициент усиления КН рассчитываем поформуле

/>

где UАО – амплитуда напряженияна входе АО

ЕА– чувствительность приемника

Согласнорисунку Б.3.а принимаем UАО = 5 мВ.

/>

Необходимыйкоэффициент усиления с учетом разброса параметров транзисторов рассчитываем поформуле

/>


Необходимыйкоэффициент усиления берем равным />

Определениеустойчивого коэффициент усиления каскадов

Устойчивыйкоэффициент усиления преобразователя рассчитываем по формуле

/>

/>

Устойчивыйкоэффициент усиления УПЧ рассчитываем по формуле

/>

где Y21э – полная проводимостьпрямой передачи транзистора УПЧ

Ск– емкость коллектора

/>

Определениечисла каскадов линейной части приемника [8,4]

Коэффициентусиления тракта высокой частоты КВЧ с преобразователем, нагруженнымна УПЧ, рассчитываем по формуле

/>

где КВХ.Ц– коэффициент передачи входной цепи

Кпр– коэффициент усиления преобразователя

КУРЧ– коэффициент усиления УРЧ.

Согласно [2]и рассчитанного Куст.пр принимаем:

КВХ.Ц= 2; КУРЧ = 5; КПР = 2

/>

Коэффициентусиления двухконтурного каскада настроенного на промежуточную частотурассчитываем по формуле

/>

где:   fПР – промежуточная частота

β –параметр связи контура

/> – модуль полнойпроводимости прямой передачи

m2 – коэффициент включенияконтура в цепь базы

СЭ– эквивалентная емкость контура

dЭ – эквивалентноезатухание контура

Коэффициентвключения контура в цепь базы рассчитывается по формуле

/>

Эквивалентнаяемкость контура рассчитывается по формуле

/>

Рассчитываемкоэффициент усиления двухконтурного каскада:

/>


где:   П –сквозная полоса пропускания приемника

Ψ –отношение полосы пропускания отдельного резонансного контура к полосепропускания УПЧ с числом избирательных систем равным пяти

/>; />

/>

/>

Исходя израссчитанных коэффициентов усиления для отдельных каскада приемника рассчитаеможидаемый коэффициент усиления линейной части приемника К0поформуле

/>

Так каксоблюдается условие К0≥ К’н, то выбор каскадоввысокочастотной части приемника считаем законченным.

1.2.11 Структурнаясхема приемника

/>

Рисунок 1.1 –Структурная схема приемника


2. Выбор и обоснованиеструктурной схемы приемника

 

2.1 Выбор иобоснование схемы входной цепи приемника

 

В диапазоне УКВ для ТВ приемников в качестве антенны чаще всегоприменяют пару несимметричных телескопических штырей. Выбираем двухконтурнуювходную цепь с внешнеемкостной связью с антенной. Входная цепь с такой связьюхарактеризуется большим коэффициентом передачи по напряжению и высокойизбирательностью, и с другой стороны большой неравномерностью коэффициентапередачи в диапазоне частот. Так как коэффициент перекрытия диапазона небольшой(Кпд =1.089), то внешнеемкостная связь с антенной является наиболееоптимальной для получения большого коэффициента передачи.

Для уменьшения неравномерности коэффициента передачи в диапазонечастот, связь с транзистором преобразователя выбираем внутриемкостную.

 

2.2 Выбор иобоснование схемы УРЧ

 

В качествеУРЧ выбираем однотранзисторную схему с общим эмиттером. Данная схема позволяетполучить максимальное усиление номинальной мощности при малом уровнесобственных шумов.

 

2.3 Выбор иобоснование схемы преобразователя частоты

В ТВ приемниках в УКВ – диапазоне рационально использоватьтранзисторные преобразователи частоты. Для уменьшения взаимной связи междуцепями гетеродина и сигнала, а также обеспечения более высокой стабильностинапряжение сигнала подаем на базу транзистора (смесителя), а напряжениегетеродина – на эмиттер. В качестве нагрузки смесителя используем двухконтурнуюизбирательную систему, которая включена в цепь коллектора транзисторасмесителя.

2.4 Выбор иобоснование схемы ограничителя амплитуды и детектора

В качестве амплитудного ограничителя и детектора сигналаиспользуем ИМС К174УР1. Микросхема предназначена для использования втелевизионных супергетеродинных приемниках. Типовая схема включения ИМСК174УР1, структурная схема и ее параметры приведены в приложении Б.

2.5 Выбор иобоснование схемы тракта УНЧ

Предварительный УНЧ включен в состав ИМС К174УР1. В виду того, чтовыходная мощность приемника не задана (может быть любой) зададимся мощностью навыходе равной пятнадцати ваттам PВЫХ НЧ = 15 Вт на нагрузку 4Ом. В качестве оконечного усилителя мощности низкой частоты применяем ИМСК174УН11. типовая схема включения ИМС К174УН11 и ее параметры приведены вприложении Б.


3. Расчет схемыэлектрической принципиальной3.1 Расчетвходной цепи

Максимальнодопустимую добротность контура QП рассчитываем по формуле

/>

где />= 3 дБ – ослабление накраях полосы пропускания (в разах)

/>

Необходимуюдобротность контура Qи рассчитываем по формуле

/>

Согласнотаблице 5.3 [2] принимаем возможную конструктивную добротность контура Qк=100

Так, как Qи=225 ≤ Qк=250 ≤ Qп=1146, принимаемэквивалентную добротность контура на максимальной частоте />, равной Qэ max = 230

Эквивалентнуюдобротность контура на минимальной частоте />,(Qэ min) рассчитываем по формуле


/>

При эскизномрасчете были определены />, />, />, />, />.

Индуктивностькатушки контура L1 рассчитываем по формуле

/>

Емкостьподстроечного конденсатора С4 выбирается из условия

/>

Выбираемподстроечный конденсатор С4 типа КТ4–23–12/80 пФ±10%

Характеристическоесопротивление контура на максимальной частоте />,рассчитываем по формуле

/>

Коэффициентвключения транзистора преобразователя m2 рассчитываем по формуле

/>

где /> – входное сопротивлениетранзистора VT1

/>

/>

Емкостьконденсатора связи C5 с транзистором VT1 рассчитываем по формуле

/>

где С11пр– входная емкость транзистора VT2

/>

Выбираемконденсатор С5 типа К10–7в-М47–1600 пФ±10%

Согласно [8]выбираем емкость антенны СА = 15 пФ, согласно [2] выбираем емкостьконденсатора связи с антенной С3 = 15 пФ.

Выбираемконденсатор С3 типа К10–7в-М47–15 пФ±10%

Емкостьвносимую антенной САвн рассчитываем по формуле

/>

Эквивалентныеемкости контура с учетом влияния емкости антенны рассчитываем по формулам

- дляначала диапазона />

/>

- длясередины диапазона />


/>

/>

- дляконца диапазона />

/>

Коэффициентыпередачи напряжения рассчитываем по формулам

- дляначала диапазона />

/>

- длясередины диапазона />

/>

- дляконца диапазона />


/>

Так какрассчитанные значения коэффициентов передачи напряжения во всем диапазонебольше значения взятого в эскизном то расчет первого контура входной цеписчитаем законченным.

Расчет коэффициентоввключения контура автотрансформатора.

Расчет коэффициентаD

/>

Расчеткоэффициентавключения />

/>

Расчеткоэффициентавключения />

/>

Проверкаусловия К0≤ КУСТ


/>

Так какусловие К0≤ КУСТ выполняется, то расчет второгоконтура считаем завершенным.

3.2 РасчетУРЧ

Используемтранзистор типа КТ372А;

Iк0=1 мкА – обратный токколлектора;

Iк=10 мА – ток коллектора;

Епит=15В-напряжение источника питания;

Uкэ=6 В-напряжениеколлектор-эмиттер в рабочем режиме;

Tmax=273+50=323 K – максимальная рабочаятемпература;

Tmin=273–40=213 K – минимальная рабочаятемпература;

T0=273+20=293 K – средняя рабочаятемпература.

Изменениеобратного тока коллектора ΔIк0 рассчитываем по формуле

/>

Тепловоесмещение напряжения базы ΔUБ рассчитываем по формуле

/>

где φ =1.8 мВ/К

/>

Допустимуюнестабильность тока коллектора ΔIк рассчитываем по формуле

/>

Сопротивлениерезистора R10рассчитываем по формуле

/>

Выбираемзначение резистора R10 равное 56 Ом.

Мощностьрассеиваемую на резисторе R10 рассчитываем по формуле

/>

Выбираемрезистор R10типа С2–23–0.125–56 Ом ± 10%.

Сопротивлениерезистора R9рассчитываем по формуле

/>

Выбираемближайшее номинальное значение резистора R9 равное 910 Ом.

Мощностьрассеиваемую на резисторе R9 рассчитываем по формуле


/>

Выбираемрезистор R9типа С2–23–0.125–910 Ом ± 10%.

Сопротивлениерезистора R6рассчитываем по формуле

/>

Выбираем ближайшееноминальное значение резистора R6 равное 1.6 кОм.

Сопротивлениерезистора R7рассчитываем по формуле

/>

Выбираемближайшее номинальное значение резистора R7 равное 62 Ом.

Выбираемрезистор R6типа С2–23–0.125–1.6 кОм ± 10%

резистор R7 типа С2–23–0.125–62 Ом± 10%.

Емкостьразделительного конденсатора С10 рассчитываем по формуле

/>

где fminсп = f 'min – />П – нижняя частота спектра

R11 пр=/> – входное сопротивлениетранзистора в режиме преобразования

Емкостьразделительного конденсатора С10 рассчитываем по формуле


/>

Выбираем конденсаторС10 типа К10–7в-М47–120 пФ±10%.

Коэффициентвключения контура в цепь коллектора транзистора VT3 m1 и в цепь базы VT4 m2 рассчитываем по формуле

/>

/>

Индуктивностьконтура рассчитываем по формуле

/>

Емкостьконтура рассчитываем по формуле

/>

3.3 Расчетэлементов фильтра питания

Расчет элементов фильтра питания производим по формулам

/>


/>

Выбираем резисторы /> типаС2–23–0.125–910 Ом± 10%

Конденсатор /> выбираемК10–7в-М47–62 пФ±10%.

3.4 Расчетпреобразователя частоты

Сопротивлениерезистора R22рассчитываем по формуле

/>

Выбираемзначение резистора R22 равное 56 Ом.

Мощностьрассеиваемую на резисторе R22 рассчитываем по формуле

/>

Выбираем резисторR22 типа С2–23–0.125–56 Ом± 10%.

Сопротивлениерезистора R21рассчитываем по формуле

/>


Выбираемближайшее номинальное значение резистора R21 равное 910 Ом.

Мощностьрассеиваемую на резисторе R21 рассчитываем по формуле

/>

Выбираемрезистор R9типа С2–23–0.125–910 Ом ± 10%.

Сопротивлениерезистора R19рассчитываем по формуле

/>

Выбираемближайшее номинальное значение резистора R19 равное 2.8 кОм.

Сопротивлениерезистора R20рассчитываем по формуле

/>

Выбираемближайшее номинальное значение резистора R20 равное 110 Ом.

Выбираемрезистор R19типа С2–23–0.125–2.8 кОм ± 10%

резистор R20 типа С2–23–0.125–62 Ом± 10%.

Емкость разделительногоконденсатора С25 рассчитываем по формуле

/>


где fminсп = f 'min – />П – нижняя частота спектра

R11 пр=/> – входное сопротивлениетранзистора в режиме преобразования

/>

Выбираем конденсаторС25 типа К10–7в-М47–120 пФ±10%.

Емкостьконтура рассчитываем по формуле

/>

Коэффициентвключения контура в цепь коллектора транзистора VT3 m1 и в цепь базы VT4 m2 рассчитываем по формуле

/>

/>

3.5 Расчетгетеродина

Так каккоэффициент перекрытия диапазона маленький (Кпд =1.089), тосопряжение контуров входной цепи и гетеродина производим на средней частотедиапазона

/>


Среднюючастоту контура гетеродина fг ср рассчитываем по формуле

/>

Все емкостиконтура остаются как в контуре входной цепи: С2 – КПЧ‑3Б-Сmin=4 пФ, Смах=20пФ,Сд=36 пФ.

Среднююэквивалентную емкость контура гетеродина рассчитываем по формуле

/>

Индуктивностьконтура гетеродина L2 рассчитываем по формуле

/>

Для расчетаэлементов гетеродина задаемся критическим режимом работы и принимаем:

транзисторКТ372А;

ξ = 0.85– коэффициент использования по напряжению;

Θэ= 850– угол отсечки эмиттерного тока;

α0= 0.3, α1 = 0.48 – коэффициенты Берга;

Uкэ0 = 6 В, Iэ = 4 мА.

Амплитудуимпульса тока эмиттера рассчитываем по формуле

/>


Амплитудунапряжения возбуждения на базе рассчитываем по формуле

/>

/>

/>

/>

Напряжениесмещения рассчитываем по формуле

/>

Напряжение наконтуре рассчитываем по формуле

/>

Коэффициентсвязи рассчитываем по формуле

/>

Расчетиндуктивности связи L3 производим по формуле


/>

где M=0.2 – взаимнаяиндуктивность

kСВ=0.1 – коэффициент связи

/>

Коэффициентвключения коллектора гетеродина в контур рассчитываем по формуле

/>

Коэффициентвключения нагрузки в контур гетеродина рассчитываем по формуле

/>

/>

Расчетразделительных конденсаторов С6, С34

/>

Конденсатор С6выбираем равным конденсатору С34 К10–7в-М47–270 пФ±10%.

Ток базырассчитываем по формуле


/>

Расчетсопротивления автосмещения R4 производим по формуле

/>

Выбираемрезистор R4типа С2–23–0.125–1.4 кОм ± 10%

КонденсаторС8 выбираем К10–7в-М47–270 пФ±10%.

3.6 РасчетЭлементов УРЧ

/>

Выбираем резистор /> типаС2–23–0.125–56 Ом ± 10%.

/>

Выбираем резистор /> типаС2–23–0.125–820 Ом ± 10%.

/>

Выбираем резистор /> типаС2–23–0.125–1.8 кОм ± 10%.

/>

Выбираем резистор /> типаС2–23–0.125–68 Ом ± 10%.

/>

Конденсатор C13, С17, С19, С22, С25, С27 выбираем К10–7в-М47–6.8 нФ±10%.

3.7 Расчетцепи контроля питания

В качестве элемента позволяющего визуально контролировать наличиепитающего напряжения, а также контролировать включение питания радиоприемногоустройства выбираем диод светоизлучающий АЛ307А с параметрами: UПИТ=2.5 В, IД=10 мА

Исходя из этих параметров рассчитываем ограничительноесопротивление по формуле

/>

Выбираем резистор R41 типа С2–23–0.125–1.3 кОм ± 10%.


Перечень принятых сокращений

 

АРУ – Автоматическая регулировка усиления

УПЧ – Усилитель промежуточной частоты

УРЧ – Усилитель радиочастоты

УНЧ – Усилитель низкой частоты

АО – Амплитудный ограничитель

ОУ – Оконечное устройство

УКВ – ультракороткие волны

ЧМ – частотная модуляция

АМ – амплитудная модуляция

ИМС – интегральная микросхема


Список использованной литературы

1 Богданович Б.М., Окулич Н.И. «Радиоприемныеустройства: Учебное пособие для ВУЗов», Под общей редакцией Богдановича Б.М.– Мн.: Высш. шк., 1991 – 428 с.

2 Екимов «Расчет и конструирование транзисторных радиоприемников».М., «Связь», 1972.

3 Радиоприемные устройства: Методические указания по курсовомупроектированию. – Л.: СЗПИ, 1988.

4 «Проектированиерадиоприемных устройств: Учебное пособие для вузов». Под ред. А.П. Сиверса.М., «Сов. радио», 1976.

5 Булычев А.Л., Галкин В.И., Прохоренко В.А., «Аналоговыеинтегральные схемы: Справочник» – 2-е изд., переработанное и дополненное – Мн: «Беларусь»,1993 – 382 с.

6 «Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник». Подред. Б.Л. Перельмана – М.: Радио и связь, 1981.

7 «Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, диодыимпульсные, оптоэлектронные приборы: Справочник». Под ред. А.В. Голомедова.– М.: Радио и связь, 1988 – 592 с.

8 Баркан В.Ф., Жданов В.К. «Радиоприемные устройства:Учебник для техникумов» – 5-е изд. перераб. и доп. – М., «Сов. радио», 1978 –464 с.

9 Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежныеаналоги: Справочник. Т. 2.–М.: КубК-а, 1997 – 640 с.: ил.


Приложение А

(справочное)

Основные электрические параметры транзистора КТ372А

граничная частота коэффициента передачи транзистора fT ≥ 2400 ГГц;

граничное напряжение коллектор – эмиттер UКЭ = 15 В;

статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ h21Э = (13);

емкость коллектора СК ≤ 0.65 пФ;

емкость эмиттера Сэ ≤ 1.2 пФ;

обратный ток коллектора Iк0 = 10 мкА;

постоянная времени цепи обратной связи τК ≤7.5 пс;

постоянный ток эмиттера IЭ ≤ 10 мА.

/>

Рисунок А.1. Входная и выходная ВАХ транзистора


Приложение Б

(справочное)

Типовые схемы включения используемых ИМС и их параметры

Б. 1 Функциональная схема ИМС К174УР3

/>

1 – Амплитудный ограничитель;

2 – Частотный детектор;

3 – Предварительный УНЧ.

Б.2 Типовая схема включения ИМС К174УР3 и ее параметры


/>

Назначение выводов: 1, 3, 12 – напряжения питания (-Uп); 2 – второй входамплитудного ограничителя; 5 – управление коэффициентом передачи; 6 – выходамплитудного ограничителя; 7, 9 – к опорному контуру; 8 – выход ЗЧ; 10 – выходамплитудного ограничителя; 11 – питание (+Uп); 13 – блокировкавыхода; 4, 14 – 1‑ый вход амплитудного ограничителя.

Электрические параметры

Номинальное напряжениепитания……………………………… 15 В ± 5%

Ток потребления…………………………………………………≤22 мА

Коэффициент подавленияамплитудной модуляции…………………….≥ 56 дБ

Коэффициент гармоник при Uп = 6 В, UBX= 0.5 мВ……………………..≤2%

Выходное сопротивление………………………………………………≥1.5 кОм

Управляющий ток по выводу7…………………………………….0.05 ÷ 1 мА

Выходное напряжение НЧпри Uвх = 0.5 В…………………………≥ 100 мВ

Предельно допустимыережимы эксплуатации

Напряжениепитания……………………………………………………5 ÷ 18 В

Амплитуда входного сигнала……………………………………≤300 мВ


/>

Рисунок Б. 3 – Зависимость коэффициента подавления АМ отвходного напряжения

Типовая схема включения ИМС К174УН11 и ее параметры

/>

Рисунок Б.4 – Типовая схема включения ИМС К174УН11

Назначение выводов: 1 – напряжение питания (+Uп); 3, 12 – Вывод заданиярежима; – выход; 5 – напряжение питания (-UП); 8 – обратная связь; 7– вход; 9, 10 – коррекция выхода.

Электрические параметры

Номинальноенапряжение………………………………………….…15 В ± 10%

Максимальная амплитудавходного напряжения…………………..    ≤ 10 В

Ток потребления при UП=12 В……………………………………….≤100 мА

Выходная мощность при Rн = 4 Ом, UП=15 В……………………15 Вт

Коэффициент гармоник приРвых = 15 Вт, fВХ = 1 кГц…………≤ 1%

Диапазон рабочихчастот…………………………………………30 ÷ 20–103 Гц

Входное сопротивление при UП=12 В, fВХ = 1 кГц …………………≥ 10кОм

еще рефераты
Еще работы по коммуникациям и связям