Реферат: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
АннотацияВ данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода
2. Паспортные параметры:
2.1. Электрические
2.2. Предельные эксплуатационные
3. Вольт-амперная характеристика
3.1. При комнатной температуре
3.2. При повышенной
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С
5. Определение величины TKUпрям TKIобр
6. Определение сопротивления базы rб
6.1. Приближенное
6.2. Точное
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
8. Библиографический список
9. Затраты времени на:
9.1. Информационный поиск
9.2. Расчеты
9.3. Оформление
Краткая характеристика диода
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
КД213А1
Рисунок 1
Паспортные параметры:
Электрические
Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Предельные эксплуатационные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)? 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи? 10мс, Q?1000………………...…………100А
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи? 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Библиографический список
1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.
3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.
Затраты времени на:
a) Информационный поиск-72 часf
b) Расчеты-1час (67 мин.)
c) Оформление- 6 часов (357мин.)
еще рефераты
Еще работы по радиоэлектронике
Реферат по радиоэлектронике
Расчет характеристик канала вывода СИ (синхротронного излучения
10 Августа 2005
Реферат по радиоэлектронике
Расчет усилителя на транзисторе
10 Августа 2005
Реферат по радиоэлектронике
Расчет системы управления электроприводами
25 Июня 2015
Реферат по радиоэлектронике
Расчет различных электрических цепей
25 Июня 2015