Реферат: Электроника

п/пприборы

п/п-материал, удельная проводимостькоторого сильно зависит от внешних факторов –кол-ва примесей, температуры,внешнего эл.поля, излучения, свет, деформация

Достоинства:выс. надежность, большойсрок службы, экономичность, дешевизна.

Недостатки: зависимость от температуры,чувствительность к ионизирован излучению.

Основы зонной теории проводимости

Согласно квантовой теории строения вещества энергияэлектрона может принимать только дискретные значения энергии. Он движетсястрого по опред орбите вокруг ядра.

Не в возбужденном состоянии при Т=0К, электроны движутсяпо ближаишей к ядру орбите. В твердом теле атомы ближе друг к другу<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">Þ

электронное облако перекрывается<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol; mso-symbol-font-family:Symbol">Þ смещение энергетических уровней<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">Þобразуются целые зоны уровней.

<img src="/cache/referats/3816/image001.gif" v:shapes="_x0000_s1047 _x0000_s1032 _x0000_s1033 _x0000_s1043 _x0000_s1044 _x0000_s1045">


     Е

  Разрешенная

  Запрещенная зона

                                                                                d

1)Разрешенная зона кт при Т=0К заполненная электронами наз– заполненной.

2)верхняя заполненная зона наз – валентной.

3)разрешенная зона при Т=0К где нет электронов наз –свободной.

4)свободная зона где могут находиться возмущенныеэлектроны наз зоной эквивалентности.

Проводимость зависит от ширины запрещенной зоны междувалентной зоной и зоной проводимости.

               <span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Webdings">ê

Е=Епр-Ев

Ширина запрещенной зоны в пределах  0,1~3,0 эВ (электрон вольт) характерна для п/п

<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings">ã

1 Проводник     2 П/П <span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type: symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">­

<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">¬

3 Диэлектрик

<span Lucida Console"">↕

<span Lucida Console""> <span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Webdings">êЕ>6еВ

<span Lucida Console"">↕

0,1~3 еВ <img src="/cache/referats/3816/image002.gif" v:shapes="_x0000_s1071 _x0000_s1067 _x0000_s1066 _x0000_s1048 _x0000_s1049 _x0000_s1050 _x0000_s1051 _x0000_s1052 _x0000_s1053 _x0000_s1055 _x0000_s1056 _x0000_s1057 _x0000_s1058 _x0000_s1061 _x0000_s1062 _x0000_s1063 _x0000_s1065 _x0000_s1068 _x0000_s1069 _x0000_s1070">

Наибольшее распространение имеют П/П

Кремний, Германий, Селен и др.

Рассмотрим кристалл «Ge»

<img src="/cache/referats/3816/image003.gif" v:shapes="_x0000_s1158 _x0000_s1123 _x0000_s1072 _x0000_s1073 _x0000_s1074 _x0000_s1075 _x0000_s1078 _x0000_s1076 _x0000_s1077 _x0000_s1079 _x0000_s1080 _x0000_s1081 _x0000_s1082 _x0000_s1083 _x0000_s1084 _x0000_s1085 _x0000_s1086 _x0000_s1087 _x0000_s1091 _x0000_s1089 _x0000_s1090 _x0000_s1113 _x0000_s1093 _x0000_s1094 _x0000_s1104 _x0000_s1105 _x0000_s1106 _x0000_s1107 _x0000_s1108 _x0000_s1109 _x0000_s1110 _x0000_s1111 _x0000_s1112 _x0000_s1114 _x0000_s1115 _x0000_s1116 _x0000_s1117 _x0000_s1118 _x0000_s1119 _x0000_s1120 _x0000_s1121 _x0000_s1122 _x0000_s1129 _x0000_s1134 _x0000_s1135 _x0000_s1136 _x0000_s1137 _x0000_s1138 _x0000_s1139 _x0000_s1140 _x0000_s1141 _x0000_s1142 _x0000_s1143 _x0000_s1144 _x0000_s1145 _x0000_s1146 _x0000_s1147 _x0000_s1148 _x0000_s1149 _x0000_s1150 _x0000_s1151 _x0000_s1152 _x0000_s1154 _x0000_s1155 _x0000_s1156 _x0000_s1157">

При Т>0Кэлектроны (заряд -q)отрываются образуют свободныезаряды <span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">Þ

на его месте образуется дырка(заряд+q)      это называется процессом термогенерации

Обратныйпроцесс наз – рекомбинацией

n – электроннаяпроводимость

p –дырочная проводимость

<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">t

— время жизни носителя заряда (е).

Вывод: таким образом nроводимость вчистом П/П обоснована свободными электронами или дырками.

     <span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol; mso-symbol-font-family:Symbol">d

=<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol; mso-symbol-font-family:Symbol">dn+<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">dp=q<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">mn<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">rn+q<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">mp<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">rp

где: <span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">r

-концентрация

        <span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">m

-подвижность=<span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type: symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">u/Е

Собственнаяпроводимость сильно зависит от  t<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">°

П/П приборы на основе собственной проводимости.

Зависимость собственной проводимости от внешних факторовшироко исполь-ся в целом ряде полезных П/П приборов.

1)Терморезисторы (R зависит от t<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">°

)

R

Т

<img src="/cache/referats/3816/image004.gif" v:shapes="_x0000_s1171 _x0000_s1168 _x0000_s1160 _x0000_s1161 _x0000_s1166 _x0000_s1167 _x0000_s1169 _x0000_s1170">

ТКС>0  у П/П

                             ТКС<0 у проводников

<img src="/cache/referats/3816/image005.gif" v:shapes="_x0000_s1173">


Применяют в устройствах авт-ки вкачестве измерительного преобразователя t<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">°

(датчики)

2)Варисторы (R зависит от внешнего эл.Поля)

<img src="/cache/referats/3816/image006.gif" v:shapes="_x0000_s1460 _x0000_s1174 _x0000_s1175 _x0000_s1176">


ВАХ                                              I=f(u)

                                                Прим-ют для защиты

                                                терристоров от

                                                перенапряжения

3)Фотосопротивление–R зависит от световогопотока

применяют в сигнализации, фотоаппаратуре

4)Тензорезисторы – R зависит от механич деформаций

F

<img src="/cache/referats/3816/image007.gif" v:shapes="_x0000_s1193 _x0000_s1187 _x0000_s1192 _x0000_s1177 _x0000_s1178 _x0000_s1179 _x0000_s1180 _x0000_s1181 _x0000_s1183 _x0000_s1184 _x0000_s1185 _x0000_s1186 _x0000_s1190 _x0000_s1191">сильфоны)

<span Times New Roman",«serif»;mso-fareast-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language: EN-US;mso-fareast-language:RU;mso-bidi-language:AR-SA">

Примеснаяпроводимость п/п.

Это проводимость обусловленнапримесями:

-внедрения

-замещения

Роль примесей могут играть нарушения кристалическойрешетки.

-Если внедритьв кристал Ge элемент Iгруппы сурьму Sb, тогда один из 5 валентных электроновSb   окажется свободным, тогда образуется эл. проводимость, а  примесь называется донорной.

-Если внедритьэлемент III группыиндийI тогда 1ковалентная связь останется останется свободной =>

Образуется легко перемещаемая дырка (дырочнаяпроводимость), примесь называют акцепторной.

Основным носителем заряда наз. Те кт в п/п >

П/п с дырочной проводимостью наз. п/п –p типа, а с электоронной проводимостью – n типа.

Движенияносителей заряда  т.е. ток обуславливается 2 причинами: 1) внешнее поле – ток наз. дрейфовым. 2)разнасть концентраций – ток наз. диффузионным.

В п/п имеется 4 составляющие тока:

i=(in)Д+(ip)Д+(in)Е+(ip)E

Д-диффузионный  Е-дрейфовый

Электрические переходы.

Называют граничный слой между 2-ми областями телафизические св-ва кт. различны.

Различают: p-n,p-p+, n-n+, м-п/п, q-м, q-п/п переходы прим. В п/пприборах (м-метал прим. в термопарах)

Электронно-дырочныйp-n переход.

Работа всех диодов, биполярных транзисторов основана на  p-n переходе

Рассмотрим слой  2хGe  с различными типами проводимости.

<img src="/cache/referats/3816/image008.gif" v:shapes="_x0000_s1363 _x0000_s1340 _x0000_s1204 _x0000_s1205 _x0000_s1206 _x0000_s1207 _x0000_s1208 _x0000_s1209 _x0000_s1210 _x0000_s1222 _x0000_s1215 _x0000_s1216 _x0000_s1221 _x0000_s1217 _x0000_s1220 _x0000_s1218 _x0000_s1219 _x0000_s1223 _x0000_s1224 _x0000_s1225 _x0000_s1226 _x0000_s1227 _x0000_s1228 _x0000_s1229 _x0000_s1230 _x0000_s1231 _x0000_s1232 _x0000_s1233 _x0000_s1234 _x0000_s1235 _x0000_s1236 _x0000_s1237 _x0000_s1238 _x0000_s1239 _x0000_s1240 _x0000_s1241 _x0000_s1242 _x0000_s1243 _x0000_s1244 _x0000_s1245 _x0000_s1246 _x0000_s1247 _x0000_s1248 _x0000_s1249 _x0000_s1250 _x0000_s1251 _x0000_s1252 _x0000_s1253 _x0000_s1254 _x0000_s1255 _x0000_s1256 _x0000_s1257 _x0000_s1258 _x0000_s1259 _x0000_s1260 _x0000_s1261 _x0000_s1262 _x0000_s1263 _x0000_s1264 _x0000_s1265 _x0000_s1266 _x0000_s1267 _x0000_s1268 _x0000_s1269 _x0000_s1270 _x0000_s1271 _x0000_s1272 _x0000_s1273 _x0000_s1274 _x0000_s1275 _x0000_s1276 _x0000_s1277 _x0000_s1278 _x0000_s1279 _x0000_s1280 _x0000_s1281 _x0000_s1282 _x0000_s1283 _x0000_s1284 _x0000_s1285 _x0000_s1286 _x0000_s1287 _x0000_s1288 _x0000_s1289 _x0000_s1290 _x0000_s1291 _x0000_s1292 _x0000_s1293 _x0000_s1294 _x0000_s1295 _x0000_s1296 _x0000_s1297 _x0000_s1298 _x0000_s1299 _x0000_s1300 _x0000_s1301 _x0000_s1302 _x0000_s1303 _x0000_s1304 _x0000_s1305 _x0000_s1306 _x0000_s1307 _x0000_s1308 _x0000_s1309 _x0000_s1310 _x0000_s1311 _x0000_s1312 _x0000_s1313 _x0000_s1314 _x0000_s1315 _x0000_s1316 _x0000_s1317 _x0000_s1318 _x0000_s1319 _x0000_s1320 _x0000_s1321 _x0000_s1322 _x0000_s1323 _x0000_s1324 _x0000_s1325 _x0000_s1326 _x0000_s1327 _x0000_s1328 _x0000_s1329 _x0000_s1330 _x0000_s1331 _x0000_s1332 _x0000_s1333 _x0000_s1334 _x0000_s1335 _x0000_s1336 _x0000_s1337 _x0000_s1338 _x0000_s1339 _x0000_s1343 _x0000_s1344 _x0000_s1345 _x0000_s1346 _x0000_s1347 _x0000_s1348 _x0000_s1349 _x0000_s1350 _x0000_s1351 _x0000_s1352 _x0000_s1353 _x0000_s1354 _x0000_s1355 _x0000_s1357 _x0000_s1358 _x0000_s1359 _x0000_s1360 _x0000_s1361 _x0000_s1362">


   р

                                                                              n

Обычнопереходы изготавливают несемметричными pp>>    << nn

Если pp>> nnто  p-область эмитерная, n- область — база

В первый момент послесоединения кристаллов из-за градиента концентрации возникает диффузионный ток соновных носителей.

Награнице основных носителей начнут рекомбинировать, тем самым обнажаться неподвижные ионы примесей.

Граничныйслой. Будет обеднятся носителями заряда => возникнет внутреннее U. Это U будет препятствовать диффузионному току и он будет падать. Сдругой стороны наличие внутреннего поля обусловит появление дрейфоготока неосновных носителей. В конце концовдиффузионный  ток станет = дрейфовомутоку и суммарный ток через переход будет = 0

U контакта<span Lucida Console"">≈

<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol; mso-symbol-font-family:Symbol">jтln((Pp0)/(np0))

<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol; mso-symbol-font-family:Symbol">j

т<span Lucida Console"">≈<span Lucida Console";mso-ansi-language:EN-US">25<span Lucida Console"">м<span Lucida Console"; mso-ansi-language:EN-US">B<span Lucida Console"">температурный потенциал при 300 К

Uк=0,6-0,7В Si;0,3-0,4В Ge.

Различают 3 режима работыp-n перехода:

1)Равновесный(внешнее поле отсутствует)

р

n

<img src="/cache/referats/3816/image009.gif" v:shapes="_x0000_s1412 _x0000_s1386 _x0000_s1389 _x0000_s1383 _x0000_s1368 _x0000_s1364 _x0000_s1365 _x0000_s1366 _x0000_s1367 _x0000_s1369 _x0000_s1370 _x0000_s1371 _x0000_s1374 _x0000_s1372 _x0000_s1373 _x0000_s1378 _x0000_s1379 _x0000_s1380 _x0000_s1381 _x0000_s1382 _x0000_s1384 _x0000_s1385 _x0000_s1387 _x0000_s1388">


2)Прямосмещенный  p-n переход.

р

n

<img src="/cache/referats/3816/image010.gif" v:shapes="_x0000_s1458 _x0000_s1425 _x0000_s1392 _x0000_s1393 _x0000_s1394 _x0000_s1395 _x0000_s1396 _x0000_s1397 _x0000_s1398 _x0000_s1399 _x0000_s1400 _x0000_s1401 _x0000_s1402 _x0000_s1403 _x0000_s1404 _x0000_s1405 _x0000_s1406 _x0000_s1407 _x0000_s1408 _x0000_s1409 _x0000_s1410 _x0000_s1411 _x0000_s1414 _x0000_s1415 _x0000_s1416 _x0000_s1417 _x0000_s1418 _x0000_s1419 _x0000_s1421 _x0000_s1422 _x0000_s1423 _x0000_s1424">


В результате Uвнпадает=>возникаетдиф. ток электорнов  I=I0eU/m<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">j

т

<img src="/cache/referats/3816/image011.gif" v:shapes="_x0000_s1413">m ≈  1 Ge

          2 Si             I0 тепловой ток.

I  обусловлен основными носителямизарядов. Кроме него  ток неосновных носителей будет направлен встречно.:I= I0(eU/m<span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">j

т-1)

3)Обратносмещенный p-n переход I- обусловлен токами неосновных носителей      I=- I0

р

n

<img src="/cache/referats/3816/image012.gif" v:shapes="_x0000_s1459 _x0000_s1427 _x0000_s1428 _x0000_s1429 _x0000_s1430 _x0000_s1431 _x0000_s1432 _x0000_s1433 _x0000_s1434 _x0000_s1435 _x0000_s1436 _x0000_s1437 _x0000_s1438 _x0000_s1439 _x0000_s1440 _x0000_s1441 _x0000_s1442 _x0000_s1443 _x0000_s1444 _x0000_s1445 _x0000_s1446 _x0000_s1447 _x0000_s1448 _x0000_s1449 _x0000_s1450 _x0000_s1451 _x0000_s1452 _x0000_s1453 _x0000_s1454 _x0000_s1455 _x0000_s1456 _x0000_s1457">


ВАХ p-n перехода

I

U

Ge=0,3-0,4 B

Si=0,6-0,8B

<img src="/cache/referats/3816/image013.gif" v:shapes="_x0000_s1477 _x0000_s1474 _x0000_s1471 _x0000_s1465 _x0000_s1462 _x0000_s1463 _x0000_s1469 _x0000_s1470 _x0000_s1472 _x0000_s1473 _x0000_s1475 _x0000_s1476">


Емкости p-n  переходов.

Различают:-барьерную,-диффузионную.

Барьерная имеет место при обратном смещении  p-n перехода.Запирающий слой выступает какдиэлектрик =>конденсатор    e=f(U)   Эта емкость использована в варикапах.

р

n

l

c

U

<img src="/cache/referats/3816/image014.gif" v:shapes="_x0000_s1545 _x0000_s1540 _x0000_s1535 _x0000_s1481 _x0000_s1482 _x0000_s1483 _x0000_s1484 _x0000_s1494 _x0000_s1495 _x0000_s1496 _x0000_s1497 _x0000_s1498 _x0000_s1499 _x0000_s1500 _x0000_s1501 _x0000_s1502 _x0000_s1503 _x0000_s1504 _x0000_s1505 _x0000_s1506 _x0000_s1507 _x0000_s1508 _x0000_s1509 _x0000_s1510 _x0000_s1519 _x0000_s1520 _x0000_s1521 _x0000_s1522 _x0000_s1523 _x0000_s1524 _x0000_s1525 _x0000_s1526 _x0000_s1527 _x0000_s1528 _x0000_s1529 _x0000_s1530 _x0000_s1531 _x0000_s1532 _x0000_s1533 _x0000_s1534 _x0000_s1536 _x0000_s1537 _x0000_s1538 _x0000_s1539 _x0000_s1541 _x0000_s1542 _x0000_s1543 _x0000_s1544 _x0000_s1560 _x0000_s1553 _x0000_s1550 _x0000_s1547 _x0000_s1549 _x0000_s1546 _x0000_s1548 _x0000_s1551 _x0000_s1552 _x0000_s1556 _x0000_s1554 _x0000_s1555 _x0000_s1557 _x0000_s1558 _x0000_s1559">


                                C≈1/√U

p        n         p

p        n         p

p        n         p

p        n         p

<img src="/cache/referats/3816/image015.gif" v:shapes="_x0000_s2112 _x0000_s1993 _x0000_s1994 _x0000_s1995 _x0000_s1996 _x0000_s1997 _x0000_s1998 _x0000_s1999 _x0000_s2000 _x0000_s2001 _x0000_s2002 _x0000_s2003 _x0000_s2004 _x0000_s2005 _x0000_s2006 _x0000_s2007 _x0000_s2008 _x0000_s2027 _x0000_s2028 _x0000_s2051 _x0000_s2052 _x0000_s2053 _x0000_s2054 _x0000_s2055 _x0000_s2056 _x0000_s2057 _x0000_s2058 _x0000_s2059 _x0000_s2060 _x0000_s2061 _x0000_s2062 _x0000_s2063 _x0000_s2064 _x0000_s2065 _x0000_s2066 _x0000_s2067 _x0000_s2068 _x0000_s2070 _x0000_s2071 _x0000_s2072 _x0000_s2073 _x0000_s2074 _x0000_s2075 _x0000_s2076 _x0000_s2077 _x0000_s2078 _x0000_s2079 _x0000_s2080 _x0000_s2081 _x0000_s2082 _x0000_s2083 _x0000_s2084 _x0000_s2085 _x0000_s2086 _x0000_s2087 _x0000_s2089 _x0000_s2090 _x0000_s2091 _x0000_s2092 _x0000_s2093 _x0000_s2094 _x0000_s2095 _x0000_s2096 _x0000_s2097 _x0000_s2098 _x0000_s2099 _x0000_s2100 _x0000_s2101 _x0000_s2102 _x0000_s2103 _x0000_s2104 _x0000_s2105 _x0000_s2106 _x0000_s2108 _x0000_s2109 _x0000_s2110 _x0000_s2111">p-n перехода      Cд=dQизб/dU

Реальные ВАХ p-n переходов.

I

U

t1  t2

<img src="/cache/referats/3816/image016.gif" v:shapes="_x0000_s1614 _x0000_s1568 _x0000_s1613 _x0000_s1611 _x0000_s1569 _x0000_s1591 _x0000_s1564 _x0000_s1570 _x0000_s1571 _x0000_s1572 _x0000_s1592 _x0000_s1566 _x0000_s1573 _x0000_s1574 _x0000_s1575 _x0000_s1607 _x0000_s1610 _x0000_s1612">

<div v:shape="_x0000_s1623">

t1>t2    10°C

I0=>  Si=2,5

          Ge=2


Реальная

U

<img src="/cache/referats/3816/image017.gif" v:shapes="_x0000_s1628 _x0000_s1620 _x0000_s1627 _x0000_s1596 _x0000_s1597 _x0000_s1598 _x0000_s1599 _x0000_s1600 _x0000_s1601 _x0000_s1602 _x0000_s1603 _x0000_s1604 _x0000_s1605 _x0000_s1606 _x0000_s1625 _x0000_s1618 _x0000_s1619 _x0000_s1621">R базы

<div v:shape="_x0000_s1595">

I


3)Пробой p-nперехода :1-лавинный, 2- туннельный, 3- тепловой ( 1,2-обратимые;3-необратимый) I0≈ 10 I0

I

U

1       2       3

<img src="/cache/referats/3816/image018.gif" v:shapes="_x0000_s1657 _x0000_s1630 _x0000_s1632 _x0000_s1656 _x0000_s1654 _x0000_s1634 _x0000_s1635 _x0000_s1636 _x0000_s1637 _x0000_s1638 _x0000_s1639 _x0000_s1640 _x0000_s1641 _x0000_s1642 _x0000_s1647 _x0000_s1648 _x0000_s1649 _x0000_s1651 _x0000_s1652 _x0000_s1653 _x0000_s1655">


П/п диоды.

Приборс1м  p-n переходом и 2мя выходами

<img src="/cache/referats/3816/image019.gif" v:shapes="_x0000_s1661 _x0000_s1658 _x0000_s1659 _x0000_s1660">

-выпрямительные,       А +                 К

<img src="/cache/referats/3816/image020.gif" v:shapes="_x0000_s1667 _x0000_s1662 _x0000_s1663 _x0000_s1664 _x0000_s1665 _x0000_s1666">

<img src="/cache/referats/3816/image021.gif" v:shapes="_x0000_s1901 _x0000_s1668 _x0000_s1669 _x0000_s1670 _x0000_s1671 _x0000_s1900"> стабилитроны,

<img src="/cache/referats/3816/image022.gif" v:shapes="_x0000_s1687 _x0000_s1673 _x0000_s1674 _x0000_s1675 _x0000_s1676 _x0000_s1686 _x0000_s1681 _x0000_s1677 _x0000_s1679 _x0000_s1680 _x0000_s1682 _x0000_s1683 _x0000_s1684 _x0000_s1685"><img src="/cache/referats/3816/image023.gif" v:shapes="_x0000_s1672">-варикапы,

-светодиды,

<img src="/cache/referats/3816/image024.gif" v:shapes="_x0000_s1695 _x0000_s1688 _x0000_s1689 _x0000_s1690 _x0000_s1691 _x0000_s1692 _x0000_s1693 _x0000_s1694">

<img src="/cache/referats/3816/image025.gif" v:shapes="_x0000_s1702 _x0000_s1696 _x0000_s1697 _x0000_s1698 _x0000_s1699 _x0000_s1700 _x0000_s1701">тунельные,

-обращенный  

Маркировка по справочнику

1)Выпрямит. диоды– предназначены для выпрямления ~I  в =

Основные параметры

Iср.пр- средний прямой,Uпр,Uобр.,P-мощность, Iпр.имп.

2)Вч диоды выполняются обычно по точечной технологии

Cд-емкость, Iпр.имп, Uпр.ср,t установления,t востановления,

3)Диод Шотки – диод на основе перехода металл ->п/п,быстродействующий.Uпр.=0,5В,ВАХ не отличается от экспоненты в диапазоне токов до 1010

I

U

I max

I min

U cт

I ст

<img src="/cache/referats/3816/image026.gif" v:shapes="_x0000_s1731 _x0000_s1707 _x0000_s1708 _x0000_s1711 _x0000_s1712 _x0000_s1713 _x0000_s1714 _x0000_s1715 _x0000_s1716 _x0000_s1717 _x0000_s1718 _x0000_s1719 _x0000_s1720 _x0000_s1721 _x0000_s1722 _x0000_s1723 _x0000_s1724 _x0000_s1727 _x0000_s1725 _x0000_s1726 _x0000_s1728 _x0000_s1729 _x0000_s1730">4)Стабилитрон – это параметрическийстабилизатор напряжения, стабилизирует напряжение от единицы до сотен вольт.Uст– обратная ветвь ВАХ; пробой лавинный

ВАХ

                                                        r=∆U/∆I

                                                            чем < темлучше

нагрузка

Rбал

VD

Uст=Uн

<img src="/cache/referats/3816/image027.gif" v:shapes="_x0000_s1818 _x0000_s1814 _x0000_s1768 _x0000_s1769 _x0000_s1772 _x0000_s1770 _x0000_s1771 _x0000_s1773 _x0000_s1774 _x0000_s1775 _x0000_s1776 _x0000_s1777 _x0000_s1778 _x0000_s1779 _x0000_s1781 _x0000_s1762 _x0000_s1763 _x0000_s1764 _x0000_s1765 _x0000_s1766 _x0000_s1767 _x0000_s1780 _x0000_s1782 _x0000_s1783 _x0000_s1784 _x0000_s1785 _x0000_s1786 _x0000_s1787 _x0000_s1789 _x0000_s1791 _x0000_s1792 _x0000_s1813 _x0000_s1761 _x0000_s1812 _x0000_s1795 _x0000_s1799 _x0000_s1800 _x0000_s1801 _x0000_s1804 _x0000_s1805 _x0000_s1806 _x0000_s1807 _x0000_s1808 _x0000_s1809 _x0000_s1810 _x0000_s1811 _x0000_s1815 _x0000_s1816 _x0000_s1817">


Д814Д => U=12 В      Rбал.=(E-Uст.)/(Iст.+Iн.)

Кст.=(∆Е/Е)/(∆U/Uн) ТКН – температупныйкоэффициент U=(∆U/U)/ ∆t<span Lucida Console"">≈

<span Lucida Console";mso-ansi-language:EN-US">0<span Lucida Console"">,0001%

I

U

U cт

I ст

<img src="/cache/referats/3816/image028.gif" v:shapes="_x0000_s1803 _x0000_s1735 _x0000_s1736 _x0000_s1802 _x0000_s1741 _x0000_s1742 _x0000_s1744 _x0000_s1745 _x0000_s1747 _x0000_s1757 _x0000_s1748 _x0000_s1749 _x0000_s1750 _x0000_s1751 _x0000_s1752 _x0000_s1753 _x0000_s1754 _x0000_s1756 _x0000_s1733 _x0000_s1734 _x0000_s1739 _x0000_s1755"><span Lucida Console"">5)

Стабистор – предназначен для получения малых стабильныхнапряжений

                                           вних исп. прямая ветвь ВАХ

                                           КС07А       U=0,7B

L

C

Cp

Cv

+Uупр

<img src="/cache/referats/3816/image029.gif" v:shapes="_x0000_s1918 _x0000_s1910 _x0000_s1899 _x0000_s1868 _x0000_s1874 _x0000_s1875 _x0000_s1876 _x0000_s1877 _x0000_s1878 _x0000_s1879 _x0000_s1886 _x0000_s1882 _x0000_s1883 _x0000_s1884 _x0000_s1885 _x0000_s1887 _x0000_s1889 _x0000_s1892 _x0000_s1890 _x0000_s1891 _x0000_s1893 _x0000_s1894 _x0000_s1895 _x0000_s1896 _x0000_s1897 _x0000_s1898 _x0000_s1909 _x0000_s1902 _x0000_s1903 _x0000_s1904 _x0000_s1905 _x0000_s1906 _x0000_s1907 _x0000_s1908 _x0000_s1911 _x0000_s1912 _x0000_s1913 _x0000_s1914 _x0000_s1915 _x0000_s1916 _x0000_s1917">6) Варикап –параметрическаяемкость, вкл. в обратном смещении. Примечание :- всистемах авто –подстройки частоты в телерадио и т.д.;-получение угловой модуляции(угловой или фазовой)

“-“ R

I

U

<img src="/cache/referats/3816/image030.gif" v:shapes="_x0000_s1941 _x0000_s1930 _x0000_s1935 _x0000_s1931 _x0000_s1923 _x0000_s1924 _x0000_s1927 _x0000_s1928 _x0000_s1932 _x0000_s1933 _x0000_s1934 _x0000_s1936 _x0000_s1938">7)Тунельныйдиод   ВАХ имеет участок «-» R

Примечание: Для получения высокочастотных колебаний(генератор); пороговые утройсва – тригерыШмита

0,7В

I

U

мВ

<img src="/cache/referats/3816/image031.gif" v:shapes="_x0000_s1967 _x0000_s1943 _x0000_s1946 _x0000_s1947 _x0000_s1948 _x0000_s1949 _x0000_s1959 _x0000_s1960 _x0000_s1961 _x0000_s1962 _x0000_s1963 _x0000_s1964 _x0000_s1965">8) Обращенный диод – это разновидность тунельного — в нем нет «-» R, — в работе используют  обратную ветвь ВАХ

Биполярные транзисторы

П/п прибор с 2-мя и более переходами и с 3-мя и болеевыводами

Б

n-p-n

<img src="/cache/referats/3816/image032.gif" v:shapes="_x0000_s2049 _x0000_s2045 _x0000_s2048 _x0000_s2046 _x0000_s2011 _x0000_s2012 _x0000_s2013 _x0000_s2014 _x0000_s2030 _x0000_s2015 _x0000_s2018 _x0000_s2019 _x0000_s2020 _x0000_s2021 _x0000_s2022 _x0000_s2024 _x0000_s2025 _x0000_s2036 _x0000_s2032 _x0000_s2034 _x0000_s2035 _x0000_s2037 _x0000_s2038 _x0000_s2039 _x0000_s2040 _x0000_s2041 _x0000_s2042 _x0000_s2043 _x0000_s2044 _x0000_s2047">

p        n         p

Э

К

Б

<img src="/cache/referats/3816/image033.gif" v:shapes="_x0000_s2010 _x0000_s1989 _x0000_s1986 _x0000_s1984 _x0000_s1975 _x0000_s1968 _x0000_s1969 _x0000_s1970 _x0000_s1972 _x0000_s1973 _x0000_s1974 _x0000_s1976 _x0000_s1977 _x0000_s1980 _x0000_s1981 _x0000_s1982 _x0000_s1983 _x0000_s1985 _x0000_s1987 _x0000_s1988 _x0000_s2009"> n-p-n,  p-n-p

Режимыработы БТ

1.)Отсечка – оба перехода закрыты,обратно смещены

2.)Насыщения – оба перехода смещеныпрямо

3.)Активный режим – эммитеры прямо, колектор обратно

4)Активно инверсный – эммитеры обратно, колектор прямо

Активный режим. Физика работы.

Iк=<span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type: symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">a

Iэ+Iко    Iко-обратный ток колектора, <span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type: symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">a-коэффициент передачи тока эмитера

p              n                           p

Э

К

Б

Есм=Uэб

+ Uкб-

+      -

<img src="/cache/referats/3816/image034.gif" v:shapes="_x0000_s2200 _x0000_s2130 _x0000_s2131 _x0000_s2132 _x0000_s2133 _x0000_s2134 _x0000_s2135 _x0000_s2136 _x0000_s2137 _x0000_s2138 _x0000_s2139 _x0000_s2140 _x0000_s2141 _x0000_s2142 _x0000_s2143 _x0000_s2144 _x0000_s2145 _x0000_s2146 _x0000_s2147 _x0000_s2149 _x0000_s2150 _x0000_s2151 _x0000_s2153 _x0000_s2154 _x0000_s2156 _x0000_s2157 _x0000_s2158 _x0000_s2164 _x0000_s2165 _x0000_s2166 _x0000_s2167 _x0000_s2168 _x0000_s2169 _x0000_s2170 _x0000_s2171 _x0000_s2172 _x0000_s2173 _x0000_s2174 _x0000_s2175 _x0000_s2176 _x0000_s2177 _x0000_s2178 _x0000_s2179 _x0000_s2180 _x0000_s2181 _x0000_s2182 _x0000_s2183 _x0000_s2184 _x0000_s2185 _x0000_s2186 _x0000_s2187 _x0000_s2188 _x0000_s2189 _x0000_s2190 _x0000_s2191 _x0000_s2192 _x0000_s2193 _x0000_s2194 _x0000_s2195 _x0000_s2196 _x0000_s2197 _x0000_s2198 _x0000_s2199">


-

      Еэ

+

   Uвых

      Rк

    +

Ек

     -

<img src="/cache/referats/3816/image035.gif" v:shapes="_x0000_s2428 _x0000_s2264 _x0000_s2231 _x0000_s2205 _x0000_s2206 _x0000_s2207 _x0000_s2208 _x0000_s2209 _x0000_s2210 _x0000_s2211 _x0000_s2212 _x0000_s2213 _x0000_s2214 _x0000_s2260 _x0000_s2215 _x0000_s2222 _x0000_s2223 _x0000_s2224 _x0000_s2225 _x0000_s2259 _x0000_s2240 _x0000_s2234 _x0000_s2232 _x0000_s2233 _x0000_s2235 _x0000_s2236 _x0000_s2237 _x0000_s2238 _x0000_s2239 _x0000_s2250 _x0000_s2252 _x0000_s2254 _x0000_s2241 _x0000_s2242 _x0000_s2243 _x0000_s2244 _x0000_s2245 _x0000_s2246 _x0000_s2247 _x0000_s2248 _x0000_s2249 _x0000_s2251 _x0000_s2253 _x0000_s2255 _x0000_s2256 _x0000_s2257 _x0000_s2258 _x0000_s2261 _x0000_s2262 _x0000_s2263 _x0000_s2265 _x0000_s2315">Схемы включения транзисторов.

1)Схема с общейбазой

Iвх-Iэ

Iвых-Iк

Uвх-Uэб

Uвых-Uкб

2)Схема с общимэмитером

 +

     Еб

 _

   Uвых

      Rк

    +

Ек

     _

<img src="/cache/referats/3816/image036.gif" v:shapes="_x0000_s2429 _x0000_s2320 _x0000_s2317 _x0000_s2267 _x0000_s2268 _x0000_s2269 _x0000_s2270 _x0000_s2271 _x0000_s2272 _x0000_s2273 _x0000_s2274 _x0000_s2275 _x0000_s2276 _x0000_s2277 _x0000_s2278 _x0000_s2279 _x0000_s2280 _x0000_s2281 _x0000_s2282 _x0000_s2283 _x0000_s2284 _x0000_s2285 _x0000_s2286 _x0000_s2287 _x0000_s2288 _x0000_s2289 _x0000_s2290 _x0000_s2291 _x0000_s2292 _x0000_s2293 _x0000_s2294 _x0000_s2295 _x0000_s2296 _x0000_s2297 _x0000_s2298 _x0000_s2299 _x0000_s2300 _x0000_s2301 _x0000_s2302 _x0000_s2303 _x0000_s2304 _x0000_s2305 _x0000_s2306 _x0000_s2307 _x0000_s2308 _x0000_s2309 _x0000_s2310 _x0000_s2311 _x0000_s2312 _x0000_s2313 _x0000_s2314 _x0000_s2319 _x0000_s2372 _x0000_s2427">


3) Схема собщим колектором

еще рефераты
Еще работы по радиоэлектронике