Реферат: Учебная практика по специальности "ТО и ремонт РЭА"

МИНИСТЕРСТВО СРЕДНЕГООБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ.

КемеровскийПрофессионально-технический  Колледж.

ОТЧЕТ

по учебной практике.

Выполнил:

Студент группы: ТВФ-41,

Белянин Сергей.

Проверил:

Синчинов А.В.

КЕМЕРОВО 2004г.

СОДЕРЖАНИЕ:

1.<span Times New Roman"">     

2.<span Times New Roman"">     

2.1.<span Times New Roman"">  

2.2.<span Times New Roman"">  

2.3.<span Times New Roman"">  

2.4.<span Times New Roman"">  

2.5.<span Times New Roman"">  

3.<span Times New Roman"">     

3.1.<span Times New Roman"">  

3.2.<span Times New Roman"">  

3.3.<span Times New Roman"">  

3.4.<span Times New Roman"">  

4.<span Times New Roman"">     

4.1.<span Times New Roman"">  

4.2.<span Times New Roman"">  

4.3.<span Times New Roman"">  

4.4.<span Times New Roman"">  

Введение.

         Учебная практика является неотъемлемойчастью образовательного процесса, без нее не возможна подготовкавысококвалифицированных специалистов. На учебной практике обучающиеся получаютпрактические навыки, связанные с их дальнейшей трудовой деятельностью.

         Наша практика проходила в стенах КПТК,под чутким руководством преподавателей.

Проделаннаяработа на практике.

         Полный перечень выполненных работнаходится в дневнике по учебной практике.

Рабочий инструмент.

         Рабочее место – это часть площадидомашней мастерской, предназначенная для выполнения электромонтажных работ.

         Идеальноерабочее место должно содержать: стол, стул, щиток питания с клеммами длязаземления, браслет и коврик для защиты от статического электричества,регулируемый светильник, дымоуловитель (вентилятор, вытяжка), убирающаясяподвеска для схем, комплект инструментов для проведения монтажных и демонтажныхработ (паяльник, припой, набор отверток, нож, пинцет, мультиметр),дополнительный столик на колесах, урна для мусора.

Элементарная база.

         Полупроводниковымдиодом называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с однимвыпрямляющим электрическим переходом, имеющим два вывода. В качествевыпрямляющего электрического перехода используется электронно-дырочный (р-п)переход (П), разделяющий р- и п-области кристалла полупроводника.

         Выпрямительныйдиод, использует вентильные свойства р-п-перехода и применяется ввыпрямителях переменного тока. В качестве исходного материала при изготовлениивыпрямительных диодов используют германий и кремний. Выпрямительный диодпредставляет собой электронный ключ, управляемый приложенным к немунапряжением. При прямом напряжении ключ замкнут, при обратном — разомкнут.Однако в обоих случаях этот ключ не является идеальным.

         Импульсныйдиод — полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходныхпроцессов и использующий, так же как и выпрямительный диод, при своей работепрямую и обратную ветви ВАХ.

         Сверхвысокочастотныйдиод (СВЧ-диод) — полупроводниковый диод, предназначенный дляпреобразования и обработки высокочастотного сигнала (до десятков и сотен ГГц).Сверхвысокочастотные диоды широко применяются при генерации и усиленииэлектромагнитных колебаний СВЧ-диапазона, умножении частоты, модуляции,регулировании и ограничении сигналов и т. д. Типичными представителями даннойгруппы диодов являются смесительные (получение сигнала суммы или разности двухчастот), детекторные (выделение постоянной составляющей СВЧ-сигнала) ипереключательные (управление уровнем мощности сверхвысокочастотного сигнала)диоды.

        

         Стабилитрони стабистор применяются в нелинейных цепях постоянного тока длястабилизации напряжения. Отличие стабилитрона от стабистора заключается виспользуемой ветви ВАХ для стабилизации напряжения. ВАХ диода имеет участки АВи CD, на которых значительному изменению тока соответствует незначительноеизменение напряжения при сравнительно линейной их зависимости. Для стабилизациивысокого напряжения (>3 В) используют обратную ветвь (участок АВ) ВАХ.Применяемые для этой цели диоды называют стабилитронами. Для стабилизациинебольших значений напряжений (< 1 В —например, в интегральных схемах)используют прямую ветвь (участок CD) ВАХ, а применяемые в этом случае диодыназывают стабисторами.

         Излучающийдиод — полупроводниковый диод, излучающий из области р-п-перехода квантыэнергии. Излучение испускается через прозрачную стеклянную пластину,размещенную в корпусе диода.

         Варикап— полупроводниковый диод, действие которого основано на использованиизависимости зарядной емкости Cзар от значения приложенного напряжения. Этопозволяет применять варикап в качестве элемента с электрически управляемойемкостью.

         Туннельныйдиод – диод, имеющий участок с отрицательной прямой проводимостью.

         Обращенныйдиод – разновидность туннельного диода, имеющая обратный туннельный эф.

         Фотодиодпо структуре аналогичен обычному полупроводниковому диоду. Отличие состоитв том, что его корпус снабжен дополнительной линзой, создающей внешний световойпоток, направленный, как правило, перпендикулярно плоскости p-n-перехода.Прибор может работать в режимах фотопреобразователя и фотогенератора.

         Фоторезистор— полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление  которого изменяется в зависимости отинтенсивности и спектрального состава внешнего излучения.

         Фототраизисторпо структуре аналогичен структуре биполярного транзистора. Он обладает болеевысокой чувствительностью, чем фотодиод.

         Светодиод– диод, который светится при прямой проводимости. Исп. в качествеиндикатора.

         Резистор– радиокомпонент с большим сопротивлением. Применяются для понижения напряженияна отдельных участках цепи.

         Конденсатор– радиокомпонент способный накапливать электрическую энергию, а потом отдаватьеё в виде импульса. Применяется для стабилизации напряжения на участке цепи,либо в качестве преграды для постоянного тока.

         Биполярныйтранзистор — это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими р-п-

переходами итремя выводами. Таким образом, в биполярном транзисторе используютсяодновременно два типа носителей зарядов — электроны и дырки (отсюда и название- биполярный). Биполярный транзистор содержит два р-п-перехода, образованныхтремя областями с чередующимися типами проводимости. В зависимости от порядкачередования этих областей различают транзисторы р-п-р- и п-р-п-типа.

         Полевойтранзистор — полупроводниковый усилительный прибор, которым управляет неток (как в биполярном транзисторе), а электрическое поле.

Тиристор — полупроводниковый прибор сдвумя устройчивыми состояниями, имеющий три (или более) выпрямляющих перехода,который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.Различают диодные (неуправляемые) и триодные (управляемые) тиристоры. Диодныйтиристор называют динистором атриодный — тринистором.

         Микросхемы– несколько логических элементов или систем из логических элементов,  выполненных в одном корпусе. Применяются длявыполнения логических функций и др. (генератор).

         Инвертор– устройство, изменяющее знак входного сигнала.

         Триггеромназывается устройство, способное формировать два устойчивых значения выходногосигнала (логического 0 и логической 1) и скачкообразно изменять эти значенияпод действием внешнего управляющего сигнала.

         Логическийэлемент — компонент цифрового устройства, выполняющий одну или несколькопростейших логических операций.

         Повторитель– применяется для согласования сопротивлений.

         Запоминающийэлемент — компонент цифрового устройства, обладающий способностью сохранятьсвое состояние при отсутствии сигнала на входе. В качестве такого элементаслужит триггер.

         Компаратор(цифровой) — логическое устройство, обеспечивающее сравнение двухмногоразрядных двоичных чисел А и В, разряды каждого из которых подаютсяпорознь на его входы. На практике одно из чисел (например, А) являетсянеизменным, а другое (В) изменяет свое значение от такта к такту.

         Трансформатор–  устройство для понижения или повышениянапряжения на вторичной обмотке, относительно напряжения на первичной обмотки.

Методы проверки элементов

            Почти каждый радиолюбительрасполагает в качестве измерительного прибора авометром — цифрового илистрелочного типа, в состав которого входит омметр. Однако не все начинающиерадиолюбители знают, что омметром можно проверять почти все радиоэлементы:резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, трансформаторы, диоды,тиристоры, транзисторы, некоторые микросхемы.

Проверка резисторов.

Проверка постоянных резисторов производитсяомметром путем измерения их сопротивления и сравнения с номинальным значением,которое указано на самом резисторе и на принципиальной схеме аппарата. Приизмерении сопротивления резистора полярность подключения к нему омметра неимеет значения. Необходимо помнить, что действительное сопротивление резистораможет отличаться по сравнению с номинальным на величину допуска.

При проверке переменных резисторов измеряетсясопротивление между крайними выводами, которое должно соответствоватьноминальному значению с учетом допуска и погрешности измерения, а такженеобходимо измерять сопротивление между каждым из крайних выводов и среднимвыводом. Эти сопротивления при вращении оси из одного крайнего положения вдругое должны плавно, без скачков изменяться от нуля до номинального значения.При проверке переменного резистора, впаянного в схему, два из его трех выводовнеобходимо выпаивать

Проверка конденсаторов.

В принципе конденсаторы могут иметь следующиедефекты: обрыв, пробой и повышенная утечка. Пробой конденсатора характеризуетсяналичием между его выводами короткого замыкания, то есть нулевогосопротивления. Поэтому пробитый конденсатор любого типа легко обнаруживаетсяомметром путем проверки сопротивления между его выводами. Конденсатор непропускает постоянного тока, его сопротивление постоянному току, котороеизмеряется омметром, должно быть бесконечно велико.

Однако имеется большая группа конденсаторов,сопротивление утечки которых сравнительно невелико. К ней относятся всеполярные конденсаторы, которые рассчитаны на определенную полярностьприложенного к ним напряжения, и эта полярность указывается на их корпусах. Приизмерении сопротивления утечки этой группы конденсаторов необходимо соблюдатьполярность подключения омметра (плюсовой вывод омметра должен присоединяться кплюсовому выводу конденсатора), в противном случае результат измерения будетневерным.

К этой группе конденсаторов в первую очередьотносятся все электролитические конденсаторы КЭ, КЭГ, ЭГЦ, ЭМ, ЭМИ, К50, ЭТ,ЭТО, К51, К52 и оксидно-полупроводниковые конденсаторы К53. Сопротивлениеутечки исправных конденсаторов этой группы должно быть не менее 100 кОм, аконденсаторов ЭТ, ЭТО, К51, К.52 и К53— не менее 1 МОм. При проверкеконденсаторов большой емкости нужно учесть, что при подключении омметра кконденсатору, если он не был заряжен, начинается его зарядка, и стрелка омметраделает бросок в сторону нулевого значения шкалы. По мере зарядки стрелкадвижется в сторону увеличения сопротивлений.

Чем больше емкость конденсатора, тем медленнеедвижется стрелка. Отсчет сопротивления утечки следует производить только послетого, как она практически остановится. При проверке конденсаторов емкостьюпорядка 1000 • мкФ на это может потребоваться несколько минут. Внутренний обрывили частичная потеря емкости конденсатором не могут быть обнаружены омметром,для этого необходим прибор, позволяющий измерять емкость конденсатора. Однакообрыв конденсатора емкостью более 0,2 мкФ может быть обнаружен омметром поотсутствию начального скачка стрелки во время зарядки.

Следует заметить, что повторная проверкаконденсатора на обрыв по отсутствию начального скачка стрелки можетпроизводиться только после снятия заряда, для чего выводы конденсатора нужнозамкнуть на короткое время. Конденсаторы переменной емкости проверяются омметромна отсутствие замыканий. Для этого омметр подключается к каждой секции агрегатаи медленно поворачивается ось из одного крайнего положения в другое. Омметрдолжен показывать бесконечно большое сопротивление в любом положении оси,

Проверка катушек индуктивности.

При проверке катушек индуктивности омметромконтролируется только отсутствие в них обрыва. Сопротивление однослойныхкатушек должно быть равно нулю, сопротивление многослойных катушек близко кнулю. Иногда в паспортных данных аппарата указывается сопротивлениемногослойных катушек постоянному току и на его величину можно ориентироватьсяпри их проверке. При обрыве катушки омметр показывает бесконечно большоесопротивление. Если катушка имеет отвод, нужно проверить обе секции катушки,подключая омметр сначала к одному из крайних выводов катушки и к ее отводу, азатем — ко второму крайнему выводу и отводу.

Проверка низкочастотных дросселей итрансформаторов. Как правило, в паспортных данных аппаратуры или в инструкцияхпо ее ремонту указываются значения сопротивлений обмоток постоянному току,которые можно использовать при проверке трансформаторов и дросселей. Обрывобмотки фиксируется по бесконечно большому сопротивлению между ее выводами.Если же сопротивление значительно меньше номинального, это может указывать наналичие короткозамкнутых витков.

Однако чаще всего короткозамкнутые виткивозникают в небольшом количестве, когда происходит замыкание между соседнимивитками, и сопротивление обмотки изменяется незначительно. Для проверкиотсутствия короткозамкнутых витков можно поступить следующим образом. Утрансформатора выбирается обмотка с наибольшим количеством витков, к одному извыводов которой подключается омметр с помощью зажима “крокодил”. Ко второмувыводу этой обмотки прикасаются слегка влажным пальцем левой руки.

Держа металлический наконечник второго щупаомметра правой рукой, подключают его ко второму выводу обмотки, не отрывая отнего пальца левой руки. Стрелка омметра отклоняется от своего начальногоположения, показывая сопротивление обмотки. Когда стрелка остановится, отводятправую руку с щупом от второго вывода обмотки. В момент разрыва цепи приисправном трансформаторе чувствуется легкий удар электрическим током за счетЭДС самоиндукции, возникающей при разрыве цепи.

В связи с тем, что энергия разряда мизерна,никакой опасности такая проверка не представляет. При наличии короткозамкнутыхвитков в проверяемой обмотке или в других обмотках трансформатора ЭДСсамоиндукции резко падает и электрического удара не ощущается. Омметр при этомнужно использовать на самом меньшем пределе измерения, который соответствуетнаибольшему току измерения.

Проверка диодов.

Полупроводниковые диоды характеризуются резконелинейной вольтамперной характеристикой. Поэтому их прямой и обратный токи приодинаковом приложенном напряжении различны. На этом основана проверка диодовомметром. Прямое сопротивление измеряется при подключении плюсового выводаомметра к аноду, а минусового вывода — к катоду диода. У пробитого диода прямоеи обратное сопротивления равны нулю. Если диод оборван, оба сопротивлениябесконечно велики.

Указать заранее значения прямого и обратногосопротивлений или их соотношение нельзя, так как они зависят от приложенногонапряжения, а это напряжение у разных авометров и на разных пределах измеренияразлично. Тем не менее у исправного диода обратное сопротивление должно бытьбольше прямого. Отношение обратного сопротивления к прямому у диодов,рассчитанных на низкие обратные напряжения, велико (может быть более 100). Удиодов, рассчитанных на большие обратные напряжения, это отношение оказываетсянезначительным, так как обратное напряжение, приложенное к диоду омметром, малопо сравнению с тем обратным напряжением, на которое диод рассчитан.

Методика проверки стабилитронов и варикапов неотличается от изложенной. Как известно, если к диоду приложено напряжение,равное нулю, ток диода также будет равен нулю. Для получения прямого токанеобходимо приложить к диоду какое-то пороговое небольшое напряжение. Любойомметр обеспечивает приложение такого напряжения. Однако если соединенопоследовательно и согласно (в одну сторону) несколько диодов, пороговоенапряжение, необходимое для отпирания всех диодов, увеличивается и можетоказаться больше, чем напряжение на клеммах омметра. По этой причине измеритьпрямые напряжения диодных столбов или селеновых столбиков при помощи омметраоказывается невозможно.

Проверка тиристоров.

Неуправляемые тиристоры (динисторы) могут бытьпроверены таким же образом, как диоды, если напряжение отпирания динистораменьше напряжения на клеммах омметра. Если же оно больше, диннстор приподключении омметра не отпирается и омметр в обоих направлениях показываеточень большое сопротивление. Тем не менее, если диннстор пробит, омметр эторегистрирует нулевыми показаниями прямого и обратного сопротивлений.

Для проверки управляемых тиристоров (тринисторов)плюсовой вывод омметра подключается к аноду тринистора, а минусовой вывод — ккатоду. Омметр при этом должен показывать очень большое сопротивление, почтиравное бесконечному. Затем замыкают выводы анода и управляющего электродатринистора, что должно приводить к резкому уменьшению сопротивления, так кактринистор отпирается. Если после этого отключить управляющий электрод от анода,не разрывая цепи, соединяющей анод тринистора с омметром, для многих типовтринисторов омметр будет продолжать показывать низкое сопротивление открытоготринистора.

Это происходит в тех случаях, когда анодный токтринистора оказывается больше так называемого тока удержания. Тринисторостается открытым обязательно, если анодный ток больше гарантированного токаудержания. Это требование является достаточным, но не необходимым.         Отдельные экземпляры тринисторов одногои того же типа могут иметь значения тока удержания значительно меньшегарантированного. В этом случае тринистор при отключении управляющего электродаот анода остается открытым. Но если при этом тринистор запирается и омметрпоказывает большое сопротивление, нельзя считать, что тринистор неисправен.

Проверка транзисторов.

Эквивалентная схема биполярного транзисторапредставляет собой два диода, включенных навстречу один другому. Для p-n-ртранзисторов эти эквивалентные диоды соединены катодами, а для n-p-nтранзисторов — анодами. Таким образом, проверка транзистора омметром сводится кпроверке обоих р-n переходов транзистора: коллектор — база и эмиттер — база.Для проверки прямого сопротивления переходов p-n-р транзистора минусовой выводомметра подключается к базе, а плюсовой вывод омметра — поочередно к коллекторуи эмиттеру. Для проверки обратного сопротивления переходов к базе подключаетсяплюсовой вывод омметра.

При проверке n-р-n транзисторов подключениепроизводится наоборот: прямое сопротивление измеряется при соединении с базойплюсового вывода омметра, а обратное сопротивление — при соединении с базойминусового вывода. При пробое перехода его прямое и обратное сопротивленияоказываются равными нулю. При обрыве перехода его прямое сопротивлениебесконечно велико. У исправных маломощных транзисторов обратные сопротивленияпереходов во много раз больше их прямых сопротивлений. У мощных транзисторовэто отношение не столь велико, тем не менее, омметр позволяет их различить.

Из эквивалентной схемы биполярного транзисторавытекает, что с помощью омметра можно определить тип проводимости транзистора иназначение его выводов (цоколевку). Сначала определяют тип проводимости инаходят вывод базы транзистора. Для этого один вывод омметра подключают кодному выводу транзистора, а другим выводом омметра касаются поочередно двухдругих выводов транзистора. Затем первый вывод омметра подключают к другомувыводу транзистора, а другим выводом омметра касаются свободных выводовтранзистора. Затем первый вывод омметра подключают к третьему выводутранзистора, а другим выводом касаются остальных.

После этого меняют местами выводы омметра иповторяют указанные измерения. Нужно найти такое подключение омметра, прикотором подключение второго вывода омметра к каждому из двух выводовтранзистора, не подключенных к первому выводу омметра, соответствует небольшомусопротивлению (оба перехода открыты).

Тогда вывод транзистора, к которому подключенпервый вывод омметра, является выводом базы. Если первый вывод омметра являетсяплюсовым, значит, транзистор относится к n-p-n проводимости, если — минусовым,значит, p-n-р проводимости. Теперь нужно определить, какой из двух оставшихсявыводов транзистора является выводом коллектора.

Для этого омметр подключается к этим двумвыводам, база соединяется с плюсовым выводом омметра при n-р-n транзисторе илис минусовым выводом омметра при р-n-р транзисторе и замечается сопротивление,которое измеряется омметром. Затем выводы омметра меняются местами, (базаостается подключенной к тому же выводу омметра, что и ранее) и вновь замечаетсясопротивление по омметру. В том случае, когда сопротивление оказывается меньше,база была соединена с коллектором транзистора. Полевые транзисторы проверять нерекомендуется.

Проверка микросхем.

При помощи омметра можно производить проверку техмикросхем, которые представляют собой набор диодов или биполярных транзисторов.Таковы, например, диодные сборки и матрицы КДС111, КД906 и микросхемы К159НТ,К198НТ и другие.

Проверка диода, транзистора производится по ужеописанной методике. Если неизвестно назначение выводов сборки или микросхемы,оно также может быть определено, хотя из-за наличия нескольких транзисторов водном корпусе приходится проводить более громоздкие измерения. При этом нужноустановить систему подключения омметра к выводам, чтобы выполнить все возможныекомбинации.

РАЗРАБОТКА И ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ

При разработкеразличных устройств радиолюбители пользуются обычно двумя способамиизготовления печатных плат — прорезанием канавок и травлением рисунка,используя стойкую краску. Первый способ прост, но непригоден для выполнениясложных устройств. Второй — более универсален, но порой пугает радиолюбителейсложностью из-за незнания некоторых правил при проектировании и изготовлениитравленых плат. Об этих правилах и рассказывается в разделе.

Проектироватьпечатные платы наиболее удобно в масштабе 2:1 на миллиметровке или другомматериале, на котором нанесена сетка с шагом 5 мм. При проектировании вмасштабе 1:1 рисунок получается мелким, плохо читаемым и поэтому при дальнейшейработе над печатной платой неизбежны ошибки. Масштаб 4:1 приводит к большимразмерам чертежа и неудобству в работе.

Все отверстияпод выводы деталей в печатной плате целесообразно размещать в узлах сетки, чтосоответствует шагу 2,5 мм на реальной плате (далее по тексту указаны реальныеразмеры). С таким шагом расположены выводы у большинства микросхем впластмассовом корпусе, у многих транзисторов и других радиокомпонентов. Меньшеерасстояние между отверстиями следует выбирать лишь в тех случаях, когда этокрайне необходимо.

В отверстия сшагом 2,5 мм, лежащие на сторонах квадрата 7,5 х 7,5 мм, удобно монтироватьмикросхему в круглом металлостеклянном корпусе. Для установки на платумикросхемы в пластмассовом корпусе с двумя рядами жестких выводов в платенеобходимо просверлить два ряда отверстий. Шаг отверстий — 2,5 мм, расстояниемежду рядами кратно 2,5 мм. Заметим, что микросхемы с жесткими выводами требуютбольшей точности разметки и сверления отверстий.

Если размерыпечатной платы заданы, вначале необходимо начертить ее контур и крепежныеотверстия. Вокруг отверстий выделяют запретную для проводников зону с радиусом,несколько превышающим половину диаметра металлических крепежных элементов.

Далее следуетпримерно расставить наиболее крупные детали -реле, переключатели (если ихвпаивают в печатную плату), разъемы, большие детали и т.д. Их размещение обычносвязано с общей конструкцией устройства, определяемой размерами имеющегосякорпуса или свободного места в нем. Часто, особенно при разработке портативныхприборов, размеры корпуса определяют по результатам разводки печатной платы.

Цифровыемикросхемы предварительно расставляют на плате рядами с межрядными промежутками7,5 мм. Если микросхем не более пяти, все печатные проводники обычно удаетсяразместить на одной стороне платы и обойтись небольшим числом проволочныхперемычек, впаиваемых со стороны деталей. Попытки изготовить одностороннююпечатную плату для большего числа цифровых микросхем приводят к резкомуувеличению трудоемкости разводки и чрезмерно большому числу перемычек. В этихслучаях разумнее перейти к двусторонней печатной плате.

Условимсяназывать ту сторону платы, где размещены печатные проводники, сторонойпроводников, а обратную — стороной деталей, даже если на ней вместе с деталямипроложена часть проводников. Особый случай представляют платы, у которых ипроводники, и детали размещены на одной стороне, причем детали припаяны кпроводникам без отверстий. Платы такой конструкции применяют редко.

Микросхемыразмещают так, чтобы все соединения на плате были возможно короче, а числоперемычек было минимальным. В процессе разводки проводников взаимное размещениемикросхем приходится менять не раз.

Рисунок печатныхпроводников аналоговых устройств любой сложности обычно удается развести наодной стороне платы. Аналоговые устройства, работающие со слабыми сигналами, ицифровые на быстродействующих микросхемах (например, серий КР531, КР1531, К500,КР1554) независимо от частоты их работы целесообразно собирать на платах сдвусторонним фольгированием, причем фольга той стороны платы, где располагаютдетали, будет играть роль общего провода и экрана. Фольгу общего провода неследует использовать в качестве проводника для большого тока, например, отвыпрямителя блока питания, от выходных ступеней, от динамической головки.

Далее можноначинать собственно разводку. Полезно заранее измерить и записать размеры мест,занимаемых используемыми элементами. Резисторы МЛТ-0,125 устанавливают рядом,соблюдая расстояние между их осями 2,5 мм, а между отверстиями под выводыодного резистора — 10 мм. Так же размечают места для чередующихся резисторовМЛТ-0,125 и МЛТ-0,25, либо двух резисторов МЛТ-0,25, если при монтаже слегкаотогнуть один от другого (три таких резистора поставить вплотную к плате уже неудастся).

С такими жерасстояниями между выводами и осями элементов устанавливают большинствомалогабаритных диодов и конденсаторов КМ-5 и КМ-6, вплоть до КМ-66 емкостью 2,2мкФ; не надо размещать бок о бок две «толстые» (более 2,5 мм) детали,их следует чередовать с «тонкими». Если необходимо, расстояние междуконтактными площадками той или иной детали увеличивают относительнонеобходимого.

В этой работеудобно использовать небольшую пластину-шаблон из стеклотекстолита или другогоматериала, в которой с шагом 2,5 мм насверлены рядами отверстия диаметром1...1,1 мм, и на ней примерять возможное взаимное расположение элементов. Еслирезисторы, диоды и другие детали с осевыми выводами располагать перпендикулярнопечатной плате, можно существенно уменьшить ее площадь, однако рисунок печатныхпроводников усложнится.

При разводкеследует учитывать ограничения в числе проводников, умещающихся междуконтактными площадками, предназначенными для подпайки выводов радиоэлементов.Для большинства используемых в радиолюбительских конструкциях деталей диаметротверстий под выводы может быть равен 0,8 мм. Ограничения на число проводниковдля типичных вариантов расположения контактных площадок с отверстиями такогодиаметра приведены на рис. 135 (сетка соответствует шагу 2,5 мм на плате).

Междуконтактными площадками отверстий с межцентровым расстоянием 2,5 мм провестипроводник практически нельзя. Однако это можно сделать, если у одного или обоихотверстий такая площадка отсутствует (например, у неиспользуемых выводовмикросхемы или у выводов любых деталей, припаиваемых на другой стороне платы).Такой вариант показан на рис. 135 посредине вверху.

Прииспользовании микросхем, у которых выводы расположены в плоскости корпуса(серии 133, К134 и др.), их можно смонтировать, предусмотрев для этогосоответствующие фольговые контактные площадки с шагом 1,25 мм, однако этозаметно затрудняет и разводку, и изготовление платы. Гораздо целесообразнеечередовать подпайку выводов микросхемы к прямоугольным площадкам со стороныдеталей и к круглым площадкам через отверстия -на противоположной стороне.

Подобныемикросхемы, имеющие длинные выводы (например, серии 100), можно монтировать также, как пластмассовые, изгибая выводы и пропуская их в отверстия платы.Контактные площадки в этом случае располагают в шахматном порядке.

При разработкедвусторонней платы надо постараться, чтобы на стороне деталей осталось возможноменьшее число соединений. Это облегчит исправление возможных ошибок,налаживание устройства и, если необходимо, его модернизацию. Под корпусамимикросхем проводят лишь общий провод и провод питания, но подключать их нужнотолько к выводам питания микросхем. Проводники к входам микросхем, подключаемымк цепи питания или общему проводу, прокладывают на стороне проводников, причемтак, чтобы их можно было легко перерезать при налаживании илиусовершенствовании устройства.

Если жеустройство настолько сложно, что на стороне деталей приходится прокладывать ипроводники сигнальных цепей, позаботьтесь о том, чтобы любой из них былдоступен для подключения к нему и перерезания.

При разработкерадиолюбительских двусторонних печатных плат нужно стремиться обойтись безспециальных перемычек между сторонами платы, используя для этого контактныеплощадки соответствующих выводов монтируемых деталей; выводы в этих случаяхпропаивают с обеих сторон платы. На сложных платах иногда удобно некоторыедетали подпаивать непосредственно к печатным проводникам.

Прииспользовании сплошного слоя фольги платы в роли общего провода отверстия подвыводы, не подключаемые к этому проводу, следует раззенковать со стороныдеталей.

Обычно узел,собранный на печатной плате, подключают к другим узлам устройства гибкимипроводниками. Чтобы не испортить печатные проводники при многократныхперепайках, желательно предусмотреть на плате в точках соединений контактныестойки (удобно использовать штыревые контакты диаметром 1 и 1,5 мм от разъемов2РМ). Стойки вставляют в отверстия просверленные точно по диаметру ипропаивают. На двусторонней печатной плате контактные площадки для распайкикаждой стойки должны быть на обеих сторонах.

Пайка.

         Для хорошей пайки необходимо: чистый,хорошо залуженный паяльник; припой, флюс, паяльный жир. Припои бываюттугоплавкие и легкоплавкие, для радиомонтажных работ следует применять легкоплавкиеприпои. Разными бывают и флюсы, существуют активные флюсы, например паяльнаякислота (применяется для пайки кастрюль, радиаторов и т.д.), и безкислородные,типичным представителем безкислородных флюсов является обычная сосноваяканифоль. Флюсы применятся для удаления окисла с поверхности металла. Отличитьприпои можно по маркировке, например ПОСК – это значит припойоловянисто-свинцовый с примесью кадмия; ПОС61- припой оловянисто-свинцовый ссодержанием олова 60% + 1% флюса.

Краткоеописание устройства.

Электрическая схема.

<img src="/cache/referats/18820/image001.jpg" v:shapes="_x0000_i1025">

Спецификация

Обозначение

Тип

Кол-во

Примечание

Т1

ТВК-110-312

1 Шт.

S1

6A 220V

1 Шт.

С индикатором.

FU

1 A

1 Шт.

VD1-VD5

Д226Д

5 Шт.

VD6

Д814Д

1 Шт.

VT1,VT2

МП42Б

2 Шт.

VT3

П213Б

1 Шт.

R1

МЛТ-1 10 кОм 0,5 Вт

1 Шт.

R2

МЛТ-1 360 Ом

1 Шт.

R3

МЛТ-1 4,7 кОм

1 Шт.

R4,R5

МЛТ-1 1 кОм

2 Шт.

C1

К50-12 500 мкФ 25 В

1 Шт.

X1

6А  220В

1 Шт.

X2

?

1 Шт.

Черный

<p align=«center»
еще рефераты
Еще работы по радиоэлектронике