Реферат: Расчёт параметров и характеристик полупроводникового диода и транзистора МДП – типа

Министерство образования и наукиУкраины

Запорожская государственнаяинженерная академия

Факультет электронной техники иэлектронных технологий

Кафедра электронных систем

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовому проекту

по дисциплине: Твердотельная электроника

на тему: Расчёт параметров ихарактеристик полупроводникового диода и транзистора МДП – типа

Студент группы ЭС — 2 — 04д                                       С.В.

Руководитель проекта                                                     Мовенко Е.Д.

Запорожье

2006

РЕФЕРАТ

27с.,17рисунков,8таблиц, 6 ссылок.

Вкурсовом проекте рассмотрены структура, основные элементы и  вольтамперные характеристикиполупроводниковых диодов,принцип действия, структура и условные графические обозначения МДП-транзисторов.

В результате расчетовопределены параметры и характеристики выпрямительного диода и  МДП-транзистора. В соответствии с полученными  результатами  расчетов  построены  соответствующие графики.

Выпрямительныйдиод, нагрузка, p-n-переход, легирование, потенциальный барьер,уровень Ферми, запрещенная зона, зона проводимости, валентная зона, контактнаяразность потенциалов, диффузионный ток, транзистор, сток, исток, затвор,инжекция, экстракция, рекомбинация, лавинный пробой, туннельный пробой,тепловой пробой, подложка

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………………5  

1  ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ………………………………………….6

1.1Структурные особенности полупроводникового диода…………….6

1.2 Прямое включение диода……………………………………………….6

1.3 Обратное включение диода…………………………………………….7

2  ТРАНЗИСТОРЫ МДП-ТИПА………………………………………………….9

2.1 Конструкция и принцип действия……………………………………9

<span Times New Roman"">           

Условные графические обозначения МОП – транзисторов…………10

3  РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА.......................................................................11

3.1 Исходные данные…………………………………………………..11

3.2 Модель выпрямительного диода…………………………………….11

3.3 Расчет параметров и характеристик диода………………………14

4  РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК

МДП-ТРАНЗИСТОРА…………………………………………..…………….22

ВЫВОДЫ……………………………………………………………………….26

СПИСОКССЫЛОК…………………………………………………………….27

ВВЕДЕНИЕ

Широкоеприменениеполупроводниковыхприборов объясняется тем, что по сравнению с электронными лампами они обладаютнеоспоримыми преимуществами, главными среди которых являются малые габариты ивес, высокий коэффициент полезного действия, почти неограниченный срок службы,высокая эксплуатационная надежность. Такие приборы способны работать прималых напряжениях питания и на высоких частотах.

Наиболеераспространёнными приборами в электронике являются выпрямительные диоды, полупроводниковыестабилитроны, туннельные, импульсные и СВЧ диоды, а также  биполярные и полевые транзисторы, которыеиспользуются в преобразовательных устройствах в качестве  усилителей и вентилей. Широкоераспространение получили полностью управляемые вентили — биполярные и полевыетранзисторы, заменяющие диоды и тиристоры, особенно в устройствах малой исредней мощности.

Длятого чтобы конструировать электронные схемы и эффективно применятьполупроводниковые приборы нужно знать принципы их действия и основные параметры. Изложение этих фундаментальныхпредставлений являются основной задачей твердотельной электроники как науки иучебной дисциплины  [1].

1  ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

1.1Структурные особенности полупроводникового диода

Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронныйприбор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа,количества, уровня легирования внутренних элементов диода характеристики  полупроводниковых диодов бывают различными. Основувыпрямительного диода составляет обычный электронно-дырочный переход (рис. 1.1).Вольт-амперная характеристика такого диода имеет ярко выраженную нелинейность.В прямом смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляетсобой диффузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещенииток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компоненту токанеосновных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток, обусловленныйдиффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок, равен нулю.

<img src="/cache/referats/23525/image001.gif" v:shapes="_x0000_s1046">

Рисунок 1.1 Электронно-дырочный переход

1.2 Прямое включение диода

При прямом напряжении на диодевнешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на p-n-переходе, так как внешнееэлектрическое поле при прямом включении диода направлено противоположнодиффузионному полю. Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшаетсяпропорционально приложенному к диоду напряжению. [2]

Up-n прям

Up-n обратн

Iпрям

Iобратн

<img src="/cache/referats/23525/image002.gif" v:shapes="_x0000_s1047 _x0000_s1048 _x0000_s1049 _x0000_s1050 _x0000_s1051 _x0000_s1052 _x0000_s1053 _x0000_s1054 _x0000_s1055 _x0000_s1056">p-n-переход.Типичная ВАХ полупроводникового диода изображена на рисунке 1.2.

Рисунок 1.2ВАХ полупроводникового диода

1.3 Обратноевключение диода

Обратный ток диода, как видно из рисунка 1.2, начинаяс очень малых значений обратного напряжения, не будет изменяться с изменениемнапряжения. Этот  неизменный с изменениемнапряжения обратный ток через диод, называемый током насыщения, объясняется экстракциейнеосновных носителей заряда из прилегающих к переходу областей. Этоприводит к уменьшению граничной концентрации неосновных носителей заряда около p-n-перехода и дальнейшему расширениюобласти пространственного заряда из-за увеличения потенциального барьера.[3]  

+

+

+

+

+

+

p

n

+

-

Up-n

<span Arial",«sans-serif»; mso-bidi-font-family:«Times New Roman»">Евнутр

<span Arial",«sans-serif»; mso-bidi-font-family:«Times New Roman»">Евнешн

-

-

-

-

-

-

<img src="/cache/referats/23525/image003.gif" v:shapes="_x0000_s1057 _x0000_s1058 _x0000_s1059 _x0000_s1060 _x0000_s1061 _x0000_s1062 _x0000_s1063 _x0000_s1064 _x0000_s1065 _x0000_s1066 _x0000_s1067 _x0000_s1068 _x0000_s1069 _x0000_s1070 _x0000_s1071 _x0000_s1072 _x0000_s1073 _x0000_s1074 _x0000_s1075 _x0000_s1076 _x0000_s1077 _x0000_s1078 _x0000_s1079 _x0000_s1080 _x0000_s1081 _x0000_s1082 _x0000_s1083 _x0000_s1084 _x0000_s1085 _x0000_s1086 _x0000_s1087 _x0000_s1088 _x0000_s1089 _x0000_s1090 _x0000_s1091 _x0000_s1092 _x0000_s1093 _x0000_s1094">

Рисунок1.3 Обратное включение полупроводникового диода

2<span Times New Roman"">      

ТРАНЗИСТОРЫ МДП-ТИПА

2.1 Конструкция и принципдействия

Типичная конструкцияМДП-транзистора с индуциро­ванным р-каналом изображена на рисунке 2.1.

<img src="/cache/referats/23525/image005.gif" v:shapes="_x0000_s1163 _x0000_s1167">


Рисунок 2.1Структура МДП-транзистора

 

На рисунке подписаны: 1 — областьистока; 2 — р-канал; 3 — металлизация затвора; 4 — диэлектрик; 5 — областьстока; 6 — подложка; 7 — область пространственного заряда (ОПЗ); 8 —металлизация подложки.

Стоко­вая и истоковаяр-области совместно с индуцированным р-каналом образуют выходную цепьМДП-транзистора. Управление выходной мощностью обеспечивается изме­нением напряженияна затворе: если напряже­ние на затворе станет более отрицательным, то сопротив­лениеканала уменьшится и при заданном напряжении на стоке выходной ток  увеличится.[4]

Транзистор,у которого канал создаётся вследствие приложенного напряжения на затворе,называется транзистором с индуцированным каналом. Однако может быть транзистори со встроенным каналом. В этом случае канал заранее создаётся технологическимиметодами.

Следуетотметить, что МОП транзистор со встроенным каналом может работать в режимеобеднения и обогащения.[5] 

2.2<span Times New Roman"">          

 Условныеграфические обозначения МОП – транзисторов

<img src="/cache/referats/23525/image006.gif" v:shapes="_x0000_s1194">

С

<img src="/cache/referats/23525/image007.gif" v:shapes="_x0000_s1188"><img src="/cache/referats/23525/image009.jpg" v:shapes="_x0000_s1174">

С

<img src="/cache/referats/23525/image007.gif" v:shapes="_x0000_s1181">Существуютразличные графические обозначения МДП-транзисторов со встроенным каналом n-типаи p-типа (рисунок 2.2 а, б) и синдуцированным каналом n-типа и p-типа (рисунок 2.3 а, б).

П

И

П

И

З

З

<img src="/cache/referats/23525/image011.gif" v:shapes="_x0000_s1173 _x0000_s1182 _x0000_s1183 _x0000_s1184 _x0000_s1193"> <img src="/cache/referats/23525/image012.gif" v:shapes="_x0000_s1185"> <img src="/cache/referats/23525/image013.gif" v:shapes="_x0000_s1186"> <img src="/cache/referats/23525/image014.gif" v:shapes="_x0000_s1187">


                                          

                                           а)                                                  б)                   

Рисунок 2.2 Условные графические обозначения МОП –транзисторов с индуцированным каналом n-типа (а) иp-типа (б)

С

<img src="/cache/referats/23525/image015.gif" v:shapes="_x0000_s1200">

С

<img src="/cache/referats/23525/image015.gif" v:shapes="_x0000_s1223">                                                                             

П

П

И

З

З

И

<img src="/cache/referats/23525/image016.gif" v:shapes="_x0000_s1195 _x0000_s1196 _x0000_s1197 _x0000_s1198 _x0000_s1202 _x0000_s1205"> <img src="/cache/referats/23525/image012.gif" v:shapes="_x0000_s1199"> <img src="/cache/referats/23525/image017.gif" v:shapes="_x0000_s1225 _x0000_s1226"> <img src="/cache/referats/23525/image013.gif" v:shapes="_x0000_s1222"> <img src="/cache/referats/23525/image014.gif" v:shapes="_x0000_s1201"> <img src="/cache/referats/23525/image018.jpg" v:shapes="_x0000_s1224"><img src="/cache/referats/23525/image020.gif" v:shapes="_x0000_s1220">


                                           

                                          а)                                                  б)                   

Рисунок 2.3 Условные графические обозначения МОП –транзисторов со встроенным каналом n-типа (а) иp-типа (б)

3  РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ИХАРАКТЕРИСТИК ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА

3.1 Исходные данные

Расчёты параметров ихарактеристик диода выполняем в предположении, что диод является кремниевым иимеет кусочно-однородную структуру типа  p+-n.

Исходные данные для расчетов:геометрия кристалла — параллелепипед с квадратным основанием А=1 см, толщинапластины h = 300 мкм, толщина базы <span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">w

б=280 мкм, концентрация Nб=1014 см-3 примесных атомов висходном кристалле; концентрация примесных атомов в эмиттерной области Nэ=1018 см-3; время жизнинеравновесных носителей в исходном кремнии <span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">tб= 10 мкс; тепловое сопротивление корпуса диода RТ= 1,5 К/Вт.

3.2Модель выпрямительного диода

<img src="/cache/referats/23525/image022.jpg" v:shapes="_x0000_s1026">Наиболеераспространенная в теории электрических цепей модель полупроводникового диода,достаточно полно учитывающая особенности его нелинейной вольт-ампернойхарактеристики, — модернизированная модель Эберса-Молла (рисунок 3.1). Даннаямодель включает барьерную и диффузионную ёмкости диода (Сбд , Сдд), ток  p-n-перехода (Ip-n), сопротивление базы диода (Rб) и сопротивление утечки (Rу).

Рисунок 3.1   Модель Эберса — Молла полупроводниковогодиода

Тепловой потенциал φт , В:

<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">j

Т = КТ/q=1,38·10-23·300/1,6·10-19=0,026                                (3.1)

где  K  — постоянная Больцмана;

T— абсолютная температура в кельвинах;

q— заряд электрона.

Коэффициент диффузии дырок в базе Dpб, см2/с:

Dpб=<img src="/cache/referats/23525/image024.gif" v:shapes="_x0000_i1025">φт=470∙0,026= 12,22                                                   (3.2)

<img src="/cache/referats/23525/image025.gif" v:shapes="_x0000_s1036"><img src="/cache/referats/23525/image027.gif" v:shapes="_x0000_s1027">
где <img src="/cache/referats/23525/image024.gif" v:shapes="_x0000_i1026">2/В*с) — подвижность дырок, котораяопределена по рисунку 3.2.

<img src="/cache/referats/23525/image028.gif" v:shapes="_x0000_s1040">


<img src="/cache/referats/23525/image029.gif" v:shapes="_x0000_s1039">Рисунок 3.2 Зависимость подвижности электронов идырок от концентрации примеси кремния  при 300К

Тепловой ток диода Iдо, А :

<img src="/cache/referats/23525/image031.gif" v:shapes="_x0000_i1027">       (3.3)

где   <img src="/cache/referats/23525/image033.gif" v:shapes="_x0000_i1028"> — концентрация собственныхносителей в полупроводнике;

<img src="/cache/referats/23525/image035.gif" align=«left» hspace=«12» v:shapes="_x0000_s1028">— площадь  p-n  перехода.

Контактная разность потенциалов φк, В:

<img src="/cache/referats/23525/image037.gif" v:shapes="_x0000_i1029">                      (3.4)

Барьерная емкость диода Сб0, Ф:

<img src="/cache/referats/23525/image039.gif" v:shapes="_x0000_s1029">

                                                                                                          (3.5)

Сопротивление базы диода Rб, Ом:

<img src="/cache/referats/23525/image041.gif" v:shapes="_x0000_i1030">                (3.6)

где <img src="/cache/referats/23525/image043.gif" v:shapes="_x0000_i1031"> — удельное сопротивление базыдиода, определяем по рисунку3.3 .

<img src="/cache/referats/23525/image045.gif" v:shapes="_x0000_i1032">

Рисунок 3.3  Зависимость удельного сопротивления германия и кремния от концентрациипримеси при 300К

3.3 Расчетпараметров и характеристик диода

Напряжениепрокола Uпрок, В:

<img src="/cache/referats/23525/image047.gif" v:shapes="_x0000_i1033">                (3.7)

Напряжениелавинного пробоя Uл, В:

<img src="/cache/referats/23525/image049.gif" v:shapes="_x0000_i1034">                                (3.8)

Рабочееобратное напряжение Uобр, В:

<img src="/cache/referats/23525/image051.gif" v:shapes="_x0000_i1035">                       (3.9)

где    0,7 — коэффициент запаса.

Толщинаобедненного слоя l, см:

<img src="/cache/referats/23525/image053.gif" v:shapes="_x0000_i1036">   

Генерационныйток перехода Iг, А

<img src="/cache/referats/23525/image055.gif" v:shapes="_x0000_i1037">                   (3.10)

Коэффициент лавинногоумножения М:

<img src="/cache/referats/23525/image057.gif" v:shapes="_x0000_i1038">                                     (3.11)

где n– эмпирическаяконстанта, для n-Si   n=5.

Обратный ток диода <img src="/cache/referats/23525/image059.gif" v:shapes="_x0000_i1039">

<img src="/cache/referats/23525/image061.gif" v:shapes="_x0000_i1040">                     (3.12)

Диффузионная длинанеравновесных носителей <img src="/cache/referats/23525/image063.gif" v:shapes="_x0000_i1041">cм:

<img src="/cache/referats/23525/image065.gif" v:shapes="_x0000_i1042">                                (3.13)

Находим <img src="/cache/referats/23525/image067.gif" v:shapes="_x0000_i1043"> и <img src="/cache/referats/23525/image069.gif" v:shapes="_x0000_i1044">

<img src="/cache/referats/23525/image071.gif" v:shapes="_x0000_i1045">                                                                      (3.14)

<img src="/cache/referats/23525/image073.gif" v:shapes="_x0000_i1046">                                                (3.15)

По графикам (рисунок 3.2)определяем подвижности электронов и дырок: μn=1320 см2/(В*с); μp=470 см2/(В*с).

Максимальныйпрямой ток диода и максимальное прямое падение напряжения находят из условияравенства мощности, выделяющейся при протекании тока через диод, и тепловоймощности, отдаваемой в окружающую среду: <img src="/cache/referats/23525/image075.gif" v:shapes="_x0000_i1047">

Электрическаямощность, выделяющаяся при протекании тока:<img src="/cache/referats/23525/image077.gif" v:shapes="_x0000_i1048">

Тепловаямощность, отдаваемая в окружающую среду, определяется перепадом температурмежду  p-nпереходом ивнешней поверхностью корпуса и тепловым сопротивлением корпуса диода.

<img src="/cache/referats/23525/image079.gif" v:shapes="_x0000_i1049">

Равенство величин  <img src="/cache/referats/23525/image081.gif" v:shapes="_x0000_i1050"> и  <img src="/cache/referats/23525/image083.gif" v:shapes="_x0000_i1051"> дает уравнение

<img src="/cache/referats/23525/image085.gif" v:shapes="_x0000_i1052">                                                                     (3.16)

Определяем <img src="/cache/referats/23525/image087.gif" v:shapes="_x0000_i1053">

<img src="/cache/referats/23525/image089.gif" v:shapes="_x0000_i1054">                                        (3.17)

По ВАХ диодас помощью компьютера находим произведение <img src="/cache/referats/23525/image091.gif" v:shapes="_x0000_i1055">I=75,4 А;  U=0,99В.

Падение напряжения диода для тока I:

<img src="/cache/referats/23525/image093.gif" v:shapes="_x0000_i1056">                                                  (3.18)

          Находим<img src="/cache/referats/23525/image095.gif" v:shapes="_x0000_i1057">  A:

<img src="/cache/referats/23525/image097.gif" v:shapes="_x0000_i1058">             (3.19)

Определяем коэффициент <img src="/cache/referats/23525/image099.gif" v:shapes="_x0000_i1059">

<img src="/cache/referats/23525/image101.gif" v:shapes="_x0000_i1060">                                        (3.20)

Зависимость <img src="/cache/referats/23525/image103.gif" v:shapes="_x0000_i1061"> описываетсясоотношением, Ом:

<img src="/cache/referats/23525/image105.gif" v:shapes="_x0000_i1062">       (3.21)

Максимальная плотность тока p-nперехода <img src="/cache/referats/23525/image107.gif" v:shapes="_x0000_i1063">2:

<img src="/cache/referats/23525/image109.gif" v:shapes="_x0000_i1064">                                                               (3.22)

Прямаяветвь ВАХ диода определяется с помощью соотношения:

<img src="/cache/referats/23525/image111.gif" v:shapes="_x0000_i1065"> ,    где <img src="/cache/referats/23525/image113.gif" v:shapes="_x0000_i1066">,         <img src="/cache/referats/23525/image115.gif" v:shapes="_x0000_i1067">           (3.23)

<img src="/cache/referats/23525/image117.gif" v:shapes="_x0000_i1068">

Результатырасчетов токов и напряжений оформлены в виде таблицы 3.1.

Таблица 3.1  Прямая  ВАХ диода

<span Arial CYR",«sans-serif»">Iд, мА

<span Arial CYR",«sans-serif»">U p-n, В

<span Arial CYR",«sans-serif»">U Rб, В

<span Arial CYR",«sans-serif»">Uд, В

<span Arial CYR",«sans-serif»">0

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,00

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,00

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,00

<span Arial CYR",«sans-serif»">10

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,65

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,04

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,69

<span Arial CYR",«sans-serif»">20

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,67

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,08

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,75

<span Arial CYR",«sans-serif»">30

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,68

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,11

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,79

<span Arial CYR",«sans-serif»">40

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,69

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,15

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,84

<span Arial CYR",«sans-serif»">50

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,69

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,19

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,88

<span Arial CYR",«sans-serif»">60

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,70

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,23

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,93

<span Arial CYR",«sans-serif»">70

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,70

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,27

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,97

<span Arial CYR",«sans-serif»">75,4

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,70

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,29

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,99

<img src="/cache/referats/23525/image119.gif" v:shapes="_x0000_s1030">

Рисунок 3.4  График зависимости Uд= f(Iд) для прямого напряжения на диоде

Обратнуюветвь ВАХ рассчитаем с помощью соотношения:

<img src="/cache/referats/23525/image121.gif" v:shapes="_x0000_i1069">,                                                                        (3.24)

где

<img src="/cache/referats/23525/image123.gif" v:shapes="_x0000_i1070"> ,                                                                                         (3.25)

<img src="/cache/referats/23525/image125.gif" v:shapes="_x0000_i1071">                   (3.26)

<img src="/cache/referats/23525/image127.gif" v:shapes="_x0000_i1072">                                     (3.27)

Таблица 3.2   Обратная ветвь ВАХ диода

<span Arial CYR",«sans-serif»">U, В

<span Arial CYR",«sans-serif»">I, A

<span Arial CYR",«sans-serif»">0

<span Arial CYR",«sans-serif»">0,00E+00

<span Arial CYR",«sans-serif»">2

<span Arial CYR",«sans-serif»">3,39E-08

<span Arial CYR",«sans-serif»">4

<span Arial CYR",«sans-serif»">5,59E-08

<span Arial CYR",«sans-serif»">6

<span Arial CYR",«sans-serif»">7,36E-08

<span Arial CYR",«sans-serif»">8

<span Arial CYR",«sans-serif»">8,87E-08

<span Arial CYR",«sans-serif»">10

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,02E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">12

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,15E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">14

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,26E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">16

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,36E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">18

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,46E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">20

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,56E-07

<img src="/cache/referats/23525/image129.gif" v:shapes="_x0000_s1031">

Рисунок  3.5   График обратной ветви ВАХ диода Iобр=f(Uобр)

Зависимость  <img src="/cache/referats/23525/image131.gif" v:shapes="_x0000_i1073"> описывается формулой:

<img src="/cache/referats/23525/image133.gif" v:shapes="_x0000_i1074">                            (3.28)

Результатырасчётов генерационных токов диода представлены в таблице 3.3. На основанииполученных данных построена зависимость  Iг=f(Uобр) (рисунок 3.6).

Таблица 3.3   Зависимость Iг=f(Uобр)

<span Arial CYR",«sans-serif»">Uобр, В

<span Arial CYR",«sans-serif»">I г, А

<span Arial CYR",«sans-serif»">0

<span Arial CYR",«sans-serif»">3,52E-08

<span Arial CYR",«sans-serif»">2

<span Arial CYR",«sans-serif»">6,90E-08

<span Arial CYR",«sans-serif»">4

<span Arial CYR",«sans-serif»">9,11E-08

<span Arial CYR",«sans-serif»">6

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,09E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">8

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,24E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">10

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,37E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">12

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,50E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">14

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,61E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">16

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,72E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">18

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,82E-07

<span Arial CYR",«sans-serif»">20

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,91E-07

<img src="/cache/referats/23525/image135.gif" v:shapes="_x0000_i1075">

Рисунок3.6   График зависимости Iг=f(Uобр)

Зависимость <img src="/cache/referats/23525/image137.gif" v:shapes="_x0000_i1076"> коэффициента лавинногоумножения от обратного напряжения на диоде описывается формулой:

<img src="/cache/referats/23525/image139.gif" v:shapes="_x0000_i1077">                                                    (3.29)

Таблица 3.4   Зависимость М=f(Uобр)

<span Arial CYR",«sans-serif»">U, В

<span Arial CYR",«sans-serif»">M

<span Arial CYR",«sans-serif»">0

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,0000

<span Arial CYR",«sans-serif»">40

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,0000

<span Arial CYR",«sans-serif»">80

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,0001

<span Arial CYR",«sans-serif»">120

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,0007

<span Arial CYR",«sans-serif»">160

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,0030

<span Arial CYR",«sans-serif»">200

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,0091

<span Arial CYR",«sans-serif»">240

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,0229

<span Arial CYR",«sans-serif»">280

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,0508

<span Arial CYR",«sans-serif»">320

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,1041

<span Arial CYR",«sans-serif»">360

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,2046

<span Arial CYR",«sans-serif»">400

<span Arial CYR",«sans-serif»">1,4038

<span

еще рефераты
Еще работы по радиоэлектронике