Реферат: Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
Техническое задание №6.
Схема логики ИЛИ-НЕ набиполярных транзисторах.
Технологияпланарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем
n-полупроводника.
<img src="/cache/referats/4282/image001.gif" v:shapes="_x0000_i1025">
Элемент
Характеристика
1
R1– R4
4,7 кОм <span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">±
20%2
R5
3,3 кОм <span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">±
20%3
C1– C4
20 пФ <span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">±
20% Uраб= 4 В, диэлектрик – SiO24
T1– T4
Типовыйтранзистор монолитных ИС, однобазовый полосковый.
еще рефераты
Еще работы по радиоэлектронике
Реферат по радиоэлектронике
Расчет размерной цепи
29 Августа 2013
Реферат по радиоэлектронике
Разработка гибкого производства по выпуску фазового компаратора
29 Августа 2013
Реферат по радиоэлектронике
Полосно-пропускающий фильтр
29 Августа 2013
Реферат по радиоэлектронике
Спиральные антенны (расчет)
29 Августа 2013