Реферат: Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Государственныйкомитет РФ по высшему образованию

НовгородскийГосударственный университет

им.Ярослава Мудрого

<img src="/cache/referats/3046/image001.gif" v:shapes="_x0000_s1026">


Кафедрафизики твердого тела и микроэлектроники

”РАСЧЕТРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ

ВКРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ

ИДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ”

Пояснительнаязаписка  

к курсовой работе

  подисциплине

”Физико-химические основы технологиимикроэлектроники”

                                                          Выполнил

                                                                 Студент группы 7033у

<img src="/cache/referats/3046/image002.gif" v:shapes="_x0000_s1027">                                                                                                Н.Е.Родин

                                                                   Проверил        

                                                                         Преподавателькафедры ФТТМ                                                           

<img src="/cache/referats/3046/image003.gif" v:shapes="_x0000_s1028">                                                                                  Б.М.Шишлянников

1998

Техническое задание

на курсовуюработу по дисциплине

«Физико-химические основы технологии микроэлектроники»

Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.

      

1.Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала приочистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

материал                            кремний

примеси-               Ga,P и Sb

исходноесодержание примесей (каждой)            0,02% (массовых)

Длятрех скоростей  перемещения зоны     Vкр =1,5; 5 и 15 мм/мин.

2.Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga   и представить графически область существованиятвердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси итемпературу предельной растворимости.

 Рассчитать и построить распределение указаннойвыше примеси  (Ga) в полупроводнике  после диффузионного отжига при различныхусловия диффузии:

· при условии бесконечного источника примеси наповерхности пластины и при температуре, соответствующей максимальнойрастворимости примеси в полупроводнике; время диффузии – 30 мин.

· при температуре  950 оС; время диффузии – 30 мин.

· после перераспределения примеси, накопленной вприповерхностном слое полупроводника  притемпературе  950 оС и временидиффузии – 30 мин. Условияперераспределения — полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.

Сроксдачи законченной  работы руководителю — июнь 1998 г.

Преподаватель… Б.М.Шишлянников

Студент      … Н.Е. Родин

Реферат.

Вкурсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремниязонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределенияGa в кремнии после диффузионногоотжига при различных условиях диффузии.

Курсоваяработа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и придиффузии. 

Содержание.

Введение…………………………………………………………………

5

1.

Расчетная часть………………………………………………………..

6

1.1

Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель……

6

1.2

Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки     (один проход расплавленной зоной)………………………..

10

1.2.1

Расчет распределения Si-Ga……………………………………………

10

1.2.2

Расчет распределения Si-P……………………………………………...

13

1.2.3

Расчет распределения Si-Sb…………………………………………….

14

1.3

Распределение примесей после диффузии…………………………….

18

1.3.1

Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)………………..

21

1.3.2

 Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело…………………………………………………..

22

1.3.3

Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины  (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей………………………………………………….

24

1.3.4

Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей……………………

25

1.4

Расчет распределения примеси после диффузионного легирования.

28

1.4.1

Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины  и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин………

28

1.4.2

Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С,и времени диффузии 30 мин……………….

29

1.4.3

Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в   приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа……………………….

30

Заключение……………………………………………………………...

32

Литература……………………………………………………………....

33

Введение.

Каждое вещество может находится всостоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторогоопределенного предела. Предел определяется различными условиями связанными сосвойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материаловдостижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимымпределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимойочистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.

Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройствиспользуется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях втехнологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зоннойплавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очисткиполупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологииразлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяетсовмещать в одном технологическом цикле сразу три операции:синтез,очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.

Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Дляизготовления p-nпереходов используется химическая диффузия примесных (растворимых)атомов,которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизическихсвойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике.      

1.Расчетная часть.

<span Times New Roman"">           

1.1 Описание процесса зонной плавки иее математическая модель.

нагреватель

расплав

закристаллизовавшаяся часть

кристалл

<img src="/cache/referats/3046/image006.gif" v:shapes="_x0000_s1029 _x0000_s1030 _x0000_s1031 _x0000_s1032 _x0000_s1033 _x0000_s1034 _x0000_s1035 _x0000_s1036 _x0000_s1037 _x0000_s1038 _x0000_s1039 _x0000_s1040 _x0000_s1041 _x0000_s1042 _x0000_s1043 _x0000_s1044 _x0000_s1045 _x0000_s1046 _x0000_s1047 _x0000_s1048 _x0000_s1049 _x0000_s1050 _x0000_s1051">Очистку полупроводниковых материалов методом зоннойплавки предложил в 1952 году Пфанн. В связи с различной растворимостью примесейв твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных ипроизводительных методов глубокой очистки монокристаллов. При его реализацииперед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла(рис.1), а только узкая расплавленная зона,которую перемещают вдоль слитка.

 

 

Рисунок1– Схема зонной плавки.

Большинство примесей обладает хорошейрастворимостью в жидкой фазе по сравнению с твердой (равновесный коэффициентсегрегации k0<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol"><

1), поэтому по мере продвижениязона плавления все больше насыщается примесями, которые скапливаются на конце слитка.Обычно процессзонной плавкиповторяют несколько раз,по окончании очистки загрязненный конец слитка отрезают. Для ускорения процессаочистки вдоль контейнера ставят несколько индукторов для образования ряда зонплавления. Для материалов сk0<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">>1очистка материалов зонной плавкой практически невозможна.

 Распределение примесей после одногопрохода расплавленной зоной при зонной плавке вдоль слитка представляется  уравнением

<img src="/cache/referats/3046/image008.gif" v:shapes="_x0000_i1025">         (1)

где Nтв – концентрация примеси взакристаллизовавшейся фазе на расстоянииx от начала слитка;

      Nо– исходная концентрация примеси в очищаемом материале;

      x– текущая координата (расстояниеот начала слитка);

      l –  длина расплавленной зоны;

      ko –равновесный коэффициент распределения.

Еслиизмерять длину слитка в длинах расплавленной зоны        a= x/l, выражение (1) следует записать иначе:

<img src="/cache/referats/3046/image010.gif" v:shapes="_x0000_i1026">    (2)

Приведенныеуравнения (1) и (2), являющиеся математическим описанием процесса зоннойплавки,  выведены при определенных  допущениях, сформулированных автором методазонной очистки  В. Пфанном при выводеэтих уравнений. Эти допущения в литературе принято называть пфанновскими, их суть в следующем:

1 Процессами диффузионного перераспределения компонентовсистемы в объеме слитка можно пренебречь, т.е. коэффициенты диффузии  компонентов в твердой фазе принимаютсяравными нулю ( Dтв = 0 ).

2Диффузия компонентов системы в жидкой фазе совершенна- концентрация компонентов  постоянна пообъему расплава в любой момент процесса;

3 Коэффициент распределения примеси – величинапостоянная и не зависит от концентрации примеси в кристаллизующемся веществе(кривые солидус и ликвидус диаграммы состояния прямолинейны);

4  Начальнаяконцентрация компонентов в исходном материале (слитке) одинакова по всемсечениям;

5Геометрияподвергаемого зонной плавке слитка (длина и поперечное сечение) в ходепроцесса остаются постоянными, плотности твердой и жидкой фаз равны (rтв=rж=r).

6 Расплав итвердая фаза при зонной плавке не взаимодействуют с окружающей средой — атмосферой и контейнером. Другими словами, в системе нет летучих и диссоциирующихкомпонентов, отсутствует поглощение примесей расплавом из атмосферы, материалконтейнера не растворяется в жидкой фазе.

Уравнения(1) и (2)  справедливы только на участкахслитка, на которых зона имеет две границы раздела фаз (постоянный объем). Когдав системе остается только кристаллизующаяся граница, распределение примесипредставляется другим уравнением, соответствующим процессу нормальнойнаправленной кристаллизации. Другими словами, если длина очищаемого слитка вдлинах зон равна A= L/l, то уравнения(1) и (2) справедливы на длине a = (L — l)/l = A-1.

Приa>A-1

<img src="/cache/referats/3046/image012.gif" v:shapes="_x0000_i1027"> ,                                          (3)

гдеg — доля закристаллизовавшегосярасплава последнего участка.

Толькопри проведении процесса при условиях, когда удовлетворяются все требования,приведенные выше, реальное распределение примеси в слитке после зонной плавкибудет соответствовать закону, представленному выражениями (1) и (2).

Анализпоказывает, что в большинстве реально протекаемых процессов зонной очисткиполупроводниковых материалов пфанновские допущения не реализуются. Вместе стем, вывод уравнений (1) и(2) без них был бы невозможен, а менее жесткиедопущения приводят к существенному усложнению получаемых выражений.

Наиболеежесткими являются условия 2 и 3.

Допущение2 в данной формулировке может выполняться только при бесконечно малых скоростяхкристаллизации (скорости движения зоны). В этом случае сравнительно быстрая (посравнению с диффузией в твердой фазе) диффузия в жидкой фазе в состояниипостоянно выравнивать концентрации компонентов системы в объеме расплавленной зоны.

Использованиивыражений (1) и (2) для представления распределения примеси при реальныхскоростях кристаллизации приводит к необходимости изменить формулировкудопущения 2.  Выполнение условияпостоянства концентрации компонентов по объему расплава возможно в даннойситуации только при реализации полного (идеального) перемешивания жидкой фазы.Предполагается, что в этом случае перераспределение компонентов и выравниваниесостава в жидкой фазе происходит мгновенно — т. е. эффективный коэффициентдиффузии  в жидкой фазе Dж =¥ .

Условиеполного перемешивания на практике реализовать невозможно. Процессымассопереноса в расплавленной зоне при реальных скоростях кристаллизации иразумной интенсивности перемешивании всегда приводят к образованиюдиффузионного слоя на  границе разделафаз в области кристаллизации. Наличие слоя жидкости с концентрационным пиком,из которого и происходит кристаллизация, влияние его на условия разделения компонентов учитывается введением ввыражения (1) и (2) эффективного коэффициента распределения kэфф вместо равновесного ko.

Равновесныйкоэффициент сегрегации связан с эффективным соотношением Бартона-Прима-Слихтера:

<img src="/cache/referats/3046/image014.gif" v:shapes="_x0000_i1028">                                                 (4)

где Vкр — скорость перемещения расплавленной зоны (скорость кристаллизации);

         d     — толщина диффузионного слоя;

         Dж-  коэффициент диффузии примеси вжидкой фазе.

Этазамена является лишь более или менее удачным приближением  к реальной ситуации, и не соответствуеттребованию условия постоянства концентрации.

Распределениепримеси после зонной плавки для реальных процессов описывается выражением

<img src="/cache/referats/3046/image016.gif" v:shapes="_x0000_i1029">                                (5)

Данноевыражение позволяет анализировать влияние на сегрегационные процессы скоростиперемещения зоны и условий перемешивания жидкой фазы.

Условие3 справедливо только для сильно разбавленных растворов, т.е. при малыхконцентрациях примеси в системе. Кроме того, условие малости концентрациидолжно соблюдаться на протяжении всего процесса зонной плавки. Для того,чтобы  допущение 3 оказалосьсостоятельным, требуется использовать при кристаллизационной очистке исходныематериалы прошедшие предварительную очистку.

1.2 Расчет распределения примеси вдоль слиткакремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)

1.2.1 Расчетраспределения Si-Ga.

Рассчитаемраспределение галия в слитке кремния для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5; 5 и 15 мм/мин.N0=0.02%(массовых).Длина зоны lсоставляет 10% от длины слитка L. Испарением примеси при переплавке пренебречь.

Распределениесурьмы вдоль слитка определяется уравнением (5) на длине слитка  a =(L — l)/l = A-1, т.е. при 0£a£9.

Приa> 9распределение примеси представляется уравнением (3).Доля закристаллизовавшегося расплава gна этом участке изменяется от нуля до величины, близкой к единице. Для g = 1 уравнение (3) не имеет смысла.

Преждечем приступить к расчету переведемN0из %(массовых) в % (атомные), а затем в см-3. Для этого воспользуемсяформулой перевода.

<img src="/cache/referats/3046/image018.gif" v:shapes="_x0000_i1030">                                           (6)

где А1, А2­­–атомные массы компонентов;

     N2–второй компонент смеси.

Атомная масса–длягаллия = 69,72[3]

 –для кремния = 28,08 [3]

<img src="/cache/referats/3046/image020.gif" v:shapes="_x0000_i1031">

Концентрациясобственных атомов в кристаллической решетке кремния Nсоб=5<span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×

1022 см-3. Следовательно,исходная концентрация галлия в слитке:N0=8,06<span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×10-5<span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×5<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; letter-spacing:0pt;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">×1022=4,03<span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×1018 см-3

Для расчетаэффективного коэффициента сегрегации воспользуемся выражением (4). Для галлия вкремнии k0=8<span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×

10-3[1]. Отношение <span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; letter-spacing:0pt;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">d/Dж=200с/см из задания.

Подставляязначения k0, <span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">d

/Dж, Vкрв (4),вычислимkэфф.Для этого Vкр переведем измм/мин в см/с,получим Vкр=2,5<span Times New Roman"; mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×10-3;8,33<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt; mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×10-3;2,5<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt; mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×10-2 см/с.Соответственно получим kэфф=1,3<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; letter-spacing:0pt;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">×10-2;4,09<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;letter-spacing:0pt; mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×10-2;0,545

· Заполняем расчетную таблицу, меняя с выбранным шагомрасстояние от начала слитка в длинахзоны a (на участке зоннойплавки). Последний участок слитка, на котором примесь распределяется всоответствии с уравнением (3), разбиваем, меняя расстояние от начала этогоучастка, пропорционально долезакристаллизовавшегося расплава g.

· Полученные результаты используются для построенияграфика распределения примеси Nтв вдольслитка. При построении профиля, какправило, используют полулогарифмический масштаб, т.к. значения концентрации изменяютсяпрактически на три порядка.

·  Определить распределение удельного сопротивления вдоль слитка можно либорасчетным методом, либо по кривым Ирвина.

Таблица 1 - Распределение галлия и удельного сопротивления вдоль слитка кремнияпосле зонной плавки (один проход расплавленной зоной).

Участок  зонной

 плавки

Участок   направленной

кристаллизации

а

Nтв,

см-3

r, Ом×см

(по кривым Ирвина)

g

(a=10)

Nтв,

см-3

r, Ом×см

(по кривым Ирвина)

Vкр=2,5<span Times New Roman";mso-hansi-font-family: «Times New Roman»;mso-ansi-language:EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family: Symbol">×

10-3см/с

5,24<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1016

0,42

4,92<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,098

1

1,04<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,28

0,2

6,13<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,085

2

1,54<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,21

0,4

8,15<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,071

3

2,04<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,18

0,6

1,22<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,06

4

2,54<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,15

0,8

2,41<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,032

5

3,03<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,14

0,9

4,77<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,02

6

3,51<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,13

0,99

4,63<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1019

0,0028

7

3,98<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,11

8

4,45<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,1

9

4,92<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,098

Vкр=8,33<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×

10-3см/с

1,6<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,2

1,35<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,05

1

3,2<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,135

0,2

1,67<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,048

2

4,68<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,098

0,4

2,2<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,036

3

6,11<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,085

0,6

3,25<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,028

4

7,48<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1017

0,075

0,8

6,32<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,017

6

1,0<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,061

0,9

1,23<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1019

0,009

7

1,13<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,055

0,99

1,12<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1020

0,0011

8

1,24<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,051

9

1,35<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,05

Vкр=2,5<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»;mso-ansi-language: EN-US;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol">×

10-2 см/с

2,2<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,036

4,02<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,0215

1

2,97<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,029

0,2

4,45<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,021

2

3,41<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,025

0,4

5,07<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,019

3

3,67<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,023

0,6

6,1<span Times New Roman";mso-hansi-font-family:«Times New Roman»; mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Wingdings"> 

1018

0,017

4

3,82<span Times New R

еще рефераты
Еще работы по радиоэлектронике