Реферат: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

/>

Министерство высшего образованияРФ.

Уральский государственныйуниверситет – УПИ

Кафедра “Технология исредства связи”

Расчетно-графическаяработа

Полупроводниковый диод

/>/>/>/>/>/>«КД213А»

Преподаватель: Болтаев А.В.

                                                              Студент: Черепанов К.А.

                                                               Группа: Р-207

Екатеринбург

2000

Аннотация

В данной работе в табличной форме приводятсяпаспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные)полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ)при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C;расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная,высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.

Содержание

1.  Краткая характеристика диода… 4

2.  Паспортные параметры:… 4

2.1.    Электрические… 4

2.2.    Предельные эксплуатационные… 4

3.  Вольт-амперная характеристика… 5

3.1.    При комнатной температуре… 5

3.2.    При повышенной… 6

4.  Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С     6

5.  Определение величины TKUпрям TKIобр… 6

6.  Определение сопротивления базы rб… 9

6.1.    Приближенное… 9

6.2.    Точное… 9

7.  Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема… 10

8.  Библиографический список… 10

9.  Затраты времени на:… 10

9.1.    Информационный поиск… 10

9.2.    Расчеты… 10

9.3.    Оформление… 10

Краткая характеристика диода

   Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для  преобразованияпеременного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в  металлопластмассовомкорпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятсяна корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.

  Масса диода не более 4 г.

/>/>/>/>/>/>/>КД213А[1]

/>

Рисунок 1

/>/>/>/>Паспортныепараметры:/>Электрические

    Постоянное прямое напряжение при  Iпр=10А, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В

  Постоянный обратный ток при, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА

Времяобратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А,и Iобр, и=0,1А:

КД213А…………………………………………………………...………………………300нс

Емкость диода, не более:

            приUобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ

            приUобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ

               Предельные эксплуатационныеПостоянное (импульсное)обратное напряжение……………………..………200ВПостоянный (средний) прямой ток при  RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10АИмпульсный  прямой ток при  tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А

Импульсный  обратный ток притемпературе корпуса от 213 до 358 К при       tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А

Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГцТепловое сопротивление

                переход-среда:……………………………….………………………………70К/Вт

          переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт

Температура перехода:……………………………………………………...+140°С

Температураокружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С

/>Общаятаблица параметровПредельные значения параметров при Т=25˚С Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С Значения параметров при Т= 25˚С R т п-к, ˚С/Вт />

I пр, ср max

А

 

Uобр, и, п мах, В Uобр мах, В Iпрг (Iпр, уд)мах, А fмах, кГц Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В tвос, обр (tвос, обр при  Tп мах), мкс I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА /> /> Т˚С tи(tпр), мс Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А Iпр, и, А Uпр, и, В /> /> 10 85 200 200 100 10 100 140 1 10 0,3 1 20 0,2 1,5 /> Вольт-амперная характеристикаПри комнатной температуре

/>/>

При повышенной

/>/>

Расчетные соотношения, таблицы играфики зависимостей для Т=25°С/> Зависимость R= от Uпр Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1

/>
R=

0,3 0,2333333 0,16 0,1125 0,090909 0,073333 /> /> /> /> /> /> /> /> /> Зависимость r~ от Uпр Uпр 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 r~ 0,1 0,0666667 0,05 0,044444 0,038462 /> /> /> /> /> /> /> /> /> <td/> />
Зависимость R= от Uобр Uобр 50 100 150 200 250 300

/>
R=

3571429 6666666,7 8333333 4878049 2777778 1304348 /> /> /> /> /> /> /> /> /> Зависимость r~ от Uобр

/>
Uобр

50 100 150 200 250 r~ 50000000 25000000 5555556 2631579 1157407 /> /> /> /> /> /> /> /> Зависимость Cдиф от Uпр

/> <td/> />
Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 Сдиф 0,08 0,12 0,2 0,32 0,44 0,6 /> /> /> /> /> /> /> /> /> Зависимост Сб  от Uобр

/>

Определение величины TKUпрям TKIобр

/>

/>

/>

/>

Определение сопротивления базы rбПриближенное

/>

/>

Точное

/>

/>

Малосигнальная высокочастотнаяэквивалентная схема />
Библиографический список

1.   Диоды и их зарубежныеаналоги: Справочник. В 3-хтомах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.

2.   Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; подред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь, 1979.– 432 с., ил.

3.   Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л.Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып.1158)

4.   Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник/ А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н.Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.

5.   Лекции по курсу  «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В.2000.-50л.

Затраты времени на:a)  Информационный поиск-72 часfb) Расчеты-1час(67 мин.)c)  Оформление — 6 часов (357мин.)