Реферат: Расчет усилителя низкой частоты

Реферат

Курсовой проект содержит 37 листа, 23 иллюстрации, 1таблицу.

Цель:- углубить знания студентов по курсам, связанным с темой курсового проекта;

— привить навыки самостоятельной работы стехнической литературой;

— научить составлять, рассчитывать и анализироватьэлектронные схемы;

— научить грамотно оформлять техническую документацию.

В курсовом проекте содержится краткое описание усилителейнизкой частоты, их классификация, применение, основные технические решения. Такжеразработана структурная и электрическая принципиальная схема усилителя, ипроизведен ее расчет.

УСИЛИТЕЛЬ, ТРАНЗИСТОР, ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА,

НЕЛИНЕЙНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ,  ВЫХОДНОЙ КАСКАД

 
Содержание

  1. Введение …………………………………………………..     3

  2. Основная часть

           2.1 Аналитический обзор  ……………………………           5

           2.2 Составление структурной схемы усилителя ……   9

           2.3 Разработка электрической принципиальной

схемы усилителя  ……………………………………………..   11

2.4  Электрический расчет  …………………………. ………  14

2.5 Анализ спроектированного усилителя …………. ……...  29

3. Заключение   ……………………………………………………...  30

4. Перечень ссылок   ………………………………………………..  31

5. Приложение   ……………………………………………………… 32

 


1 Введение

Характерной особенностью современных электронных усилителейявляется исключительное многообразие схем, по которым они могут быть построены.

Усилители различаются по характеру усиливаемых сигналов:усилители гармонических сигналов, импульсные усилители и т. д. Также они различаютсяпо назначение, числу каскадов, роду электропитания и другим показателям.

Однако одним из наиболее существенных классификационныхпризнаков является диапазон частот электрических сигналов, в пределах которогоданный усилитель может удовлетворительно работать. По этому признаку различаютследующие основные типы усилителей:

Усилители низкой частоты, предназначенные для усилениянепрерывных периодических  сигналов,  частотный диапазон которых лежит впределах от десятков герц до десятков килогерц. Характерной особенностью УНЧявляется то, что отношение верхней усиливаемой частоты к нижней велико и обычносоставляет не менее нескольких десятков.

Усилители постоянного тока – усиливающие электрическиесигналы в диапазоне частот от нуля до высшей рабочей частоты. Они позволяютусиливать как переменные составляющие сигнала, так и его постоянную составляющую.

Избирательные усилители – усиливающие сигналы в очень узкойполосе частот. Для них характерна небольшая величина отношения верхней частотык нижней. Эти усилители могут использоваться как на низких, так и на высоких частотахи выступают в качестве своеобразных частотных фильтров, позволяющих выделитьзаданный диапазон частот электрических колебаний. Узкая полоса частотногодиапазона во многих случаях обеспечивается  применением в качестве нагрузкитаких усилителей колебательного контура. В связи с этим избирательные усилителичасто называют резонансными.

Широкополосные усилители, усиливающие очень широкую полосу частот.Эти усилители предназначены для усиления сигналов в устройствах импульснойсвязи, радиолокации и телевидения. Часто широкополосные усилители называютвидеоусилителями. Помимо своего основного назначения, эти усилителииспользуются в устройствах автоматики и вычислительной техники.


2.1 Аналитический обзор

Современные  усилители низкой частоты выполняютсяпреимущественно на биполярных и полевых транзисторах в дискретном или интегральномисполнении, причем усилители в микроисполнении отличаются от своих дискретныханалогов, главным образом, конструктивно-техническими особенностями.

В качестве источника входного сигнала в усилителях низкойчастоты могут входить микрофон, звукосниматель, предыдущий усилитель. Большинствоиз источников входного сигнала развивают очень низкое напряжение. Подавать егонепосредственно на каскад  усиления мощности не имеет смысла, т. к.  при слабомуправляющем напряжении невозможно получить значительные изменения выходноготока, а следовательно, выходной мощности. Поэтому в состав структурной схемыусилителя, кроме выходного каскада, отдающего требуемую мощность,  входят икаскады предварительного усиления.

Эти каскады принято классифицировать по характерусопротивления нагрузки в выходной цепи транзистора. Наибольшее применениеполучили резистивные усилительные каскады, сопротивлением нагрузки которых служитрезистор. В качестве нагрузки транзистора может быть использован и трансформатор.Такие каскады называют трансформаторными. Однако в следствии большой стоимости,значительных размеров и массы трансформатора, а также из-за неравномерностиамплитудно-частотных характеристик трансформаторные каскады предварительногоусиления применяются весьма редко.

В каскадах предварительного усиления на биполярныхтранзисторах чаще других используется схема с общим эмиттером, которая обладаетвысоким коэффициентом усиления по напряжению и мощности, сравнительно большимвходным сопротивлением и допускает использование одного общего источникапитания для цепей эмиттера и коллектора.

Простейшая схема резистивного усилительного каскада с общимэмиттером и питанием от одного источника показана на рис 1.

/>

Рисунок 1

Данная схема получила название схемы с фиксированным базовымтоком. Смещение фиксированным током базы отличается минимальным числом деталейи малым потреблением тока от источника питания. Кроме того, сравнительнобольшое сопротивление резистора Rб практически не влияет на величинувходного сопротивления каскада. Однако этот способ смещения пригоден лишьтогда, когда каскад работает при малых колебаниях температуры транзистора.Кроме того, большой разброс и нестабильность параметров b даже у однотипных транзисторов делают режим работы каскаданеустойчивым при смене транзистора, а также с течением времени.

Более эффективной является схема с фиксированным напряжениемсмещения на базе, представленная на рис 2.

В этой схеме резисторы /> и/> подключенные параллельноисточнику питания Ек составляют делитель напряжения. Делитель,образованный резисторами /> и /> должен обладать достаточнобольшим сопротивлением, иначе входное сопротивление каскада окажется малым.

При построении схем транзисторных усилителей приходится приниматьмеры для стабилизации положения рабочей точки на характеристиках. Основнойдестабилизирующий фактор – влияние температуры. Существуют

VT

  />

Рисунок 2

различные способы термостабилизации режима работытранзисторных каскадов. Наиболее распространенные из них реализуются с помощьюсхем, показанных на рис 3-5.

/>

Рисунок 3  -  c терморезистором

/>

Рисунок 4 -  сдиодом

/>

Рисунок 5 — сцепочкой эмиттерной стабилизации RэСэ

В схеме на рис 3 терморезистор с отрицательнымтемпературным коэффициентом сопротивления включен в базовую цепь таким образом,что при повышении температуры происходит уменьшение отрицательного напряженияна базе за счет уменьшения сопротивления терморезистора. При этом происходитуменьшение тока базы, а следовательно, и тока коллектора.

Одна из возможных схем термостабилизации с помощьюполупроводникового диода  показана на рис 4. В этой схеме диод включен вобратном направлении, а температурная характеристика обратного тока диодадолжна быть аналогична температурной характеристике обратного тока коллекторатранзистора. При смене транзистора стабильность ухудшается из-за разбросавеличины обратного тока коллектора.

 Наибольшее распространение получила схема термостабилизациирежима, показанная на рис 5. В этой схему навстречу фиксированному прямомунапряжению смещения, снимаемому с резистора />/> включено напряжение,возникающее на резисторе Rэ при прохождении через него токаэмиттера. Пусть, например, при увеличении температуры постоянная составляющаяколлекторного тока возрастет. Увеличение тока коллектора приведет к увеличениютока эмиттера и падению напряжения на резисторе Rэ. В результатенапряжение между эмиттером и базой уменьшиться, что приведет к уменьшению токабазы, а следовательно, тока коллектора. В большинстве случаев резистор Rэшунтируется конденсатором  большой емкости. Это делается для отвода переменнойсоставляющей тока эмиттера от резистора Rэ.

2.2 Составление структурной схемы усилителя

Структурная схема представлена на рис 6.

/>

Рисунок 6

ВхК      -      входной каскад

КПУ1   -      первый каскад предварительного усиления

КПУ2   -      второй каскад предварительного усиления

КПУ3   -      третий каскад предварительного усиления

ВыхК    -     выходной каскад

Входной каскад ставится на входе усилителя для увеличениявходного сопротивления усилителя.

Большинство источников входного сигнала развивают оченьнизкое напряжение  Ег = 10 мВ. Подавать его непосредственно накаскад усиления мощности не имеет смысла, так как при слабом управляющемнапряжении невозможно получить значительные изменения выходного тока.

Рассчитаем максимальное напряжение в нагрузке по формуле:

/>В           (1)

Определим максимальный ток протекающий через нагрузку:

/>         (2)

Рассчитаем требуемый коэффициент усиления усилителя поформуле:

/>                   (3)

Определим ориентировочное количество каскадовпредварительного усиления по следующей формуле:

/>(4)

Полученное по формуле (4)  количество каскадов округляют доближайшего целого нечетного числа (в большую сторону), так как схема с ОЭ даетсдвиг фаз 180°

n = 3

Выходной каскад ставится на выходе усилителя и обеспечиваетусиление мощности полезного сигнала в нагрузку.


2.3 Разработка принципиальной электрической схемы усилителя

Схемная реализация входного каскада представлена на рис 7.

/>

Рисунок 7

Это схема дифференциального каскада. Я решил выбрать диф.каскад по следующим причинам:

üдифференциальный каскад обеспечивает повышенную температурнуюстабильность предварительного усиления

üк дифференциальному каскаду проще подключить обратную связь

üу дифференциального каскада сравнительно большое входное сопротивление.

Схемная реализация каскада предварительного усиления представленана рис 8. Это схема усилителя на биполярном транзисторе включенном по схеме собщим эмиттером. Я выбрал эту схему так как у нее сравнительно большие коэффициентыусиления по напряжению и по току, а также большое входное сопротивление.Недостаток этой схемы – сдвиг фаз между входным и выходным сигналом равен 180°.

/>

Рисунок 8

Схемная реализация выходного каскада представлена на рис 9.

/>

Рисунок 9

Это схема двухтактного усилителя мощности работающего врежиме В. Двухтактный усилитель мощности обладает более низким коэффициентомнелинейных искажений, чем однотактный усилитель мощности. Также важнымпреимуществом двухтактной схемы является ее малая чувствительность к пульсациямпитающих напряжений. Недостатком данной схемы является трудность подбораодинаковых транзисторов.

Электрическая принципиальная схема представлена на рис 10.

/>

Рисунок10

2.4 Электрический расчет

Рассчитаем максимальное напряжение в нагрузке по формуле:

/>В           (5)

Определим максимальный ток протекающий через нагрузку:

/>         (6)

Рассчитаем требуемый коэффициент усиления усилителя поформуле:

/>                   (7)

Определим ориентировочное количество каскадовпредварительного усиления по следующей формуле:

/>(8)

Полученное по формуле (8)  количество каскадов округляют доближайшего целого нечетного числа (в большую сторону), так как схема с ОЭ даетсдвиг фаз 180°

n = 3

Рассчитаем напряжение питания усилителя по формуле:

/>       (9)

где /> - падениенапряжения на переходе коллектор-эмиттер выходного транзистора в режименасыщения, В;

/>      — падение напряжения на резисторе, установленном в эмиттерной цепи выходногокаскада, В;

Для большинства мощных транзисторов /> = 0,5..2 В. Предварительноможно принять /> = 1 В. Зададимсяпадением напряжения на резисторе, установленном в эмиттерной цепи: /> = 1 В

Подставим рассчитанные напряжения в формулу (9) и определинапряжение питания усилителя:

/>= 32,98 В

Полученную величину округлим до ближайшего целого числа, азатем примем из стандартного ряда:

/>       = 35 В

/>Зная напряжениепитания усилителя и максимальный ток протекающий через нагрузку, выберемтранзисторы для выходного каскада по следующим условиям:

Ikmax ³ Iнmax + Ikп

Uкэmax ³ 2×Ek

По справочной литературе [5] выбираем следующие транзисторы:

/>VT8             KT827B                                 

/>VT9             KT825B                                

Со следующими параметрами:

Uкэmax8 = 100 В               Ikmax8 =20 А                  /> = 3 В

Характеристики транзистора представлены на рис 15, 16

По рис 15 определим напряжение на переходе база-эмиттер:

/>

Рассчитаем сопротивление резисторов R10 и R11 по формуле:

/>  Ом (10)

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

/>0,062   Ом

По рис 16 определим ток коллектора покоя, а такжестатический коэффициент передачи тока транзистора VT8:

Ikп8 = 4 А               h21Э8= 39000

Рассчитаем мощность рассеиваемую на резисторе:

/>(11)

Определим ток базы покоя транзисторов выходного каскада:

/>        (12)

Определим максимальный ток базы  транзисторов выходногокаскада:

/>             (13)

Определим ориентировочный максимальный ток коллектора  VT5:

Ikmax5 =10×IБmax8 = 10×513×10-6= 5.13 mA            (14)

/>    Зная  максимальный ток базы транзистора VT8 инапряжение питания, выберем транзисторы для реализации защиты по току:

Ikmax ³ Iбmax8

Uкэmax ³ 2×Ek

По справочной литературе [5] выбираем следующие транзисторы:

/>VT6             KT215В — 1                                     

/>VT7             KT214В — 1                                     

Со следующими параметрами:

Uкэmax7 =80 В                 Ikmax7 = 40 мА

Характеристики транзистора представлены на рис 17,18,19,20

Рассчитаем максимальный ток коллектора VT8:

/>         (15)

Примем значение сопротивления резистора /> равным 0,036 Ом

/>

Рассчитаем минимальное падение напряжения на резисторе />:

/>  (16)

     Рассчитаем максимальное падение напряжения на резисторе/>:

/>     (17)

     Зная максимальный ток коллектора и напряжение питания,выбираем транзистор VT5 по следующим критериям:

/>Ikmax ³ Iкmax5

Uкэmax ³ 2×Ek

     

/>            VT5       КТ214В — 1      />

                                                         />

     Характеристики транзистора представлены на рис. 17, 18По графику зависимости h21Э  (IЭ) определим минимальныйток коллектора  VT5:

/>

     Рассчитаем ток коллектора покоя VT5 по формуле:

/>         (18)

     Из рис 18 определим статический коэффициент передачитока для тока эмиттера равного 20,513 мА.

/>

     Определим ток базы покоя для VT5 по формуле:

/>                          (19)

     По рис.17 определим напряжение база – эмиттер:

/>

     Рассчитаем максимальный ток коллектора транзистора VT5:

/>          (20)

    Рассчитаем резистор /> поформуле:

/>                            (21)

    Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

/>  

     Рассчитаем максимальный ток базы транзистора VT5:

/>             (22)

     Определим ориентировочный ток коллектора покоя для транзистораVT4 по формуле:

/>       (23)

     Рассчитаем ориентировочный максимальный ток коллекторадля транзистора VT4 по формуле:

/>       (24)

     Зная максимальный ток коллектора и напряжение питания,выбираем трансформатора VT4 исходя из следующих условий:

/>Ikmax ³ Iкmax4

Uкэmax ³ 2×Ek

/>           VT4        КТ 215В – 1        />

/>

     Характеристики представлены на рис 19, 20

Из рис.20  Определим минимальный ток коллектора транзистораVT4:

/>

  Определим ток коллектора покоя для VT4:

/>    (25)

По рис 20определим статический коэффициент передачи тока:   

/>

    Определим ток базы покоя для транзистора VT4 по формуле:

/>/>    (26)

     Из рис 19  определим напряжение базы – эмиттер для /> 

/>

     Рассчитаем максимальный ток базы транзистора VT4:

/>      (27)

     Определим значение резистора />по формуле:

/>      (28)

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

/>

     Определим ориентировочный ток коллектора покоятранзистора VT3

/>        (29)

      Рассчитаем ориентировочный ток коллектора транзистораVT3:

/>     (30)

       Зная максимальный ток коллектора и напряжение питаниявыберем

транзистор VT3 по следующим критериям:

/>Ikmax ³ Iкmax3

Uкэmax ³ 2×Ek

/>VT3             КТ 214В — 1                          />

/>                                                              />

Характеристики транзистора представлены на рис 17, 18 

Из графика зависимости /> (/>) определим минимальный токколлектора:

/>

  Рассчитаем ток коллектора покоя транзистора VT3:

/>    (31)

   По рис 18 определим статический коэффициент передачитока:

/>

Определим ток базы покоя транзистора VT3:

/>         (32)

Рассчитаем максимальный ток базы транзистора VT3:

/>        (33)

Из рис.17 определим напряжения база – эмиттер:

/>

Определим сопротивление /> поформуле:

/>         (34)

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

/>

Рассчитаем значение резистора />поформуле:

/>          (35)

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

/>

Определим ориентировочный ток коллектора покоя транзисторовVT1  и VT2 по формуле:

/>     (36)

Рассчитаем ориентировочный максимальный ток коллекторатранзисторовVT1 и VT2 по следующей формуле:

/>        (37)

/>       Знаямаксимальный ток коллектора и напряжение питания выберем транзисторы VT1 и VT2 по следующим критериям:

Ikmax ³ Iкmax1

Uкэmax ³ 2×Ek

      

VT1,VT2     Þ      КТ602 Б             />

Характеристики транзисторов приведены на рис 21, 22, 23  

По рис 22 определим минимальный ток коллектора:

/>

Рассчитаем ток коллектора покоя транзисторов VT1 и VT2:

/>     (38)

Из рис 22 определим статический коэффициент передачи тока:

/>

Определим ток базы покоя для транзистора VT1:

/>       (39)

Рассчитаем максимальный ток базы для транзистораVT1:

/>     (40)

Определим ток, протекающий через резистор /> :

/>      (41)

Из рис 23 определим напряжение коллектор – эмиттер:

/>

Определим значение резистора /> поформуле:

/>        (42)

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

/>

По справочной литературе [5] определим  входноесопротивление транзисторов:

/>

Из схемы замещения рис 11 определимвходное сопротивление усилителя:

/>      (43)

Определим максимальное отклонение температуры от среднегозначения:

/>    (44)

/>

Рисунок 11

Определим изменение напряжения база – эмиттер длятранзистора VT2 с изменением температуры. Зная, что при изменении температурына /> напряжение изменяется на2.3мВ. Следовательно:

/>   (45)

Изменение напряжения коллектор – эмиттер равно 0.7В

/> 

Определим коэффициент обратной связи по постоянному току:

/>  (46)

Определим значение сопротивления резистора />:

/>    (47)

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

/>

Определим коэффициент усиления по току усилителя при помощисхемы  замещения представленной на рис. 11 

/>       (48)

По схеме замещения определим  коэффициент разветвления:

/> /> /> /> /> /> <td/> /> />

Определим коэффициент усиления по напряжению:

/>(55)

Рассчитаем  коэффициент усиления по напряжению усилителя собратной связью:

/>    (56)

/> — коэффициентобратной связи по переменному току равен :

/>  (57)

Определим значение сопротивления резистора />:

/>  (58)

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

/>

Разобьём данный нам коэффициент частотных искажений на 2части:

/> (59)

/>Мнвх=104/20

Мнос=104/20

Мв=106/20
Рассчитаем ёмкость конденсатора С1 по формуле:

/>/>  (60)

Рассчитаем ёмкость конденсатора С2 по формуле:

/>/>   (61)

Рассчитаем ёмкость конденсатора С3 по формуле:

/>/>   (62)

 Определим коэффициент петлевого усиления по переменному току:

/>   (63)

/>Рассчитаемкоэффициент нелинейных искажений для выходного каскада методом двух ординат:

Uвых изменяем от 0 до Uнmax                               (64)

    

     По рис 16 для рассчитанных значений тока эмиттераопределяем статический коэффициент передачи тока. Затем рассчитаем токколлектора:

/>    (65)

     Для рассчитанных значений тока коллектора определяемток базы:

/>   (66)

     Из рис 15 определяем напряжение база-эмиттер длярассчитанных токов базы. Рассчитываем входное напряжение:

/>      (67)

    

Uн Iэ h21э Ik Iб, мкА Uбэ Uвх 4 39000 4 103 0,6 0,74 4 5 35000 5 143 0,6 4,78 8 6 29000 6 207 0,6 8,82 12 7 27000 7 259 0,6 12,85 16 8 20000 8 400 0,6 16,9 20 9 17000 9 529 0,6 20,92 24 10 15000 10 667 0,6 24,96 28 11 13000 11 846 0,6 29 31 11,75 12800 11,75 918 0,6 31,5

таблица  1

Построим график зависимости Uн от Uвх – рис 12.

Определим половину максимального входного напряжения и для этогозначения по графику 12 определим значение напряжения на нагрузке:

/> 

      Коэффициент нелинейных искажений для входногокаскада:

/>    (68)

     Рассчитаем коэффициент нелинейных искажений длякаскада предвари- тельного усиления методом пяти ординат.

/>/>         КПУ3,2,1      VT      КТ 814 В -1                     />

    Для расчёта коэффициента нелинейных искажений по методупяти ординат необходимо построить переходную характеристику каскада. Построениепереходной характеристики производим в следующей последовательности. На входнуюхарактеристику транзистора рис.13 наносим точку покоя. Затем относительно точкипокоя строим временную диаграмму входного напряжения. Проводим перпендикуляры,соответствующие минимальному и максимальному значениям Uвх,а также Uвх=0 и Uвх при w=60 и 120. Определяем значения тока базы, соответствующиеэтим напряжениям.

/>


     Используя значения тока базы, определяем значениятока коллектора, соответствующие им. Для этого определяют ориентировочноезначение h21Э по рис 20. Для этого значения рассчитаем ток коллектора поформуле:

/> 

     Наносим рассчитанное значение тока коллектора награфик и определяем точное значение  h21э. Точно рассчитываем токколлектора:

/>

/>    />        />            />

/>     />        />   />

     Рассчитаемамплитуды 1, 2, 3 и 4-й гармоник выходного сигнала:

/>   (69)

/>   (70)

/>  (71)

/>   (72)

/>Расчет нелинейных искажений каскадапроизводится по формуле:

/>  (73)

Так как у нас одинаковые транзисторы, то и нелинейныеискажения у них будут одинаковы.

Определим суммарный коэффициент нелинейных искажений:

/>  (74)

Рассчитаем коэффициент нелинейных искаженийусилителя с отрицательной обратной связью:

/>   (75)

Для расчета коэффициента полезного действияусилителя требуется определить суммарный ток потребляемый усилителем в режимепокоя по формуле:

I0= I,g1 + I,g3 + I,g4 + I,g5 + I,g8= 0&000672 F   (76)

Коэффициент полезного действия усилителя рассчитывается поформуле:

/>    (77)

Расчетохладителя

Исходные данные:

           tp –предельная температура рабочей области  tp =473 К

           Pк –рассеиваемая прибором мощность       Рк = 125 Вт

           t0–температура окружающей среды      t0= 273 K

           RTп-к– внутреннее тепловое сопротивление прибора переход-корпус                     RTп-к  = 1,4

Определим по справочной литературе[5] площадь контактной поверхности:

Sk= 40×10-3 ´28×10-3= 1,12×10-3   м3   (78)

Рассчитаем тепловое сопротивление контакта между прибором иохладителем Rk:

/>   (79)

Определимперегрев места крепления прибора с охладителем:

/>   (80)

Так как перегрев места крепления транзистора оченьмаленький, то, я считаю, что охладитель не требуется.


2.5 Анализ спроектированного усилителя

Для спроектированного усилителя начертимамплитудно-частотную характеристику, а также фазо-частотную характеристику.

  Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) – зависимостьамплитуды сигнала на выходе устройства от частоты входного сигнала неизменной амплитуды.

Фазо-частотная характеристика (ФЧХ) – зависимость ыазовогосдвига между гармоническими колебаниями на входе и выходе устройства от частотывходного сигнала.

Рассчитаем данные для построения АЧХ и ФЧХ:

G= 20×lgku= 20×lg5061 = 74.08   (81)

/>  (82)

/>  (83)

/>  (84)


3. Заключение

Спроектированный усилитель работает на двуролярном питании ±35 В при температуре окружающей среды от -10 °С до 50°С. Имеет подосу пропускания от 30 Гц до 28 кГц, а такжекоэффициент нелинейных искажений 1,703 %.  В спроетированном усилителепредусмотрена защита выходного каскада по току.

 

Достоинства усилителя – большие коэффициенты усиления по току

( кi= 11892332,3) и по напряжению (кu = 5061).Также сравнительно большое входное сопротивление.

         Недостаткомспроектированного усилителя является подборка элементов, так как очень трудноподобрать одинаковые транзисторы. Также недостатком данного усилителя являетсясравнительно большое количество элементов, что приводит к трудностям принастройке схемы усилителя.


4. Перечень ссылок

Усатенко С.Т. Выполнение электрических схем по ЕСКД:Справочник. – М.: Издательство стандартов, 1989. – 325 с.

Расчет электронных схем. Примеры и задачи. /Г.И. ИзъюроваМ.: Высш. шк., 1987. – 325 с.; ил.

Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. – 3-е изд., перераб. Идоп. – М.; Радио и связь, 1988 – 199 с: ил.

Кибакин В.М. Основы теории и разработки транзисторныхнизкочастотных усилителей мощности. – М.: Радио и связь,
1988. – 240 с.

Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам.9-е изд., перераб. К.: Техника, 1980. – 464 с.; ил.

Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности./А.А.Зайцев: Под ред А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь,
КубК-а 1994. – 384с.; ил.

Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большоймощности./А.А. Зайцев: Под ред А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь,
КубК-а 1994. – 384с.; ил.

Методические указания к выполнению курсового проекта покурсу « Аналоговая схемотехника».Бизянов Е.Е. – Алчевск, ДГМИ 1999.- 35с.

еще рефераты
Еще работы по радиоэлектронике