Реферат: ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Министерство образования Российской Федерации

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)

ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Пояснительная записка к курсовому проекту по дисциплине

Схемотехника и АЭУ

Студент гр. 180

__________Курманов Б.А.

______________

Руководитель

Доцент кафедры РЗИ

_____________Титов А.А.

_____________

2003

Реферат

Курсовая работа 29с., 12рис., 3 табл., 2 источника.

УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД, ТРАНЗИСТОР, КОЭФФИЦИЕНТПЕРЕДАЧИ, ЧАСТОТНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ, НАПРЯЖЕНИЕ, МОЩНОСТЬ, ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИЯ,СКВАЖНОСТЬ, КОРРЕКТИРУЮЩАЯ ЦЕПЬ, ОДНОНАПРАВЛЕННАЯ МОДЕЛЬ.

Целью данной работы является приобретение навыкованалитического расчёта усилителя по заданным требованиям.

В процессе работы производился расчёт параметровусилителя, анализ различных схем термостабилизации, были рассчитаныэквивалентные модели транзистора, рассмотрены варианты коллекторной цепитранзистора.

В результате работы получили принципиальную готовуюсхему усилителя с известной топологией и известными номиналами элементов.

Пояснительная записка выполнена в текстовом редактореMicrosoft Word 2002.

СОДЕРЖАНИЕ

1.Введение 5 2.Предварительный расчет усилителя 6 2.1 Расчет рабочей точки 6 3. Выбор транзистора 8 4. Расчет схемы термостабилизации 9 4.1 Эмиттерная термостабилизация 9 4.2 Пассивная коллекторная термостабилизация 11 4.3 Активная коллекторная термостабилизация 12 5. Расчёт параметров схемы Джиаколетто 13 6. Расчет высокочастотной индуктивной коррекции 15 7. Промежуточный каскад 17 7.1 Расчет рабочей точки. Транзистор VT2 17 7.1.1 Расчет высокочастотной индуктивной коррекции 20 7.1.2 Расчет схемы термостабилизации 21 7.2 Транзистор VT1 22 7.2.1 Расчет схемы термостабилизации 24 8. Искажения вносимые входной цепью 25

9. Расчет Сф, Rф, Ср

26 10. Заключение 28 Литература 29

Министерство образования Российской Федерации

Томский Университет Систем Управления и Радиоэлектроники(ТУСУР)

Кафедра радиоэлектроники и защитыинформации (РЗИ)

Утверждаю

Зав. кафедрой РЗИ

_____В.И.Ильюшенко

ТЕХНИЧЕСКОЕЗАДАНИЕ № 2

на курсовое проектирование по дисциплине “СхемотехникаАЭУ”

студенту гр.180 Курманову Б.А.

1. Тема проекта Импульсныйусилитель

2. Сопротивление генератора Rг = 75Ом.

3. Коэффициент усиления K = 25 дБ.

4. Длительность импульса 0,5 мкс.

5. Полярность «положительная».

6. Скважность 2.

7. Время установления 25 нс.

8. Выброс 5%.

9. Искажения плоской вершины импульса5%.

10. Амплитуда 4В.

11. Полярность «отрицательная».

12. Сопротивление нагрузки Rн = 75 Ом.

13. Условия эксплуатации и требования к стабильностипоказателей усилителя 20 — 45 °С.

14. Срок сдачи проекта на кафедру РЗИ 10.05.2003.

15. Дата выдачи Задания 22.02.2003.

Руководитель проектирования _____________

Исполнитель ______________

1.Введение

Импульсные усилителинашли широкое применение. Особенно широко они применяются в радиотехническихустройства, в системах автоматики, в приборах экспериментальной физики, визмерительных приборах.

В зависимости от задач наимпульсные усилители накладываются различные требования, которым они должныотвечать. Поэтому усилители могут различаться между собой как по элементнойбазе, особенностям схемы, так и по конструкции. Однако существует общаяметодика, которой следует придерживаться при проектировании усилителей.

Задачей представленногопроекта является отыскание наиболее простого и надежного решения.

Для импульсного усилителя применяютспециальные транзисторы, имеющие высокую граничную частоту. Такие транзисторыназываются высокочастотными.

Итогом курсового проектастали параметры и характеристики готового импульсного усилителя.

2.Предварительный расчет усилителя

2.1 Расчет рабочей точки

Исходные данные для курсового проектирования находятсяв техническом задании.

Средне статистический транзистор даёт усиление в 20дБ, по заданию у нас 25 дБ, отсюда получим, что наш усилитель будет иметь какминимум />2 каскада. Однако исходя изусловия разной полярности входного и выходного сигнала число каскадов должнобыть нечетным, следовательно число каскадов составит 3.

Структурнаясхема многокаскадного усилителя представлена на рис.2.1

Рисунок 2.1 — Структурная схема усилителя

По заданному напряжению на выходе усилителя рассчитаемнапряжение коллектор эмиттер и ток коллектора (рабочую точку).

Iко=/>

Uкэо=/>

Рассмотрим два варианта реализации схемы питаниятранзисторного усилителя: первая схема реостатный каскад, вторая схемадроссельный каскад.

Дроссельный каскад:

Схема дроссельного каскада попеременному току представлена на рисунке 2.2.

Рисунок 2.2 — Схема дроссельного каскада

Rн=75(Ом).

Расчетныеформулы:

/> (2.1)

/> (2.2)

/> (2.3)

/> (2.4)

Исходя из формул 2.1 — 2.4 вычислим напряжение Uкэо иток Iко.

Eп = Uкэо = 4В

Pвых = /> Вт

Pпотр = /> Вт

η = />

Резистивный каскад:

Схема резистивного каскада по переменному токупредставлена на рисунке 2.3.

Рисунок 2.3 — Схема резистивного каскада

Rк=75(Ом),Rн=75 (Ом), Rн~=37,5 (Ом).

Исходя из формул 2.1 — 2.4 вычислим напряжение Uкэо иток Iко.

Eп = Iко*Rк+Uкэо = 8,4В

Pвых = /> Вт

Pпотр = /> Вт

η = />

Результаты выбора рабочей точки двумя способамиприведены в таблице 2.1.

Таблица 2.1.

Eп,<sub/>(В)

Iко, (А)

Uко, (В)

Pвых.,(Вт)

Pпотр.,(Вт)

PRк,(Вт)

Rк

8,4 0,0587 4 0,107 0,496 0,255 0,22

Lк

4 0,0293 4 0,107 0,117 0,91

3. Выбор транзистора

Выбор транзистора осуществляется с учётом следующихпредельных параметров:

1. PRк ≤ Pк доп*0,8

2. Iко ≤ 0,8*Iкmax

3. fв(10-100) ≤ fт

4. Uкэо ≤ 0,8*Uкэдоп

Исходяиз данных технического задания/>. Тогдаверхняя граничная частота оконечного каскада:

/> (3.1)

fТ>(10..100) fв,

fT=140МГц.

Этимтребованиям полностью соответствует транзистор 2Т602А. Параметры транзистораприведены в таблице 3.1.

Таблица3.1 — Параметры используемого транзистора

Наимено-вание Обозначение Значения Ск Емкость коллекторного перехода 4 пФ Сэ Емкость эмиттерного перехода 25 пФ Fт Граничная частота транзистора 150 МГц Βо Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 20-80 Tо Температура окружающей среды

25оС

Iкбо Обратный ток коллектор-база 10 мкА Iк Постоянный ток коллектора 75 мА Тперmax Температура перехода 423 К Pрас Постоянная рассеиваемая мощность (без теплоотвода) 0,85 Вт

Далеерассчитаем выберем схему термостабилизации.

4.Расчет схемы термостабилизации

4.1Эмиттерная термостабилизация

Эмиттерная стабилизация применяется в основном вмаломощных каскадах, и получила наиболее широкое распространение. Схемаэмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1.

Рисунок 4.1 — Схема эмиттерной термостабилизации

Расчёт произведем поэтапно:

1. Выберем напряжение эмиттера />, ток делителя /> и напряжение питания />;

2. Затем рассчитаем />.

Напряжение эмиттера /> выбирается равным порядка />. Выберем />.

Ток делителя /> выбирается равным />, где /> — базовый ток транзистора ивычисляется по формуле:

/>(мА); (4.1.1)

Тогда:

/> (мА) (4.1.2)

Напряжение питания рассчитываетсяпо формуле: />(В)

Расчёт величин резисторовпроизводится по следующим формулам:

/> Ом; (4.1.3)

/> (4.1.4)

/> (Ом); (4.1.5)

/> (Ом); (4.1.6)

Данная методика расчёта неучитывает напрямую заданный диапазон температур окружающей среды, однако, в диапазонетемператур от 0 до 50 градусов для рассчитанной подобным образом схемы,результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%,то есть схема имеет вполне приемлемуюстабилизацию.

4.2 Пассивная коллекторная термостабилизация

Рисунок4.2 — Схема пассивной коллекторной термостабилизации.

Пусть URк=10В

Rк=/> (Ом); (4.2.1)

Еп=Uкэо+URк=10+10=20В (4.2.2)

Rб=/> =5,36(кОм) (4.2.3)

Ток базы определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение на Uкэопадает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт увеличиваться дальшетоку коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы, напряжение Uкэо должноизмениться на 10-20%, то есть Rк должнобыть очень велико, что оправдывается только в маломощных каскадах.

4.3 Активная коллекторная термостабилизация

Рисунок 4.3 — Схема активной коллекторнойтермостабилизации

Сделаем так чтобы Rб зависело от напряжения Ut. Получим что при незначительном изменениитока коллектора значительно изменится ток базы. И вместо большого Rк можно поставить меньшее на котором бы падалонебольшое (порядка 1В) напряжение.

Статический коэффициент передачи по току первоготранзистора bо1=30. UR4=5В.

R4=/>=/>=85(Ом) (4.3.1)

/> (4.3.2)

Iко1 = Iбо2 = />

Pрас1 = Uкэо1*Iко1 =5*1,68*10-3 = 8,4 мВт

R2=/>=/>=2,38(кОм) (4.3.3)

R1=/>=/>=672(Ом) (4.3.4)

R3 = />(Ом) (4.3.5)

Еп = Uкэо2+UR4 = 10+5 = 15В (4.3.6)

Данная схема требует значительное количестводополнительных элементов, в том числе и активных. При повреждении емкости С1каскад самовозбудится и будет не усиливать, а генерировать, т.е. данный вариантне желателен, поскольку параметры усилителя должны как можно меньше зависеть отизменения параметров его элементов. Наиболее приемлема эмиттернаятермостабилизация.

5. Расчётпараметров схемы Джиаколетто

Рисунок5.1 — Эквивалентная схема биполярного транзистора (схема

Джиаколетто)

Ск(треб)=Ск(пасп)*/>=4×/>=8,9(пФ), где

Ск(треб)-ёмкостьколлекторного перехода при заданном Uкэ0,

Ск(пасп)-справочноезначение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).

rб=/>=33,5 (Ом); gб=/>=0,03 (Cм), где (5.1)

rб-сопротивлениебазы,

/>-справочноезначение постоянной цепи обратной связи.

rэ=/> =/>=0,835 (Ом), где (5.2)

Iк0в мА,

rэ-сопротивлениеэмиттера.

gбэ=/>=/>=0,039,где (5.3)

gбэ-проводимостьбаза-эмиттер,

/>-справочноезначение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Cэ=/>=/>=41(пФ), где (5.4)

Cэ-ёмкостьэмиттера,

fт-справочноезначение граничной частоты транзистора при которой />=1

Ri=/>=1333 (Ом), где (5.5)

Ri-выходноесопротивление транзистора,

Uкэ0(доп),Iк0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого напряжения наколлекторе и постоянной составляющей тока коллектора.

gi=0.75(мСм).

/> (5.6)

где К0-коэффициент усиления резисторного каскада

/> (5.7)

где τв — постоянная времени верхних частот резисторного каскада

/> (5.8)

где τ — постояннаявремени верхних частот

/> (5.9)

где S0 — крутизна проходной характеристики

/> (5.10)

где Свх — входная динамическая емкостькаскада

/> (5.11)

/> (5.12)

/>/> (5.13)

где fв — верхняя граничная частота

Из формул 5.6 — 5.11 получим:

/>(Ом)

/>(См)

/> -верхняя граничная частота при условии что на каждый каскад приходится по 0,75дБ искажений.

Данное значение верхней граничной частоты неудовлетворяет требованиям технического задания, поэтому потребуется введениекоррекции.

6. Расчет высокочастотной индуктивной коррекции

Схема высокочастотной индуктивной коррекциипредставлена на рисунке 6.1.

Рисунок 6.1 — Схема индуктивной высокочастотнойкоррекции

Высокочастотная индуктивная коррекция вводится длякоррекции искажений АЧХ вносимых транзистором. Корректирующий эффект в схемедостигается за счет возрастания сопротивления коллекторной цепи с ростомчастоты усиливаемого сигнала и компенсации, благодаря этому, шунтирующего действиявыходной емкости транзистора.

Коэффициент усиления каскада в области верхних частот,при оптимальном значении />равном:

/>,

описывается выражением:

/>,

где />;

/>;

Очевидно что при неизменном Rк коэффициентусиления К0 — не изменится.

/>;

/>в, /> и />параметры рассчитанные поформулам 5.7, 5.8, 5.9.

Lк = 75*6.55*10-9 =4.9*10-9(Гн)

τк = />

fв каскада равна:

7. Промежуточный каскад

7.1 Расчет рабочей точки. Транзистор VT2

Рисунок 7.1 — Предварительная схема усилителя

Возьмем Rк = 800 (Ом).

/>(Ом)

/>В

Кроме того при выборе транзистора следует учесть: fв=14(МГц).

Этим требованиям соответствует транзистор КТ339А.Однако данные о его параметрах при заданном токе и напряжении недостаточны,поэтому выберем следующую рабочую точку:

Iко= 5мА

Uкэо=10В

Таблица 7.1 — Параметры используемого транзистора

Наимено-вание Обозначение Значения Ск Емкость коллекторного перехода 2 пФ Сэ Емкость эмиттерного перехода 4 пФ Fт Граничная частота транзистора 300 МГц Βо Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 100 Tо Температура окружающей среды

25оС

Iк Постоянный ток коллектора 25 мА Тперmax Температура перехода 448 К Pрас Постоянная рассеиваемая мощность (без теплоотвода) 0,26 Вт

Рассчитаем параметры эквивалентной схемы для данноготранзистора используя формулы 5.1 — 5.13.

Ск(треб)=Ск(пасп)*/>=2×/>=1,41(пФ), где

Ск(треб)-ёмкостьколлекторного перехода при заданном Uкэ0,

Ск(пасп)-справочноезначение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).

rб=/>=17,7 (Ом); gб=/>=0,057 (Cм), где

rб-сопротивлениебазы,

/>-справочноезначение постоянной цепи обратной связи.

rэ=/> =/>=6,54 (Ом), где

Iк0в мА,

rэ-сопротивлениеэмитера.

gбэ=/>=/>=1,51(мСм),где

gбэ-проводимостьбаза-эмитер,

/>-справочноезначение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Cэ=/>=/>=0,803(пФ), где

Cэ-ёмкостьэмиттера,

fт-справочноезначение граничной частоты транзистора при которой />=1

Ri=/>=1000 (Ом), где

Ri-выходноесопротивление транзистора,

gi=1(мСм).

/>(Ом) (7.1)

/> (7.2)

/> – входное сопротивление и входнаяемкость нагружающего каскада.

/> (7.3)

/>/>

/>(См)

/> -верхняя граничная частота при условии что на каждый каскад приходится по 0,75дБ искажений. Желательно ввести коррекцию.

7.1.1 Расчет высокочастотной индуктивной коррекции

Схема высокочастотной индуктивной коррекциипредставлена на рисунке 7.2.

Рисунок 7.2 — Схема высокочастотной индуктивнойкоррекции

промежуточного каскада

Высокочастотная индуктивная коррекция вводится длякоррекции искажений АЧХ вносимых транзистором. Корректирующий эффект в схемедостигается за счет возрастания сопротивления коллекторной цепи с ростом частотыусиливаемого сигнала и компенсации, благодаря этому, шунтирующего действиявыходной емкости транзистора.

Расчетные формулы:

/>,

где />;

/>;

При неизменном Rк коэффициент усиления небудет изменятся.

/>;

τ ,τв и S0рассчитываются по 5.7, 5.8, 5.9.

/>(Гн)

/>с

/>=/> -верхняя граничная частота корректированного каскада при условии что на каждыйкаскад приходится по 0,75 дБ искажений.

7.1.2 Расчет схемы термостабилизации

Используем эмиттерную стабилизация поскольку былвыбран маломощный транзистор, кроме того эмиттерная стабилизация уже применяетсяв рассчитываемом усилителе. Схема эмиттерной термостабилизации приведена нарисунке 4.1.

Порядок расчета:

1. Выберем напряжение эмиттера />, ток делителя /> и напряжение питания />;

2. Затем рассчитаем />.

Напряжение эмиттера /> выбирается равным порядка />. Выберем />.

Ток делителя /> выбирается равным />, где /> — базовый ток транзистора ивычисляется по формуле:

/>(мА);

Тогда:

/> мА

Напряжение питания рассчитываетсяпо формуле: />(В)

Расчёт величин резисторовпроизводится по следующим формулам:

/> (Ом);

/> (кОм);

В диапазоне температур от 0 до 50градусов для рассчитанной подобным образом схемы, результирующий уход токапокоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеетвполне приемлемую стабилизацию.

7.2 Транзистор VT1

В качестве транзистора VT1 используем транзисторКТ339А с той же рабочей точкой что и для транзистора VT2:

Iко= 5мА

Uкэо=10В

Возьмем Rк = 100 (Ом).

Рассчитаем параметры эквивалентной схемы для данноготранзистора используя формулы 5.1 — 5.13 и 7.1 — 7.3.

Ск(треб)=Ск(пасп)*/>=2×/>=1,41(пФ), где

Ск(треб)-ёмкостьколлекторного перехода при заданном Uкэ0,

Ск(пасп)-справочноезначение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).

rб=/>=17,7 (Ом); gб=/>=0,057 (Cм), где

rб-сопротивлениебазы,

/>-справочноезначение постоянной цепи обратной связи.

rэ=/> =/>=6,54 (Ом), где

Iк0в мА,

rэ-сопротивлениеэмитера.

gбэ=/>=/>=1,51(мСм),где

gбэ-проводимостьбаза-эмитер,

/>-справочноезначение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером.

Cэ=/>=/>=0,803(пФ), где

Cэ-ёмкостьэмитера,

fт-справочноезначение граничной частоты транзистора при которой />=1

Ri=/>=1000 (Ом), где

Ri-выходноесопротивление транзистора,

gi=1(мСм).

/>(Ом)

/>нс

/> – входное сопротивление и входнаяемкость нагружающего каскада.

/>/>

/>(См)

/> -верхняя граничная частота при условии что на каждый каскад приходится по 0,75дБ искажений. Данное значение fв удовлетворяет техническому заданию.Нет необходимости в коррекции.

7.2.1 Расчет схемы термостабилизации

Как было сказано в пункте 7.1.1 в данном усилителенаиболее приемлема эмиттерная термостабилизация поскольку транзистор КТ339Аявляется маломощным, кроме того эмиттерная стабилизация проста в реализации.Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1.

Порядок расчета:

1. Выберем напряжение эмиттера />, ток делителя /> и напряжение питания />;

2. Затем рассчитаем />.

Выберем />.

Ток делителя /> выбирается равным />, где /> — базовый ток транзистора ивычисляется по формуле:

/>(мА);

Тогда:

/> мА

Напряжение питания рассчитывается поформуле: />(В)

Расчёт величин резисторовпроизводится по следующим формулам:

/> (Ом);

/> (кОм);

/>(кОм);

8. Искажения вносимые входной цепью

Принципиальная схема входной цепикаскада приведена на рис. 8.1.

а) б)

Рисунок 8.1 — Принципиальная схемавходной цепи каскада

При условии аппроксимации входногосопротивления каскада параллельной RC-цепью, коэффициент передачи входной цепив области верхних частот описывается выражением:

/>,

где />; (8.1)

/>; (8.2)

/>; (8.3)

/> – />входное сопротивление и входнаяемкость каскада.

Значение /> входной цепи рассчитывается поформуле (5.13), где вместо /> подставляется величина />.

/>(Ом)

/>(с)

9. Расчет Сф, Rф, Ср

В принципиальной схеме усилителяпредусмотрено четыре разделительных конденсатора и три конденсаторастабилизации. В техническом задании сказано что искажения плоской вершиныимпульса должны составлять не более 5%. Следовательно каждый разделительныйконденсатор должен искажать плоскую вершину импульса не более чем на 0.71%.

Искажения плоской вершинывычисляются по формуле:

/>, (9.1)

где τ и — длительность импульса.

Вычислим τн:

Тогда:

τн и Срсвязаны соотношением:

/>, (9.2)

где Rл, Rп — сопротивление слева и справа от емкости.

Вычислим Ср.Сопротивление входа первого каскада равно сопротивлению параллельносоединенных сопротивлений: входного транзисторного, Rб1 и Rб2.

Rп=Rвх||Rб1||Rб2=628(Ом)

/>(Ф);

Сопротивление выхода первогокаскада равно параллельному соединению Rк и выходного сопротивления транзистораRi.

Rл=Rк||Ri=90,3(Ом)

Rп=Rвх||Rб1||Rб2=620(Ом)

/>(Ф);

Rл=Rк||Ri=444(Ом)

Rп=Rвх||Rб1||Rб2=48(Ом)

/>(Ф);

Rл=Rк||Ri=71(Ом)

Rп=Rн =75(Ом)

/>(Ф);

где Ср1 — разделительныйконденсатор между Rг и первым каскадом, С12 — между первым и вторымкаскадом, С23 — между вторым и третьим, С3 — междуоконечным каскадом и нагрузкой. Поставив все остальные емкости по 479∙10-9Ф,мы обеспечим спад, меньше требуемого.

Вычислим Rф и Сф (URФ=1В):

/> (9.3)

/>(Ом)

/>(Ф) (9.4)

10. Заключение

В данном курсовом проектеразработан импульсный усилитель с использованием транзисторов 2Т602А, КТ339А,имеет следующие технические характеристики:

— верхняя граничная частота 14МГц;

— коэффициент усиления 64 дБ;

— сопротивление генератора инагрузки 75 Ом;

— напряжение питания 18 В.

Схема усилителя представлена нарисунке 10.1.

Рисунок 10.1 — Схема усилителя

При вычислении характеристикусилителя использовалось следующее программное обеспечение: MathCad, WorkBench.

Литература

1. Полупроводниковые приборы.Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/ А.А. Зайцев, А.И. Миркин,В.В. Мокряков и др. Под редакцией А.В. Голомедова.-М.: Радио и Связь,1989.-640с.

2. Расчет элементов высокочастотнойкоррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Учебно-методическоепособие по курсовому проектированию для студентов радиотехнических специальностей/ А.А. Титов, Томск: Том. гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, 2002.- 45с.

еще рефераты

Еще работы по радиоэлектронике

Реферат по радиоэлектронике

Избыточные коды

1 Сентября 2013

Реферат по радиоэлектронике

Измерение параметров АЦП

1 Сентября 2013

Реферат по радиоэлектронике

Изобретение радио Поповым

1 Сентября 2013

Реферат по радиоэлектронике

Изучение и исследование интегрированных RS-триггеров, а также триггеров серии К155

1 Сентября 2013