Реферат: Проектирование передатчика Проектирование радиоприемника
Введение
Наряду с такими традиционными направлениями, как радиовещательный прием, запись и воспроизведение звука, телевидение, любители все более широко работают над применением методов радиоэлектроники в различных областях народного хозяйства, медицины и науки. Ряды радиолюбителей непрерывно пополняются людьми, которые являются специалистами в этих областях и стремятся освоить и практически использовать в своей работе достижения современной радиоэлектроники. Для этих любителей особый интерес представляют такие отрасли радиоэлектроники, как импульсная техника, измерение неэлектрических величин, автоматическое регулирование, техника счетно-решающих устройств, техника сверхвысоких частот и др.
В условиях быстрого развития современной радиоэлектроники для успешной творческой работы радиолюбителей необходимы широкий технический кругозор, глубокое понимание физических принципов действия различных радиотехнических устройств и знакомство со способами их расчета.
1Выбор и обоснование структурной схемы приемника 1.1Обоснование выбора гетеродинной схемы приемника с разделенными каналами изображения и звукаВ настоящее время существуют следующие типы гетеродинных ТВ приемников
С совмещенными каналами звука и изображения
С раздельными каналами звука и изображения
Достоинствами супергетеродинных схем приемника по сравнению с другими являются:
Высокая чувствительность, так как основное усиление осуществляется на более низкой промежуточной частоте, что позволяет обеспечить устойчивое большее усиление.
Лучше избирательность, так как результирующая АЧХ радиотракта приемника определяется в основном АЧХ тракта промежуточной частоты. Этот тракт не перестраивается, поэтому в нем можно использовать сложные резонансные цепи с АЧХ близкой к идеальной.
Постоянство параметров радиотракта, так как они в основном определяются показателями тракта промежуточной частоты настроенной на постоянную промежуточную частоты.
К недостаткам схемы можно отнести: сложность схемы, наличие дополнительных каналов приема (побочные каналы приема). Недостатки такого типа несущественны при современном состоянии радиоприемной техники и радиотехнической промышленности. Благодаря большим преимуществам супергетеродинные схемы в настоящее время получили наиболее широкое применение в радиоприемных устройствах.
Согласно ТЗ разделение / совмещение каналов изображения и звука не задано. Поэтому для упрощения схемы и для уменьшения массагабаритов конечного изделия выбираем схему ТВ приемника с раздельными каналами изображения и звука.
1.2Эскизный расчет высокочастотной части приемникаРасчет сквозной полосы пропускания приемника
/>
где />– ширина спектра сигнала
/>
Расширение рабочего диапазона частот приемника
/>
где />– максимальная частота диапазона
/>– минимальная частота диапазона
/>
При дальнейших расчетах будем использовать расширенный диапазон />.
1.2.1Выбор транзисторов для высокочастотной части приемникаТранзисторы для высокочастотной части приемника выбираем исходя из условий:
/>
где /> — граничная частота коэффициента передачи транзистора
/>– постоянное напряжение коллектор – эмиттер
/>— напряжение источника питания
/>
В соответствии с этими условиями выбираем транзистор КТ327A. Основные параметры взяты из [6,9] и приведены в приложении А
1.2.2Расчет параметров транзисторов на максимальной частоте />[8]Сопротивление базы rбрассчитываем по формуле
/>
где τК– постоянная времени цепи обратной связи
СК– емкость коллектора
/>
Сопротивление эмиттера rэрассчитываем по формуле
/>
где Iэ= 5.5 мА – ток эмиттера
/>
Входное сопротивление транзистора (в схеме ОБ) />рассчитываем по формуле
/>
где/>= 13 – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
/>
Вспомогательные коэффициенты рассчитываем по формулам
/>; />
--PAGE_BREAK--Активную составляющую полной входной проводимости g11э рассчитываем по формуле
/>
Выходную проводимость />рассчитываем по формуле
/>
где />– определяем по выходным характеристикам транзистора
/>
Выходную проводимость />рассчитываем по формуле
/>
Активную составляющую полной выходной проводимости g22э рассчитываем по формуле
/>
Полную проводимость прямой передачи />рассчитываем по формуле
/>
Модуль полной проводимости прямой передачи />рассчитываем по формуле
/>
Входную емкость />рассчитываем по формуле
/>
Выходную емкость />рассчитываем по формуле
/>
1.2.3Расчет параметров транзисторов на промежуточной частоте />[8]Вспомогательные коэффициенты рассчитываем по формулам
/>; />
Активную составляющую полной входной проводимости />рассчитываем по формуле
/>
Активную составляющую полной выходной проводимости />рассчитываем по формуле
/>
Полную проводимость прямой передачи Y21э рассчитываем по формуле
/>
Рассчитываем модуль полной проводимости прямой передачи |Y21э|по формуле
/>
Входную емкость С11э рассчитываем по формуле
/>
Выходную емкость С22э рассчитываем по формуле
/>
1.2.4 Расчет параметров транзисторов в режиме преобразования [8]
Активную составляющую полной входной проводимости />рассчитываем по формуле
/>
Активную составляющую полной выходной проводимости />рассчитываем по формуле
/>
Модуль полной проводимости прямой передачи />рассчитываем по формуле
/>
Входную емкость />рассчитываем по формуле
/>
Выходную емкость />рассчитываем по формуле
/>
1.2.5 Расчет числа контуров преселектораВеличину ослабления зеркального канала рассчитываем по формуле
/>
продолжение--PAGE_BREAK--
где/>– максимальная частота расширенного диапазона
/>– промежуточная частота
/>– эквивалентная добротность нагруженных контуров преселектора
/>– число контуров преселектора
В диапазоне УКВ согласно [3] принимаем />, />
Находим величину ослабления зеркального канала />при n= 1
/>
/>
Так как полученное ослабление зеркального канала (/>) меньше требуемого (/>), то выбираем двухконтурную входную цепь. При двухконтурной входной цепи />.
Определяем необходимость применения УРЧ по формуле
/>
где N– коэффициент шума
Еа = 20 мкВ – требуемая чувствительность
κ = 1.38/>10-23Дж/К – постоянная Больцмана
Т0 = 290 К – стандартная температура
Пш = 1.1·П – эффективная шумовая полоса
Rа = 75 Ом – активное сопротивление антенны
γ = 40 Дб (100 раз) – минимально-допустимое отношение сигнал/шум
/>
Так как заданное ослабление зеркального канала обеспечивает двухконтурная входная цепь, но не выполняется условие N≥ 200, то согласно [3] применяем УРЧ.
Ослабление на частоте равной промежуточной рассчитываем по формуле
/>
где n= 1 – число контуров преселектора
f– крайняя частота диапазона, наиболее близкая к промежуточной
Берем />
/>
/>
Так как полученное ослабление на промежуточной частоте (/>) что больше требуемого (/>), то необходимая избирательность по промежуточному каналу будет обеспечиваться контуром входной цепи.
1.2.6 Выбор и обоснование схемы преобразователя частотыТранзисторные преобразователи бывают двух типов:
преобразователи частоты с отдельным гетеродином;
преобразователи частоты с совмещенным гетеродином;
Выбираем транзисторный преобразователь частоты с отдельным гетеродином, его достоинствами являются: простота настройки, независимость режимов работы транзисторов в гетеродине и смесителе и более устойчивая работа на высоких частотах в диапазоне УКВ.
Выбор устройств управления настройкой приемника
Определяем коэффициент перекрытия диапазона по формуле
/>
Для перестройки контуров входной цепи и гетеродина применяем конденсатор переменной емкости КПЧ – 3Б двух секционный с общим ротором, предназначенный для применения в схемах перестройки УКВ блоков радиовещательных и ТВ приемников. Минимальная емкость конденсатора Сmin= 4пФ, максимальная емкость конденсатора Cmax= 20пФ.
К достоинствам схем с применением конденсаторов переменной емкости является:
простота применения
сравнительно высокая стабильность параметров варикапа
большой реализуемый коэффициент перекрытия емкости.
Эквивалентную емкость контура Скэрассчитываем по формуле
/>
где Сmax– максимальная емкость
Сmin– минимальная емкость
/>
Емкость схемы контура />рассчитываем по формуле
/>
где См– емкость монтажа
СL– собственная емкость катушки контура
продолжение--PAGE_BREAK--
Свн– емкость, вносимая в контур транзистором
Согласно таблице 4.6 [2] берем См= 5.5 пФ, СL= 2.5 пФ, Свн= 0.
/>
Дополнительную емкость />, которую необходимо включить в контур, рассчитываем по формуле
/>
Так как выполняется условие />≥ 0, то согласно [2], емкость выбрана правильно.
Максимальную и минимальную эквивалентные емкости контура Сэмах, Сэмinрассчитываем по формулам/>
1.2.7 Выбор избирательной системы тракта промежуточной частотыИсходя из заданного значения коэффициента прямоугольности фильтра промежуточной частоты КП 0,01=2.5 по таблице 6.1 согласно [4] выбираем УПЧ с двухконтурными каскадами при критической связи β=1:
m=5 – число избирательных систем
Ψ=1.14 – отношение полосы пропускания отдельного резонансного контура к полосе пропускания УПЧ с числом избирательных систем равным пяти.
1.2.8 Выбор схемы УРЧВ качестве УРЧ выбираем однотранзисторную схему с общим эмиттером. Данная схема позволяет получить максимальное усиление номинальной мощности при малом уровне собственных шумов.
1.2.9 Выбор схемы ограничителя амплитуды и частотного детектораАмплитудные изменения ЧМ сигнала обуславливаются влиянием различного вида помех и внутренними шумами радиоэлектронных приборов. Для устранения этих паразитных амплитудных изменений в приемниках ЧМ сигнала применяют АО.
Для ограничения амплитуды и детектирования сигнала, а также предварительного усиления низкочастотного сигнала используем интегральную микросхему К174УР1. Микросхема представляет собой усилитель-ограничитель с частотным детектором и предварительный усилитель низкой частоты.
Определение необходимости применения АРУ.
По заданию эффективность АРУ должна обеспечивать изменение выходного напряжения не более чем: />(1.41 раза), при изменении входного напряжения />(316.2 раз).
Используемый в микросхеме К174УР1 АО обеспечивает подавление АМ на 56 дБ (630.9 раз).
Рассчитываем изменение выходного напряжения по формуле
/>
где/>– изменение выходного напряжения (в разах)
/>– заданное изменение входного напряжения (в разах)
/>– коэффициент подавления АМ амплитудного ограничителя (в разах)
/>
Дополнительную АРУ не применяем, так как амплитудный ограничитель обеспечивает изменение выходного напряжения не хуже заданного.
1.2.10 Определение необходимого коэффициента усиления от входа до амплитудного ограничителя [8]При приеме на внешнюю антенну необходимый коэффициент усиления КН рассчитываем по формуле
/>
где UАО– амплитуда напряжения на входе АО
ЕА– чувствительность приемника
Согласно рисунку Б.3.а принимаем UАО= 5 мВ.
/>
Необходимый коэффициент усиления с учетом разброса параметров транзисторов рассчитываем по формуле
/>
Необходимый коэффициент усиления берем равным />
Определение устойчивого коэффициент усиления каскадов
Устойчивый коэффициент усиления преобразователя рассчитываем по формуле
/>
/>
Устойчивый коэффициент усиления УПЧ рассчитываем по формуле
/>
где Y21э– полная проводимость прямой передачи транзистора УПЧ
Ск– емкость коллектора
/>
Определение числа каскадов линейной части приемника [8,4]
Коэффициент усиления тракта высокой частоты КВЧс преобразователем, нагруженным на УПЧ, рассчитываем по формуле
/>
где КВХ.Ц– коэффициент передачи входной цепи
Кпр– коэффициент усиления преобразователя
продолжение--PAGE_BREAK--
КУРЧ– коэффициент усиления УРЧ.
Согласно [2] и рассчитанного Куст.прпринимаем:
КВХ.Ц= 2; КУРЧ= 5; КПР= 2
/>
Коэффициент усиления двухконтурного каскада настроенного на промежуточную частоту рассчитываем по формуле
/>
где: fПР– промежуточная частота
β – параметр связи контура
/>– модуль полной проводимости прямой передачи
m2 – коэффициент включения контура в цепь базы
СЭ– эквивалентная емкость контура
dЭ– эквивалентное затухание контура
Коэффициент включения контура в цепь базы рассчитывается по формуле
/>
Эквивалентная емкость контура рассчитывается по формуле
/>
Рассчитываем коэффициент усиления двухконтурного каскада:
/>
где: П – сквозная полоса пропускания приемника
Ψ – отношение полосы пропускания отдельного резонансного контура к полосе пропускания УПЧ с числом избирательных систем равным пяти
/>; />
/>
/>
Исходя из рассчитанных коэффициентов усиления для отдельных каскада приемника рассчитаем ожидаемый коэффициент усиления линейной части приемника Кпо формуле
/>
Так как соблюдается условие К≥ К’н, то выбор каскадов высокочастотной части приемника считаем законченным.
1.2.11 Структурная схема приемника/>
Рисунок 1.1 – Структурная схема приемника
2. Выбор и обоснование структурной схемы приемника
2.1 Выбор и обоснование схемы входной цепи приемникаВ диапазоне УКВ для ТВ приемников в качестве антенны чаще всего применяют пару несимметричных телескопических штырей. Выбираем двухконтурную входную цепь с внешнеемкостной связью с антенной. Входная цепь с такой связью характеризуется большим коэффициентом передачи по напряжению и высокой избирательностью, и с другой стороны большой неравномерностью коэффициента передачи в диапазоне частот. Так как коэффициент перекрытия диапазона небольшой (Кпд=1.089), то внешнеемкостная связь с антенной является наиболее оптимальной для получения большого коэффициента передачи.
Для уменьшения неравномерности коэффициента передачи в диапазоне частот, связь с транзистором преобразователя выбираем внутриемкостную.
2.2 Выбор и обоснование схемы УРЧВ качестве УРЧ выбираем однотранзисторную схему с общим эмиттером. Данная схема позволяет получить максимальное усиление номинальной мощности при малом уровне собственных шумов.
2.3 Выбор и обоснование схемы преобразователя частотыВ ТВ приемниках в УКВ – диапазоне рационально использовать транзисторные преобразователи частоты. Для уменьшения взаимной связи между цепями гетеродина и сигнала, а также обеспечения более высокой стабильности напряжение сигнала подаем на базу транзистора (смесителя), а напряжение гетеродина – на эмиттер. В качестве нагрузки смесителя используем двухконтурную избирательную систему, которая включена в цепь коллектора транзистора смесителя.
2.4 Выбор и обоснование схемы ограничителя амплитуды и детектораВ качестве амплитудного ограничителя и детектора сигнала используем ИМС К174УР1. Микросхема предназначена для использования в телевизионных супергетеродинных приемниках. Типовая схема включения ИМС К174УР1, структурная схема и ее параметры приведены в приложении Б.
2.5 Выбор и обоснование схемы тракта УНЧПредварительный УНЧ включен в состав ИМС К174УР1. В виду того, что выходная мощность приемника не задана (может быть любой) зададимся мощностью на выходе равной пятнадцати ваттам PВЫХ НЧ = 15 Вт на нагрузку 4 Ом. В качестве оконечного усилителя мощности низкой частоты применяем ИМС К174УН11. типовая схема включения ИМС К174УН11 и ее параметры приведены в приложении Б.
3. Расчет схемы электрической принципиальной 3.1 Расчет входной цепиМаксимально допустимую добротность контура QПрассчитываем по формуле
/>
где />= 3 дБ – ослабление на краях полосы пропускания (в разах)
/>
Необходимую добротность контура Qирассчитываем по формуле
/>
Согласно таблице 5.3 [2] принимаем возможную конструктивную добротность контура Qк=100
продолжение--PAGE_BREAK--
Так, как Qи=225 ≤ Qк=250 ≤ Qп=1146, принимаем эквивалентную добротность контура на максимальной частоте />, равной Qэ max= 230
Эквивалентную добротность контура на минимальной частоте />, (Qэ min) рассчитываем по формуле
/>
При эскизном расчете были определены />, />, />, />, />.
Индуктивность катушки контура L1 рассчитываем по формуле
/>
Емкость подстроечного конденсатора С4 выбирается из условия
/>
Выбираем подстроечный конденсатор С4 типа КТ4–23–12/80 пФ±10%
Характеристическое сопротивление контура на максимальной частоте />, рассчитываем по формуле
/>
Коэффициент включения транзистора преобразователя m2 рассчитываем по формуле
/>
где />– входное сопротивление транзистора VT1
/>
/>
Емкость конденсатора связи C5 с транзистором VT1 рассчитываем по формуле
/>
где С11пр– входная емкость транзистора VT2
/>
Выбираем конденсатор С5 типа К10–7в-М47–1600 пФ±10%
Согласно [8] выбираем емкость антенны СА= 15 пФ, согласно [2] выбираем емкость конденсатора связи с антенной С3 = 15 пФ.
Выбираем конденсатор С3 типа К10–7в-М47–15 пФ±10%
Емкость вносимую антенной САвнрассчитываем по формуле
/>
Эквивалентные емкости контура с учетом влияния емкости антенны рассчитываем по формулам
для начала диапазона />
/>
для середины диапазона />
/>
/>
для конца диапазона />
/>
Коэффициенты передачи напряжения рассчитываем по формулам
для начала диапазона />
/>
для середины диапазона />
/>
для конца диапазона />
/>
Так как рассчитанные значения коэффициентов передачи напряжения во всем диапазоне больше значения взятого в эскизном то расчет первого контура входной цепи считаем законченным.
Расчет коэффициентов включения контура автотрансформатора.
Расчет коэффициента D
/>
Расчет коэффициентавключения />
/>
Расчет коэффициентавключения />
/>
Проверка условия К≤ КУСТ
/>
Так как условие К≤ КУСТвыполняется, то расчет второго контура считаем завершенным.
3.2 Расчет УРЧИспользуем транзистор типа КТ372А;
Iк0=1 мкА – обратный ток коллектора;
продолжение--PAGE_BREAK--
Iк=10 мА – ток коллектора;
Епит=15 В-напряжение источника питания;
Uкэ=6 В-напряжение коллектор-эмиттер в рабочем режиме;
Tmax=273+50=323 K– максимальная рабочая температура;
Tmin=273–40=213 K– минимальная рабочая температура;
T=273+20=293 K– средняя рабочая температура.
Изменение обратного тока коллектора ΔIк0 рассчитываем по формуле
/>
Тепловое смещение напряжения базы ΔUБрассчитываем по формуле
/>
где φ = 1.8 мВ/К
/>
Допустимую нестабильность тока коллектора ΔIкрассчитываем по формуле
/>
Сопротивление резистора R10 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем значение резистора R10 равное 56 Ом.
Мощность рассеиваемую на резисторе R10 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем резистор R10 типа С2–23–0.125–56 Ом ± 10%.
Сопротивление резистора R9 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем ближайшее номинальное значение резистора R9 равное 910 Ом.
Мощность рассеиваемую на резисторе R9 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем резистор R9 типа С2–23–0.125–910 Ом ± 10%.
Сопротивление резистора R6 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем ближайшее номинальное значение резистора R6 равное 1.6 кОм.
Сопротивление резистора R7 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем ближайшее номинальное значение резистора R7 равное 62 Ом.
Выбираем резистор R6 типа С2–23–0.125–1.6 кОм ± 10%
резистор R7 типа С2–23–0.125–62 Ом ± 10%.
Емкость разделительного конденсатора С10 рассчитываем по формуле
/>
где fminсп = f'min– />П – нижняя частота спектра
R11 пр=/>– входное сопротивление транзистора в режиме преобразования
Емкость разделительного конденсатора С10 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем конденсатор С10 типа К10–7в-М47–120 пФ±10%.
Коэффициент включения контура в цепь коллектора транзистора VT3 m1 и в цепь базы VT4 m2 рассчитываем по формуле
/>
/>
Индуктивность контура рассчитываем по формуле
/>
Емкость контура рассчитываем по формуле
/>
3.3 Расчет элементов фильтра питанияРасчет элементов фильтра питания производим по формулам
/>
/>
продолжение--PAGE_BREAK--
Выбираем резисторы />типа С2–23–0.125–910 Ом± 10%
Конденсатор />выбираем К10–7в-М47–62 пФ±10%.
3.4 Расчет преобразователя частотыСопротивление резистора R22 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем значение резистора R22 равное 56 Ом.
Мощность рассеиваемую на резисторе R22 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем резистор R22 типа С2–23–0.125–56 Ом ± 10%.
Сопротивление резистора R21 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем ближайшее номинальное значение резистора R21 равное 910 Ом.
Мощность рассеиваемую на резисторе R21 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем резистор R9 типа С2–23–0.125–910 Ом ± 10%.
Сопротивление резистора R19 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем ближайшее номинальное значение резистора R19 равное 2.8 кОм.
Сопротивление резистора R20 рассчитываем по формуле
/>
Выбираем ближайшее номинальное значение резистора R20 равное 110 Ом.
Выбираем резистор R19 типа С2–23–0.125–2.8 кОм ± 10%
резистор R20 типа С2–23–0.125–62 Ом ± 10%.
Емкость разделительного конденсатора С25 рассчитываем по формуле
/>
где fminсп = f'min– />П – нижняя частота спектра
R11 пр=/>– входное сопротивление транзистора в режиме преобразования
/>
Выбираем конденсатор С25 типа К10–7в-М47–120 пФ±10%.
Емкость контура рассчитываем по формуле
/>
Коэффициент включения контура в цепь коллектора транзистора VT3 m1 и в цепь базы VT4 m2 рассчитываем по формуле
/>
/>
3.5 Расчет гетеродинаТак как коэффициент перекрытия диапазона маленький (Кпд=1.089), то сопряжение контуров входной цепи и гетеродина производим на средней частоте диапазона
/>
Среднюю частоту контура гетеродина fг сррассчитываем по формуле
/>
Все емкости контура остаются как в контуре входной цепи: С2 – КПЧ 3Б-Сmin=4 пФ, Смах=20пФ, Сд=36 пФ.
Среднюю эквивалентную емкость контура гетеродина рассчитываем по формуле
/>
Индуктивность контура гетеродина L2 рассчитываем по формуле
/>
Для расчета элементов гетеродина задаемся критическим режимом работы и принимаем:
транзистор КТ372А;
ξ = 0.85 – коэффициент использования по напряжению;
Θэ= 85– угол отсечки эмиттерного тока;
α= 0.3, α1= 0.48 – коэффициенты Берга;
Uкэ0= 6 В, Iэ= 4 мА.
Амплитуду импульса тока эмиттера рассчитываем по формуле
/>
продолжение--PAGE_BREAK--
Амплитуду напряжения возбуждения на базе рассчитываем по формуле
/>
/>
/>
/>
Напряжение смещения рассчитываем по формуле
/>
Напряжение на контуре рассчитываем по формуле
/>
Коэффициент связи рассчитываем по формуле
/>
Расчет индуктивности связи L3 производим по формуле
/>
где M=0.2 – взаимная индуктивность
kСВ=0.1 – коэффициент связи
/>
Коэффициент включения коллектора гетеродина в контур рассчитываем по формуле
/>
Коэффициент включения нагрузки в контур гетеродина рассчитываем по формуле
/>
/>
Расчет разделительных конденсаторов С6, С34
/>
Конденсатор С6 выбираем равным конденсатору С34 К10–7в-М47–270 пФ±10%.
Ток базы рассчитываем по формуле
/>
Расчет сопротивления автосмещения R4 производим по формуле
/>
Выбираем резистор R4 типа С2–23–0.125–1.4 кОм ± 10%
Конденсатор С8 выбираем К10–7в-М47–270 пФ±10%.
3.6 Расчет Элементов УРЧ/>
Выбираем резистор />типа С2–23–0.125–56 Ом ± 10%.
/>
Выбираем резистор />типа С2–23–0.125–820 Ом ± 10%.
/>
Выбираем резистор />типа С2–23–0.125–1.8 кОм ± 10%.
/>
Выбираем резистор />типа С2–23–0.125–68 Ом ± 10%.
/>
Конденсатор C13, С17, С19, С22, С25, С27 выбираем К10–7в-М47–6.8 нФ±10%.
3.7 Расчет цепи контроля питанияВ качестве элемента позволяющего визуально контролировать наличие питающего напряжения, а также контролировать включение питания радиоприемного устройства выбираем диод светоизлучающий АЛ307А с параметрами: UПИТ=2.5 В, IД=10 мА
Исходя из этих параметров рассчитываем ограничительное сопротивление по формуле
/>
Выбираем резистор R41 типа С2–23–0.125–1.3 кОм ± 10%.
Перечень принятых сокращений
АРУ – Автоматическая регулировка усиления
УПЧ – Усилитель промежуточной частоты
УРЧ – Усилитель радиочастоты
УНЧ – Усилитель низкой частоты
АО – Амплитудный ограничитель
ОУ – Оконечное устройство
УКВ – ультракороткие волны
ЧМ – частотная модуляция
АМ – амплитудная модуляция
ИМС – интегральная микросхема
Список использованной литературы
1 Богданович Б.М., Окулич Н.И. «Радиоприемные устройства: Учебное пособие для ВУЗов», Под общей редакцией Богдановича Б.М. – Мн.: Высш. шк., 1991 – 428 с.
2 Екимов «Расчет и конструирование транзисторных радиоприемников». М., «Связь», 1972.
3 Радиоприемные устройства: Методические указания по курсовому проектированию. – Л.: СЗПИ, 1988.
4 «Проектирование радиоприемных устройств: Учебное пособие для вузов». Под ред. А.П. Сиверса. М., «Сов. радио», 1976.
5 Булычев А.Л., Галкин В.И., Прохоренко В.А., «Аналоговые интегральные схемы: Справочник» – 2-е изд., переработанное и дополненное – Мн: «Беларусь», 1993 – 382 с.
продолжение--PAGE_BREAK--
6 «Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник». Под ред. Б.Л. Перельмана – М.: Радио и связь, 1981.
7 «Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, диоды импульсные, оптоэлектронные приборы: Справочник». Под ред. А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь, 1988 – 592 с.
Баркан В.Ф., Жданов В.К. «Радиоприемные устройства: Учебник для техникумов» – 5-е изд. перераб. и доп. – М., «Сов. радио», 1978 – 464 с.
Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 2.–М.: КубК-а, 1997 – 640 с.: ил.
Приложение А
(справочное)
Основные электрические параметры транзистора КТ372А
граничная частота коэффициента передачи транзистора fT≥ 2400 ГГц;
граничное напряжение коллектор – эмиттер UКЭ = 15 В;
статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ h21Э= (13);
емкость коллектора СК≤ 0.65 пФ;
емкость эмиттера Сэ≤ 1.2 пФ;
обратный ток коллектора Iк0= 10 мкА;
постоянная времени цепи обратной связи τК≤ 7.5 пс;
постоянный ток эмиттера IЭ ≤ 10 мА.
/>
Рисунок А.1. Входная и выходная ВАХ транзистора
Приложение Б
(справочное)
Типовые схемы включения используемых ИМС и их параметры
Б. 1 Функциональная схема ИМС К174УР3
/>
1 – Амплитудный ограничитель;
2 – Частотный детектор;
3 – Предварительный УНЧ.
Б.2 Типовая схема включения ИМС К174УР3 и ее параметры
/>
Назначение выводов: 1, 3, 12 – напряжения питания (-Uп); 2 – второй вход амплитудного ограничителя; 5 – управление коэффициентом передачи; 6 – выход амплитудного ограничителя; 7, 9 – к опорному контуру; 8 – выход ЗЧ; 10 – выход амплитудного ограничителя; 11 – питание (+Uп); 13 – блокировка выхода; 4, 14 – 1 ый вход амплитудного ограничителя.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания……………………………… 15 В ± 5%
Ток потребления…………………………………………………≤ 22 мА
Коэффициент подавления амплитудной модуляции…………………….≥ 56 дБ
Коэффициент гармоник при Uп = 6 В, UBX= 0.5 мВ……………………..≤ 2%
Выходное сопротивление………………………………………………≥ 1.5 кОм
Управляющий ток по выводу 7…………………………………….0.05 ÷ 1 мА
Выходное напряжение НЧ при Uвх = 0.5 В…………………………≥ 100 мВ
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Напряжение питания……………………………………………………5 ÷ 18 В
Амплитуда входного сигнала……………………………………≤ 300 мВ
/>
Рисунок Б. 3 – Зависимость коэффициента подавления АМ от входного напряжения
Типовая схема включения ИМС К174УН11 и ее параметры
/>
Рисунок Б.4 – Типовая схема включения ИМС К174УН11
Назначение выводов: 1 – напряжение питания (+Uп); 3, 12 – Вывод задания режима; – выход; 5 – напряжение питания (-UП); 8 – обратная связь; 7 – вход; 9, 10 – коррекция выхода.
Электрические параметры
Номинальное напряжение………………………………………….…15 В ± 10%
Максимальная амплитуда входного напряжения…………………… ≤ 10 В
Ток потребления при UП=12 В……………………………………….≤ 100 мА
Выходная мощность при Rн = 4 Ом, UП=15 В……………………15 Вт
Коэффициент гармоник при Рвых = 15 Вт, fВХ = 1 кГц…………≤ 1%
Диапазон рабочих частот…………………………………………30 ÷ 20–103Гц
Входное сопротивление при UП=12 В, fВХ = 1 кГц …………………≥ 10 кОм